公开(公告)号：CN106098565A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610516692.4

申请日：2016-07-04

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 马红强 ,  李述洲 ,  徐向涛 ,  张成方 ,  王强 ,  王兴龙

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L23/495

CPC classification number: H01L2224/37124 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L21/4842 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/4882 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49555 ,  H01L23/49568 ,  H01L23/49579

Abstract: 本发明公开了一种双面散热带引脚薄型扁平封装功率半导体器件的生产方法，包括(1)划片、(2)软焊料上芯、(3)第二管脚与芯片的连接键合、(4)塑封等步骤，在步骤(3)中，采用焊接劈刀在芯片上压出长条形带有菱形花纹的焊接点，将铝带的一端与芯片焊接；再用焊接劈刀在第二管脚上压出长条形带有菱形花纹的焊接点，将铝带的另一端与芯片焊接；铝带除焊接点外，其余部位均向上拱起，铝带向上拱起的高度不超过420um；在步骤(4)中，塑封后，铝带拱起部位的顶面距离塑封料的顶面厚度为100um‑200um。采用双面散热两排内嵌式引脚扁平封装方法，能够迅速将热量传导到器件表面，达到迅速散热从而保护产品的目的。

公开(公告)号：CN104916737A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201410745589.8

申请日：2014-12-09

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 徐向涛 ,  王兴龙 ,  张成方

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L31/048

Abstract: 本发明公开了一种新型光伏旁路模块的封装工艺，包括以下步骤：使用软焊料工艺对MOSFET进行粘片，使用超声波压焊工艺对MOSFET进行粗铝丝压焊；使用点胶工艺对智能控制电路芯片和电容进行粘片，粘片后进行高温氮气烘烤固化；使用金丝压焊工艺对智能控制电路芯片、电容和MOSFET进行连接；使用低应力、高导热的塑封材料进行塑封，然后烘烤固化；烘烤固化后进行去溢料、电镀、切筋分粒、测试并进行包装，完成所述光伏旁路模块的封装。本发明通过对封装工艺优化，有效降低了MOSFET的导通电阻，提高了抗浪涌电流冲击能力，降低了压焊金丝的成本，提高了光伏旁路模块的导热性能，使光伏旁路模块能够满足太阳能接线盒内使用的要求。

公开(公告)号：CN118951476A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202411113336.9

申请日：2024-08-14

Applicant: 重庆理工大学 ,  重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 杨栋华 ,  胡凯伦 ,  李涛 ,  郭磊 ,  甘贵生 ,  徐向涛 ,  夏大权 ,  闫瑞东

IPC: B23K35/26 ,  B23K35/40

Abstract: 本发明涉及一种用于芯片互连的全IMC相Sn‑Bi‑In‑Ag‑Zn高熵低温焊料及其制备方法及其制备方法，属于电子封装材料技术领域。该焊料成分按原子百分比计为25％‑35％的锡、21％‑35％铋、25％‑35％的铟、5％的银及5％‑10％的锌，通过感应熔炼实现焊料的制备。本发明所述的封装用Sn‑Bi‑In‑Ag‑Zn全IMC相高熵低温焊料，所有物相均为IMC相，分别为InSn4‑γ、InBi相及AgZn相，其中InSn4‑γ相类似于固溶体，铋原子在其中高度固溶，具有高混合熵。其熔点

公开(公告)号：CN117790568A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202311738372.X

申请日：2023-12-15

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 ,  重庆溢哲渝科技有限公司 ,  重庆大学

Inventor： 徐向涛 ,  陈文锁 ,  黄嘉伟文 ,  许豪杰 ,  张成方 ,  王航 ,  张力

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本申请涉及功率半导体电力电子器件技术领域，提供一种具有组合沟道的鳍型场效应晶体管，包括：漏极金属层；衬底层设置于漏极金属层上方；鳍型漂移层设置于衬底层背离漏极金属层一侧，且鳍型漂移层的凸出部远离衬底层；第一导电层的第一部分设置于鳍型漂移层上，第一导电层的第二部分覆盖凸出部的两个侧壁；屏蔽层设置于第一导电层的第一部分远离侧壁一端中；栅氧介质层的第一部分设置于屏蔽层和第一导电层的第一部分上，栅氧介质层的第二部分覆盖第一导电层的第二部分并与侧壁接触；栅金属层覆盖栅氧介质层；钝化层覆盖栅金属层；第二导电层设置于凸出部顶端；源极金属层设置于第二导电层上且通过钝化层与第一导电层、栅氧介质层、栅金属层分隔。

公开(公告)号：CN117374037A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202311333450.8

申请日：2023-10-13

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 闫瑞东 ,  夏大权 ,  徐向涛 ,  马红强 ,  朱海燕 ,  杨鹏

IPC: H01L23/495 ,  H01L25/18 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明提供一种PFC模块及封装方法，属于半导体封装技术领域。本发明引线框架包括多个框架单元，每个所述框架单元包括阳极引脚和位于所述阳极引脚上的基岛；MOS芯片设置在所述基岛上，并与所述引线框架键合；DBC基板设置在所述基岛上并位于所述MOS芯片的一侧，且与所述引线框架键合；GPP芯片设置在所述DBC基板上，并分别与所述阳极引脚和所述引线框架键合；封装体将所述MOS芯片、所述DBC基板和所述GPP芯片封装在框架单元。本发明通过将MOS芯片与GPP芯片集成到同一框架单元上，使得MOS芯片与GPP芯片的参数一致性好，降低寄生电感、减少信号波动和信号损失，提高整体电路相应速度，同时简化了电路的设计，降低了产品的封装难度，也减小了体积，降低了生产成本。

公开(公告)号：CN117352558A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202311407858.5

申请日：2023-10-26

Applicant: 重庆大学 ,  重庆溢哲渝科技有限公司 ,  重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 陈文锁 ,  黄嘉伟文 ,  许豪杰 ,  徐向涛 ,  张澳航 ,  张成方 ,  王航 ,  张力

IPC: H01L29/80 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/24 ,  H01L29/267

Abstract: 本申请提供一种鳍型异质结型场效应晶体管，包括：第一导电类型衬底层；漏电极金属层；第一导电类型漂移层设置于第一导电类型衬底层背离漏电极金属层的一侧，第一导电类型漂移层远离第一导电类型衬底层的一侧平面设置有凸出部以形成鳍型结构；厚氧化物屏蔽层设置于第一导电类型漂移层远离第一导电类型衬底层的一侧；第二导电类型导电层设置于厚氧化物屏蔽层背离第一导电类型漂移层的一侧；栅金属层，其设置于第二导电类型导电层背离第一导电类型漂移层的一侧；钝化层设置于栅金属层背离第二导电类型导电层的一侧；第一导电类型介质层设置于凸出部远离第一导电类型衬底层的一侧；源极金属层设置于第一导电类型介质层背离凸出部的一侧。

公开(公告)号：CN117352541A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202311407846.2

申请日：2023-10-26

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 ,  重庆溢哲渝科技有限公司 ,  重庆大学

Inventor： 徐向涛 ,  陈文锁 ,  许豪杰 ,  俞齐声 ,  张成方 ,  王航 ,  张力

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 本申请涉及功率半导体电力电子器件技术领域，提供了一种注入增强型快速薄顶层硅横向绝缘栅双极型晶体管，包括：衬底层；基区，设置于衬底层上；漂移区，相邻基区设置于衬底层上；缓冲区，相邻漂移区设置于衬底层上；高阻区，相邻缓冲区设置于衬底层上；发射区，设置于基区背离衬底层的一侧；栅极区，设置于基区上；集电区，设置于缓冲区背离衬底层的一侧，集电区与高阻区接触。非平衡电子从发射区向集电区方向运动，并以直接导通的方式通过缓冲区和高阻区而被集电区收集，相较于IE‑LIGBT，本发明的电流拖尾现象基本得到消除，提高了关断速度，减小了关断损耗。

公开(公告)号：CN116960189A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202310821634.2

申请日：2023-07-05

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 ,  重庆大学

Inventor： 徐向涛 ,  张澳航 ,  张成方 ,  陈文锁 ,  王航 ,  张力

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06

Abstract: 本申请提供一种高效肖特基接触超势垒整流器包括：第一导电类型衬底层；第一导电类型漂移区，其设置于所述第一导电类型衬底层的一侧；第二导电类型柱状区，其与第一导电类型漂移区并排设置于基底背离所述阴极结构的一侧，其中第一导电类型漂移区与第二导电类型柱状区之间设置有隔离层；第二导电类型体区，其设置于第二导电类型柱状区背离第一导电类型衬底层的一侧，第二导电类型体区完全覆盖第二导电类型柱状区并部分延伸至第一导电类型漂移区；阳极结构，分别接触第二导电类型体区和第一导电类型漂移区；其中，在反向工作状态时，通过第二导电类型柱状区调节整流器内部的电场分布，使得器件的反向击穿电压升高。

公开(公告)号：CN112885804B

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202110250762.7

申请日：2021-03-08

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 夏大权 ,  马红强 ,  徐向涛 ,  周玉凤 ,  王兴龙 ,  李述洲

IPC: H01L23/495 ,  H01L25/16 ,  H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H02S40/34 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明提供了一种贴片式光伏旁路模块及其封装工艺，在本发明提供的贴片式光伏旁路模块中，相较于传统的铝丝、金丝等丝线的电气连接，基于较宽的导电条带的电气连接，降低了MOSFET芯片的漏源导通电阻，减少了导通损耗，并提高了MOSFET芯片的抗浪涌电流冲击能力，同时还降低了整个光伏旁路模块的热阻，提高了其导热能力；对应的引线框架为薄片状结构设计，适合目前小型化、扁平化的封装；基于引线框架的结构设计和塑封工艺，封装后的贴片式光伏旁路模块的背部散热面积大，主要的冷却路径是通过MOSFET裸露的金属焊盘到第一框架，提高了封装后的散热能力；且选用的塑封料为低应力、低翘曲、低吸水率的环保型塑封料，完全满足光伏旁路模块的高可靠性要求。

公开(公告)号：CN119216710A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202411379976.4

申请日：2024-09-30

Applicant: 重庆理工大学 ,  重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 甘贵生 ,  张嘉竣 ,  马勇冲 ,  朱俊雄 ,  窦俊峰 ,  谢道春 ,  李方樑 ,  杨栋华 ,  徐向涛 ,  夏大权

IPC: B23K3/08

Abstract: 一种镀镍层合金软钎焊预涂覆用助焊剂，按重量百分数计组分包括：松香10％～50％，有机酸1.0％‑10％，有机胺2.0％‑4.0％，无机金属盐0.5％‑2％，活性增强剂0.5％‑2.0％，表面活性剂0.5％‑2.0％，缓蚀剂0.5％‑2.0％，添加剂0.1％～2.0％，余下为溶剂；其涂覆方法的步骤包括：将按照原组分材料配置助焊剂水浴恒温，将焊片平铺在聚四氟乙烯塑料板上90℃～100℃预热半分钟，滴加适当恒温预涂覆用助焊剂溶液于焊片上，涂刷均匀后加热烘干，烘干后冷却至室温即得到预涂覆助焊剂成型焊片。本发明解决了现有助焊剂用于预涂覆焊片存在不易涂覆，以及助焊剂涂层相互触压出现黏连、涂覆助焊剂焊片裁切掉粉等问题。本发明的助焊剂焊接时间短、润湿性好、焊后残留易清洗、同时能完成可对镍及镍合金、铝及铝合金等多种金属材料的焊接。