一种Cr掺杂In2S3的中间带材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN111233029B

    公开(公告)日:2022-02-08

    申请号:CN202010164013.8

    申请日:2020-03-11

    Abstract: 本发明公开了一种Cr掺杂In2S3的中间带材料的制备方法。首先称取In2S3和Cr2S3粉末样品放入球磨罐中;然后球磨罐中加入无水乙醇,密封球磨罐,然后将球磨罐放入球磨机中球磨;再将球磨后的样品取出放入离心管中做离心处理,将离心后的样品中的上层无水乙醇倒出,然后干燥,然后取出,手工研磨,然后放入退火炉中退火,退火后得到Cr‑In2S3中间带材料。本发明的Cr掺杂In2S3的中间带材料的制备方法,其制备方法简单,采用球磨法结合退火处理制备了Cr‑In2S3光吸收层材料,结构中各个元素符合化学计量比,组成元素分布均匀,其光反射强度低,从而导致光吸收强度强,而且能够吸收红外区的光生载流子,降低光生电子‑空穴对复合。

    一种Cr掺杂ZnS的中间带薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN111254402A

    公开(公告)日:2020-06-09

    申请号:CN202010164031.6

    申请日:2020-03-11

    Abstract: 本发明公开了一种Cr掺杂ZnS的中间带薄膜及其制备方法,制备方法首先清洗钠钙玻璃衬底,然后将ZnS靶材与Cr2S3靶材分别安装在磁控溅射仪的靶位上,再将清洗干净的钠钙玻璃衬底固定在载物台上,抽真空,然后依次交替溅射ZnS和Cr2S3,在钠钙玻璃衬底上沉积Cr-ZnS得到层叠膜,最后将所述层叠膜放入退火炉中退火,最终得到Cr-ZnS中间带薄膜。本发明的Cr掺杂ZnS的中间带薄膜的制备方法,采用交替磁控溅射法结合保护气氛下退火处理制备出的Cr-ZnS薄膜,其具有闪锌矿与纤锌矿相混合的结构,在其UV-vis-NIR光吸收谱中,位于650nm和459nm附近,具有两个额外吸收峰出现,表明在原能带结构中有中间带形成,导致光吸收系数的增加,光吸收强度提高,进一步为Cr-ZnS中间带薄膜太阳电池的制备提供指导方向。

    宽频带电网谐波追踪抑制方法
    15.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119341004A

    公开(公告)日:2025-01-21

    申请号:CN202411895947.3

    申请日:2024-12-23

    Abstract: 本发明公开了一种宽频带电网谐波追踪抑制方法,其将自适应锁相环模块应用于级联双二阶广义积分器中,构建自适应级联双二阶广义积分器锁相环模型;将宽频带电网电压输入自适应级联双二阶广义积分器锁相环模型,基于宽频带电网电压的基波频率对自适应锁相环模块中的参数进行实时修正,自适应改变锁相环的带宽,得到跟随宽频带电网频率变化的电网自适应频率;基于电网自适应频率,自适应级联双二阶广义积分器锁相环模型自宽频带电网电压的谐波中提取出随宽频带电网频率变化的谐波频率的正交分量及正负序分量,通过将提取出的正交分量反馈给谐波相减模块对宽频带电网电压中的谐波进行抑制,实现较好的谐波提取抑制效果。

    一种风光储直流微电网的协调控制策略

    公开(公告)号:CN118659335A

    公开(公告)日:2024-09-17

    申请号:CN202411151746.2

    申请日:2024-08-21

    Abstract: 本发明提供了一种风光储直流微电网的协调控制策略,所属电网控制技术领域,包括S1:分别对并网自由模式下直流微电网的运行模式和并网调度模式下直流微电网的运行模式进行分析;S2:建立并网运行的直流微网控制模型,所述并网运行的直流微网控制模型包括光伏发电系统控制模型、风力发电系统控制模型、储能系统控制模型、并网变换器控制模型、微网内负载管理控制模型和并网运行直流微电网的能量协调控制模型;S3:建立并网运行风光储直流微电网的仿真模型。该申请通过MPPT和LPTC控制模式的应用,光伏发电系统和风力发电系统可以根据实际工作条件调整功率输出,优化能源利用。

    过渡金属元素掺杂CuGaS2的中间带薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN111341664B

    公开(公告)日:2022-09-20

    申请号:CN202010164015.7

    申请日:2020-03-11

    Abstract: 本发明公开了一种过渡金属元素掺杂CuGaS2的中间带薄膜及其制备方法,制备方法首先清洗钠钙玻璃衬底,再将CuGaS2靶材与过渡金属元素靶材分别安装在磁控溅射仪的靶位上;然后将钠钙玻璃衬底固定在载物台上抽真空;在溅射介质Ar流量为30sccm、工作压力为0.6Pa的条件下依次交替溅射CuGaS2和过渡金属元素靶材,在一定温度的钠钙玻璃衬底上沉积X‑CuGaS2得到层叠膜,其中X表示过渡金属元素;最后将所述层叠膜放入退火炉中退火,最终得到X‑CuGaS2中间带薄膜。本发明的过渡金属元素掺杂CuGaS2的中间带薄膜的制备方法,采用交替磁控溅射法结合保护气氛下退火处理得到纯黄铜矿结构X‑CuGaS2中间带薄膜,组成元素及薄膜表面晶体颗粒尺寸分布均匀,有杂质带形成,从而提高了光吸收强度。

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