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公开(公告)号：CN105128451A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510646975.6
申请日：2015-10-09
Applicant: 重庆文理学院
CPC classification number: B32B15/08 , B32B7/10 , B32B37/1284 , B32B37/15 , B32B38/0008 , B32B38/162 , B32B38/164 , B32B2260/046
Abstract: 本发明公布了一种防腐蚀的银导电薄膜的制备方法，其制备步骤为：将衬底进行清洗、干燥和等离子处理；在衬底上涂覆一层粘结剂，烘干；将银纳米线导电墨水涂覆在粘结层上，干燥后得到银导电网络；将可溶性氟树脂涂覆在导电网络上，烘干后得到一种防腐蚀的导电薄膜。该导电薄膜因为表面有防腐蚀的氟树脂，可用于高端电子产品和一些特殊场合。
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公开(公告)号：CN105086632A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510646158.0
申请日：2015-10-09
Applicant: 重庆文理学院
IPC: C09D11/52
Abstract: 本发明公布了一种尺寸均匀的银导电墨水，其制备过程为：银纳米线与颗粒的制备，有机高分子材料的分离；混合墨水的配制；墨水的尺寸分离从而得到尺寸均匀的导电墨水；墨水浓度的调配。制备出的墨水中的银纳米材料尺寸均匀，可根据不同需求选用不同尺寸的墨水。同时，该制备方法避免了大部分银墨水制备中将很多尺寸不合适的银材料舍弃的问题而将生产出的银纳米材料分门别类、各尽所用，极大地降低了成本，能广泛用于电子信息产品领域。
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公开(公告)号：CN113846295B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202111136064.0
申请日：2021-09-27
Applicant: 重庆文理学院
Abstract: 一种FeCrAl/Cr复合涂层的制备方法，依次包括Zr合金基体预处理、Cr涂层的制备和FeCrAl涂层的制备，所述Cr涂层的制备是采用电弧离子镀在预处理后的Zr合金基体表面沉积Cr涂层，沉积过程中调节偏压为‑150~‑200V，每隔1h，调节偏压至600~650V，保持3~5min，所述FeCrAl涂层的制备是采用电弧离子镀在Cr涂层表面沉积FeCrAl涂层，沉积过程中调节偏压为‑200~‑250V，每隔1h，调节偏压至400~600V，保持3~5min。本发明中通过PVD沉积的FeCrAl/Cr涂层克服了PVD方法带来的晶粒间间隙较大的技术问题，涂层均匀性好、致密度高，晶粒间间隙小，涂层厚度在20μm左右，就能达到优异的抗高温氧化性能，在1200℃下高温水蒸气氧化1h后，含氧增重为10.54mg/cm2，涂层表面结构完整，没有破损、裂纹甚至脱落，使用寿命长。
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公开(公告)号：CN113846295A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202111136064.0
申请日：2021-09-27
Applicant: 重庆文理学院
Abstract: 一种FeCrAl/Cr复合涂层的制备方法，依次包括Zr合金基体预处理、Cr涂层的制备和FeCrAl涂层的制备，所述Cr涂层的制备是采用电弧离子镀在预处理后的Zr合金基体表面沉积Cr涂层，沉积过程中调节偏压为‑150~‑200V，每隔1h，调节偏压至600~650V，保持3~5min，所述FeCrAl涂层的制备是采用电弧离子镀在Cr涂层表面沉积FeCrAl涂层，沉积过程中调节偏压为‑200~‑250V，每隔1h，调节偏压至400~600V，保持3~5min。本发明中通过PVD沉积的FeCrAl/Cr涂层克服了PVD方法带来的晶粒间间隙较大的技术问题，涂层均匀性好、致密度高，晶粒间间隙小，涂层厚度在20μm左右，就能达到优异的抗高温氧化性能，在1200℃下高温水蒸气氧化1h后，含氧增重为10.54mg/cm2，涂层表面结构完整，没有破损、裂纹甚至脱落，使用寿命长。
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公开(公告)号：CN109360971B
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201811419174.6
申请日：2018-11-26
Applicant: 重庆文理学院
IPC: H01M4/36 , H01M4/58 , H01M4/62 , H01M10/0525
Abstract: 一种微球状硒化锰/碳复合材料的制备方法，是以Mn(CH3COO)2·4H2O、PVP‑30、乙醇与水的混合溶液、均苯三甲酸、硒粉为原材料，分别经过微球状金属有机骨架化合物Mn‑BTC的制备，基于Mn‑BTC有机骨架构筑微球状硒化锰/碳复合材料的制备等步骤制得。本发明制备的MOFs球形完整，具有球形形貌，产品分散性好，未见粘连状况结晶度高，利用其制备的微球状硒化锰/碳复合材料，具有较高的比表面积和多孔性，表现出优良的储锂性能，产物纯度高,纯度可高达99.2%，产率高，可高达70%以上，储电容量大，循环寿命长，使用过程稳定性好，不会出现电流忽大忽小的情况，工艺流程简单可行，值得市场推广。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109411736A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811472415.3
申请日：2018-12-04
Applicant: 重庆文理学院
IPC: H01M4/36 , H01M4/58 , H01M4/62 , H01M10/0525
Abstract: 一种磷化钴/石墨烯/N掺杂碳复合材料是以磷化钴为最内层，N掺杂碳层包裹磷化钴，石墨烯为最外层包裹N掺杂碳层，石墨烯层使复合材料成为三维导电网络结构。本发明很好地保持了金属有机骨架复合物的多面体形貌，石墨烯可复合上去，形成三维导电网络结构，产品结晶度高，纯度高达99%，具有较高的比表面积和多孔性，储电容量大，寿命长，具有优良的储锂性能，在100mA g-1的电流密度下经过100次充放电循环后，其放电容量为702.11mAh g-1，储锂性能不会衰减，最多可经过200次充放电循环后其电容不衰减；使用过程稳定性好，不会出现电流忽大忽小的状况，制备方法产量高、可高达70%以上，制备工艺简单可行，值得市场推广。
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公开(公告)号：CN109265158A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201810730755.5
申请日：2018-07-05
Applicant: 重庆文理学院
IPC: C04B35/453 , C04B35/622 , C23C14/34
CPC classification number: C04B35/453 , C04B35/622 , C04B2235/5454 , C04B2235/785 , C23C14/3414
Abstract: 一种强超声辅助法制备组织均匀的高致密ZnO2靶材，其制备方法为：将粒径≈50nm，纯度≥99.99％的ZnO2经过干法制粒机，制成15-20um左右大小的蓬松颗粒。再将经过制粒的蓬松ZnO2颗粒填装在超声辅助模具中并放置于冷静压下。调节油压机的压力，将模具内部压强分别设置为150MPa、300MPa、450MPa、600MPa、750MPa和900MPa。引入功率P＝3Kw的超声震荡和冷静压双重作用下成型致密度高达74.2±0.2％的素坯样品。最后，在1150℃的温度下烧结5h制得。
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公开(公告)号：CN108975904A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201810729836.3
申请日：2018-07-05
Applicant: 重庆文理学院
IPC: C04B35/457 , C04B35/622 , B28B3/00
CPC classification number: C04B35/457 , B28B3/003 , C04B35/622 , C04B2235/5436 , C04B2235/602
Abstract: 本发明公开了一种组织均匀的高致密ITO靶材的制备方法，将粒径20～70nm，纯度≥99.99％的ITO(In2O3:SnO2＝9:1，wt％)经过干法制粒机，制成15-20um左右大小的蓬松颗粒；再将经过制粒的蓬松ITO颗粒填装在模具中并放置于冷静压下，调节油压机的压力，将模具内部压强分别设置为400MPa、600MPa、800MPa、1000MPa、1200MPa和1500MPa；引入功率P＝3Kw的超声震荡和冷静压双重作用下成型致密度高达62.2±0.2％的素坯样品。
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公开(公告)号：CN108947536A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810741507.0
申请日：2018-07-05
Applicant: 重庆文理学院
IPC: C04B35/563
CPC classification number: C04B35/563 , C04B2235/404 , C04B2235/608
Abstract: 本发明公开了一种强超声辅助法制备组织均匀的高致密B‑Ti‑C体系陶瓷，致密度为91.3±0.3％，所述陶瓷主要制备方法是将粒径为50nm，纯度≥99.99％的Ti粉加入粒径为50nm，纯度≥99.7％的B4C粉中(B4C:Ti＝95:5，wt％)经过干法制粒机，制成15‑20um左右大小的蓬松颗粒。再将经过制粒的蓬松ITO颗粒填装在模具中并放置于冷静压下，调节油压机的压力，将模具内部压强分别设置为400MPa、600MPa、800MPa、1000MPa、1200MPa和1500MPa。引入功率P＝3Kw的超声震荡下成型致密度高达53.4±0.2％的素坯样品。最后，在2100℃的温度下烧结2.5h，即制备出该陶瓷。该方法制备出的B‑Ti‑C体系陶瓷，微观组织均匀、晶粒细小，提高了陶瓷的使用价值。
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公开(公告)号：CN108376587A
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201810188525.0
申请日：2018-03-07
Applicant: 重庆文理学院
IPC: H01B13/00
CPC classification number: H01B13/0026
Abstract: 一种高性能稳定铜纳米线柔性透明导电薄膜的制备方法，它包括铜纳米线的制备、CuNWsTCF-1的制备、CuNWsTCF-2的制备、CuNWsTCF-3的制备等步骤制得。本发明一种高性能稳定铜纳米线柔性透明导电薄膜，产品制备过程铜线不会出现聚集现象，薄膜表面不会出现颗粒，制备过程也不会出现熔断的情况，也不会出现变黄变绿的现象，成品透过率高，导电性能优异，其透过率高达86%以上，方阻低于25Ω/sq，用于制备显示设备，其触摸屏的视觉效果好，呈现的画面都是更有层次感更高清细腻的画质，色彩看起来比较自然真实，而且透过率高对眼睛的伤害也比较小，成品稳定性好，在常规环境以及恶劣环境均能较好保存，制备方法简单可行，制得市场推广应用。
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