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公开(公告)号：CN106129107A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610522196.X
申请日：2016-07-01
Applicant: 电子科技大学 , 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/861
Abstract: 本发明提供一种半导体结构、半导体组件及功率半导体器件，半导体结构包括：P型半导体材料层；N型半导体材料层，与所述P型半导体材料层相邻接，与所述P型半导体材料层共同形成PN结；多层绝缘材料层，位于所述PN结的外侧，且沿所述P型半导体材料层与所述N型半导体材料层叠置的方向分布，相邻所述绝缘材料层的相对介电常数不同。本发明的半导体结构显著优化了器件耐压时的电场分布，大幅提高了器件的击穿电压；避免了结边缘电场集中效应而导致的器件耐压下降，防止了器件提前击穿；本发明避免使用场环和金属场板结构，从而减小了芯片面积，降低了器件的成本，提高了器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN106098565A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610516692.4
申请日：2016-07-04
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/495
CPC classification number: H01L2224/37124 , H01L2224/40245 , H01L2224/48247 , H01L2224/83801 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L21/4842 , H01L21/4825 , H01L21/4882 , H01L21/56 , H01L23/3114 , H01L23/3677 , H01L23/4952 , H01L23/49537 , H01L23/49555 , H01L23/49568 , H01L23/49579
Abstract: 本发明公开了一种双面散热带引脚薄型扁平封装功率半导体器件的生产方法，包括(1)划片、(2)软焊料上芯、(3)第二管脚与芯片的连接键合、(4)塑封等步骤，在步骤(3)中，采用焊接劈刀在芯片上压出长条形带有菱形花纹的焊接点，将铝带的一端与芯片焊接；再用焊接劈刀在第二管脚上压出长条形带有菱形花纹的焊接点，将铝带的另一端与芯片焊接；铝带除焊接点外，其余部位均向上拱起，铝带向上拱起的高度不超过420um；在步骤(4)中，塑封后，铝带拱起部位的顶面距离塑封料的顶面厚度为100um‑200um。采用双面散热两排内嵌式引脚扁平封装方法，能够迅速将热量传导到器件表面，达到迅速散热从而保护产品的目的。
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公开(公告)号：CN105241540A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510645186.0
申请日：2015-10-08
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: G01H9/00
Abstract: 本发明公开了一种MEMS振幅测量方法，该方法包括步骤：S1，获取一幅MEMS器件的运动模糊图像；S2，在模糊图像中选取感兴趣区；S3，对感兴趣区的模糊图像进行图像处理，具体是通过小波分解，对高频信号进行增强，低频信号进行减弱；S4，将步骤S3中增强变换后的图像进行分形插值；S5，获取分形插值后的感兴趣区域的特征曲线；S6，对S5获得的特征曲线计算其分形维数；S7，根据分形维数与振幅的拟合曲线，利用拟合公式计算出器件的振幅值。本发明可以获得亚像素级的MEMS器件振幅测量精度。
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公开(公告)号：CN102767764B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201210266023.8
申请日：2012-07-30
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: F21S8/00 , F21V19/00 , F21W131/101 , F21Y101/02
Abstract: 本发明公开了一种用于隧道照明的LED灯及其安装方法，该灯具包括灯架、内置电源、LED发光件和灯罩，内置电源和LED发光件安装在灯架内，灯罩罩在灯架上，其特征在于：所述LED发光件为一块安装有LED灯珠阵列的折形发光板。安装时利用膨胀螺栓将轨道横向固定在隧道两边的墙壁上，将LED灯的弹簧卡子卡接在轨道内，通过滑行弹簧卡子调节相邻两个LED灯的距离来改变隧道内部的照明强度。其显著效果是：结构简单，安装和维护方便，通过设计两个方向投射的灯光，解决了隧道内炫光问题，同时改变了灯具的安装高度，降低光照强度，节约能耗。
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公开(公告)号：CN102527654B
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201110453140.0
申请日：2011-12-30
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种自动定量喷淋机及方法，涉及一种喷淋清洗设备，包括电源模块和蓄液箱，所述蓄液箱通过第一电磁阀与第一导流管道连接；所述第一电磁阀的控制端与控制器的第一输出端连接；所述第一导流管道的管口下方设有送液槽；所述送液槽通过第二电磁阀与第二导流管道连接；所述第二电磁阀的控制端与所述控制器的第二输出端连接；所述送液槽上还设置有光电液位传感器；所述光电液位传感器的输出端与所述控制器的第一输入端连接；所述电源模块向所述第一电磁阀、第二电磁阀、控制器供电，本发明能够控制送液装置内的液体量，有效的减少了冲洗液体的浪费，节约了清洗成本，并且实现了自动化控制，极大的提高了效率并减小了工作量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102393498B
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201110413452.9
申请日：2011-12-13
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于防止二极管反向的测试装置，包括第一测试端和第二测试端，在第一测试端和第二测试端之间搭接被测二极管，其特征在于：还包括继电器、报警器以及复位开关，其中继电器设置有常开开关、第一常闭开关和第二常闭开关；常开开关的一端与电源正极和第一测试端连接，常开开关的另一端与继电器的输入端和第二测试端连接，继电器的输出端与所述报警器的一端连接，该报警器的另一端串复位开关后与电源负极相连。其显著效果是：电路结构简单，实施方便，可以自动测试生产线上的反向材料，防止反向二极管流入成品中，测试时对元件定位要求也不高，有效提高了产品质量，增强产品质量的可靠性。
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公开(公告)号：CN103021886A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210541589.7
申请日：2012-12-14
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L21/56
CPC classification number: H01L2224/743
Abstract: 本发明公开了一种贴面封装二极管焊接工艺，其点胶、上芯和焊接流程采用以下方法：对多排下料片进行同时点胶，再完成上芯，然后把已经上芯的下料片放在焊接盘上；与此同时，对多排上料片进行同时点胶，点胶完成后，再将上料片放到焊接盘上的下料片上与芯片对应定位，然后盖上焊接盘盖，入焊接炉进行焊接。本发明还公开了一种多点点胶工装，包括用于盛装胶料的胶罐、用于输送胶料的胶管和多个用于挤出胶料的点胶针筒。本发明还公开了一种多点上芯工装，包括用于形成负压的负压罐、用于传递负压的负压管和多个用于吸附芯片的上芯针筒。本发明通过多点点胶工艺及工装、多点上芯工艺及工装，显著提高了贴面封装二极管焊接效率，可达12.5k/h.人以上。
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公开(公告)号：CN102527644A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110453129.4
申请日：2011-12-30
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: B07C5/08
Abstract: 本发明公开了一种轴向二极管分离装置，属于分离装置领域，包括基板，所述基板上设置有第一支撑座、限位固定座和两条平行的输送链条，所述第一支撑座上设有固定块，所述固定块与检测片连接，所述检测片通过拉簧与所述固定块连接，所述固定块上设置有位移检测器，所述位移检测器与所述气缸的电磁阀连接，所述气缸上设有两块平行的排料块，所述限位固定座的出料端设有凹槽，所述排料块伸入所述限位固定座的凹槽，本发明能够大大提高分离效率，由于不需要人工操作，节约了人力，由于采用位移检测器能够准确检测检测片是否发生位移，能够有效保证不良轴向二极管被分离出去。
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公开(公告)号：CN107275274B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN201710626741.4
申请日：2017-07-27
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/48
Abstract: 本发明公开了一种二极管自动送料机构，包括导料槽、送料拨杆、拨杆驱动电机和拨料传动机构，导料槽用于叠放二极管料带，送料拨杆为水平杆，且水平杆的顶部前后间隔设置有能卡入二极管料带相邻二极管单元之间的拨齿，送料拨杆向后运动时，拨齿向上伸入导轨内并卡入二极管料带的相邻单元之间带动二极管料带向后运动，送料拨杆向前运动时，拨齿向下退出导轨并脱离二极管料带的上一个卡接点，如此往复实现接力方式推送二极管料带。该机构与打扁、切筋整形集成到一台设备上，只需要一个人把未打扁的产品放到设备的导料槽后，无需人员看守，设备自动进料、打扁、切筋整形，节约了人力成本，减少了能耗，大大提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN109830440A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201910068469.1
申请日：2019-01-24
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 , 嘉兴奥罗拉电子科技有限公司 , 浙江清华长三角研究院
IPC: H01L21/336 , H01L21/285 , H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体器件及其制造方法，先在硅衬底表面用高温过程形成体区、源区，并在栅氧化层形成前先在硅衬底表面形成氮氧化硅层，形成氮氧化硅-硅界面，能够减少氧化层缺陷、界面陷阱，降低器件在辐射条件下失效的几率，提高形成的半导体器件抗辐射总剂量效应的性能。
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