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公开(公告)号：CN109643520A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201780025985.5
申请日：2017-03-23
Applicant: 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯公司 , 伊利诺伊大学评议会 , 罗门哈斯电子材料有限责任公司
IPC: G09G3/3208 , G06F3/038
Abstract: 提供了一种在光电元件阵列上产生图像的方法，其包含：(a)提供装置，其包含光电元件阵列和连接到每个光电元件的电路，其中所述光电元件包含多个量子点或多个纳米棒，且其中所述电路被配置为能够在有效正向偏压配置和有效反向偏压配置之间独立地切换各光电元件，(b)对两个或更多个所述光电元件施加有效反向偏压，(c)提供电路，所述电路将检测来自单个有效反向偏压的光电元件的光电流的开始，并且通过将所述单个光电元件上的所述偏压改变为有效正向偏压来响应所述光电流。
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公开(公告)号：CN109564976A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201780025724.3
申请日：2017-03-23
Applicant: 陶氏环球技术有限责任公司 , 伊利诺伊大学评议会 , 罗门哈斯公司 , 罗门哈斯电子材料有限责任公司
Abstract: 提供一种装置，其包括发光光电元件(405，3405，3305，3205，3105，205)和光电流生成光电元件(405，3404，3304，3204，3104，204)，其中所述装置进一步包括不透明元件(10)，所述不透明元件防止所述发光光电元件发射的光经由所述装置内的通路到达所述光电流生成光电元件。
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公开(公告)号：CN109417129A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201780025978.5
申请日：2017-03-23
Applicant: 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯公司 , 伊利诺伊大学评议会 , 罗门哈斯电子材料有限责任公司
Abstract: 提供一种在光电装置(105)附近检测物体的存在的方法，其包括：(a)提供包括发光光电元件(405，3305，205)和光电流生成光电元件(404，3304，204)的光电装置8105)；(b)在所述发光光电元件上施加有效正向偏压并在所述光电流生成光电元件上施加有效反向偏压；(c)使能够散射光或反射光或其组合的物体(21)与所述光电装置的表面上的光出现的点相距0.1mm到5mm的距离，从而使所述发光光电元件发射的光被反射或散射成使得所述光落在所述光电流生成光电元件上。
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公开(公告)号：CN109071210A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201680072926.9
申请日：2016-02-13
Applicant: 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料有限责任公司 , 伊利诺伊大学评议会
Abstract: 提供用于产生纳米结构材料的方法和系统。在一方面中，提供方法，所述方法包含a)在5秒或更短的时间内将一种或多种纳米结构材料试剂加热100℃或更高；和b)使所述纳米结构材料试剂反应以形成纳米结构材料反应产物。在另一方面中，提供方法，所述方法包含a)使包含一种或多种纳米结构材料试剂的流体组合物流过反应器系统；和b)使所述纳米结构材料试剂反应以形成包含Cd、In或Zn的纳米结构材料反应产物。在又一方面中，提供方法，所述方法包括使一种或多种纳米结构材料试剂流过第一反应单元；冷却已经流过所述第一反应单元的所述一种或多种纳米结构材料试剂或其反应产物；和将所述冷却的一种或多种纳米结构材料试剂或其反应产物流过第二反应单元。
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公开(公告)号：CN107827076B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN201611247013.4
申请日：2016-12-29
Applicant: 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料有限责任公司 , 伊利诺伊大学评议会
Abstract: 在一个方面，提供包含光子晶体的结构，所述光子晶体包含介电层，所述介电层在其中包含一种或多种发光纳米结构材料。在另一方面，提供包含介电层的结构，所述介电层在所述介电层内的不同深度处包含第一和第二组发光纳米结构材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107827076A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201611247013.4
申请日：2016-12-29
Applicant: 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料有限责任公司 , 伊利诺伊大学评议会
CPC classification number: G02B1/005 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C09K11/02 , C09K11/025 , C09K11/883 , F21K9/64 , H01L33/502 , H01L33/505 , H01L2933/0083 , Y10S977/774 , Y10S977/892 , Y10S977/95 , B81B1/00 , B81C1/00349 , B82Y30/00
Abstract: 在一个方面，提供包含光子晶体的结构，所述光子晶体包含介电层，所述介电层在其中包含一种或多种发光纳米结构材料。在另一方面，提供包含介电层的结构，所述介电层在所述介电层内的不同深度处包含第一和第二组发光纳米结构材料。
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公开(公告)号：CN104046360A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410098121.4
申请日：2014-03-17
Applicant: 伊利诺斯大学科技管理办公室 , 罗门哈斯电子材料有限公司 , 陶氏环球技术有限公司
CPC classification number: H01L33/06 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L21/02557 , H01L21/0256 , H01L21/02601 , H01L21/02603 , H01L21/02606 , H01L21/02628 , H01L29/0669 , H01L29/068 , H01L29/125 , H01L29/127 , H01L29/225 , H01L31/0296 , H01L31/035218 , H01L31/035227 , H01L31/1828 , H01L33/0083 , H01L33/18 , H01L33/28 , H01L33/502 , H01L51/0037 , H01L51/0042 , H01L51/502 , H01L51/5072 , H01L2251/5369 , Y10S977/762 , Y10S977/825 , Y10S977/949
Abstract: 本发明公开了一种半导体纳米颗粒，其包括具有第一端部和第二端部的一维半导体纳米颗粒以及两个第一端盖，其中，所述第二端部与所述第一端部相反；所述两个第一端盖中的一个端盖与所述一维半导体纳米颗粒的第一端部相接触，另一个端盖与所述第二端部相接触；其中接触第一端部的第一端盖包含第一半导体，并且所述第一端盖从所述一维半导体纳米颗粒的第一端部延伸，形成了第一纳米晶体异质结；其中接触第二端部的第一端盖包含第二半导体；其中该第一端盖从所述一维半导体纳米颗粒的第二端部延伸，形成了第二纳米晶体异质结；以及，其中所述第一半导体和所述第二半导体化学上彼此不同。
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公开(公告)号：CN104046359A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410098085.1
申请日：2014-03-17
Applicant: 伊利诺斯大学科技管理办公室 , 罗门哈斯电子材料有限公司 , 陶氏环球技术有限公司
CPC classification number: H01L33/06 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L29/0669 , H01L29/068 , H01L29/127 , H01L29/22 , H01L31/0296 , H01L31/035218 , H01L31/035227 , H01L33/0083 , H01L33/28 , H01L51/50 , H01L51/502 , Y10S977/774 , Y10S977/95
Abstract: 本发明公开了一种半导体纳米颗粒，其包括具有第一端部和第二端部的一维半导体纳米颗粒、包含第一半导体的第一结点、以及包含第二半导体的第二结点；其中，所述第二端部与所述第一端部相反；其中所述第一结点与所述一维半导体纳米颗粒的径向表面相接触，在接触的位点处形成第一异质结；其中所述第二结点与所述一维半导体纳米颗粒的径向表面相接触，在接触的位点处形成第二异质结；其中所述第一异质结组成上不同于所述第二异质结。
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公开(公告)号：CN104046359B8
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201410098085.1
申请日：2014-03-17
Applicant: 伊利诺斯大学科技管理办公室 , 罗门哈斯电子材料有限公司 , 陶氏环球技术有限公司
CPC classification number: H01L33/06 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L29/0669 , H01L29/068 , H01L29/127 , H01L29/22 , H01L31/0296 , H01L31/035218 , H01L31/035227 , H01L33/0083 , H01L33/28 , H01L51/50 , H01L51/502 , Y10S977/774 , Y10S977/95
Abstract: 本发明公开了一种半导体纳米颗粒，其包括具有第一端部和第二端部的一维半导体纳米颗粒、包含第一半导体的第一结点、以及包含第二半导体的第二结点；其中，所述第二端部与所述第一端部相反；其中所述第一结点与所述一维半导体纳米颗粒的径向表面相接触，在接触的位点处形成第一异质结；其中所述第二结点与所述一维半导体纳米颗粒的径向表面相接触，在接触的位点处形成第二异质结；其中所述第一异质结组成上不同于所述第二异质结。
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公开(公告)号：CN104046360B
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201410098121.4
申请日：2014-03-17
Applicant: 伊利诺斯大学科技管理办公室 , 罗门哈斯电子材料有限公司 , 陶氏环球技术有限公司
CPC classification number: H01L33/06 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L21/02557 , H01L21/0256 , H01L21/02601 , H01L21/02603 , H01L21/02606 , H01L21/02628 , H01L29/0669 , H01L29/068 , H01L29/125 , H01L29/127 , H01L29/225 , H01L31/0296 , H01L31/035218 , H01L31/035227 , H01L31/1828 , H01L33/0083 , H01L33/18 , H01L33/28 , H01L33/502 , H01L51/0037 , H01L51/0042 , H01L51/502 , H01L51/5072 , H01L2251/5369 , Y10S977/762 , Y10S977/825 , Y10S977/949
Abstract: 本发明公开了一种半导体纳米颗粒，其包括具有第一端部和第二端部的一维半导体纳米颗粒以及两个第一端盖，其中，所述第二端部与所述第一端部相反；所述两个第一端盖中的一个端盖与所述一维半导体纳米颗粒的第一端部相接触，另一个端盖与所述第二端部相接触；其中接触第一端部的第一端盖包含第一半导体，并且所述第一端盖从所述一维半导体纳米颗粒的第一端部延伸，形成了第一纳米晶体异质结；其中接触第二端部的第一端盖包含第二半导体；其中该第一端盖从所述一维半导体纳米颗粒的第二端部延伸，形成了第二纳米晶体异质结；以及，其中所述第一半导体和所述第二半导体化学上彼此不同。
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