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公开(公告)号:CN119108614A
公开(公告)日:2024-12-10
申请号:CN202411093007.2
申请日:2024-08-09
Applicant: 鄂尔多斯应用技术学院 , 内蒙古大学
IPC: H01M10/0562 , H01M10/058 , C04B35/50 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开的一种BaZr0.1Ce0.7Y0.2O3‑δ‑SnO2基复合电解质材料及半导体离子燃料电池;属于固体氧化物燃料电池技术领域;其中,复合电解质材料作为半导体离子燃料电池的电解质,所述复合电解质材料由BaZr0.1Ce0.7Y0.2O3‑δ(BZCY)和SnO2混合得到,BZCY和SnO2的质量比为6~9:1~4。本发明结合了BZCY的质子传导特性,并利用宽带隙N型半导体SnO2、NCAL‑BZCY‑SnO2基电解质复合材料的协同效应可以降低Li2CO3/LiOH的熔点温度,使得在350℃的低温下,燃料电池的MPD也达到了92.19 mW/cm2,有利于燃料电池的低温化发展。
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公开(公告)号:CN119081686A
公开(公告)日:2024-12-06
申请号:CN202411028177.2
申请日:2024-07-30
Applicant: 鄂尔多斯应用技术学院 , 内蒙古大学
Abstract: 本发明公开了一种CuGaS2量子点的制备方法,包括以下步骤:将铜源、镓源、十八烯、油胺混合后,在保护性气体下升温至95~100℃,保温4~6min;加入硫前驱体溶液,升温至180~260℃,反应25~30min;淬冷,纯化。本发明制得的CuGaS2量子点具有黄铜矿结构,粒径分布均匀,具有更好的晶体质量、更少的缺陷态和更低的光生电子‑空穴对复合率,用作处理水污染的光催化剂,能够有效降解有机污染物。
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公开(公告)号:CN111233029B
公开(公告)日:2022-02-08
申请号:CN202010164013.8
申请日:2020-03-11
Applicant: 鄂尔多斯应用技术学院
IPC: C01G15/00 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种Cr掺杂In2S3的中间带材料的制备方法。首先称取In2S3和Cr2S3粉末样品放入球磨罐中;然后球磨罐中加入无水乙醇,密封球磨罐,然后将球磨罐放入球磨机中球磨;再将球磨后的样品取出放入离心管中做离心处理,将离心后的样品中的上层无水乙醇倒出,然后干燥,然后取出,手工研磨,然后放入退火炉中退火,退火后得到Cr‑In2S3中间带材料。本发明的Cr掺杂In2S3的中间带材料的制备方法,其制备方法简单,采用球磨法结合退火处理制备了Cr‑In2S3光吸收层材料,结构中各个元素符合化学计量比,组成元素分布均匀,其光反射强度低,从而导致光吸收强度强,而且能够吸收红外区的光生载流子,降低光生电子‑空穴对复合。
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公开(公告)号:CN111254402A
公开(公告)日:2020-06-09
申请号:CN202010164031.6
申请日:2020-03-11
Applicant: 鄂尔多斯应用技术学院
Abstract: 本发明公开了一种Cr掺杂ZnS的中间带薄膜及其制备方法,制备方法首先清洗钠钙玻璃衬底,然后将ZnS靶材与Cr2S3靶材分别安装在磁控溅射仪的靶位上,再将清洗干净的钠钙玻璃衬底固定在载物台上,抽真空,然后依次交替溅射ZnS和Cr2S3,在钠钙玻璃衬底上沉积Cr-ZnS得到层叠膜,最后将所述层叠膜放入退火炉中退火,最终得到Cr-ZnS中间带薄膜。本发明的Cr掺杂ZnS的中间带薄膜的制备方法,采用交替磁控溅射法结合保护气氛下退火处理制备出的Cr-ZnS薄膜,其具有闪锌矿与纤锌矿相混合的结构,在其UV-vis-NIR光吸收谱中,位于650nm和459nm附近,具有两个额外吸收峰出现,表明在原能带结构中有中间带形成,导致光吸收系数的增加,光吸收强度提高,进一步为Cr-ZnS中间带薄膜太阳电池的制备提供指导方向。
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公开(公告)号:CN119341004A
公开(公告)日:2025-01-21
申请号:CN202411895947.3
申请日:2024-12-23
Applicant: 鄂尔多斯应用技术学院
Abstract: 本发明公开了一种宽频带电网谐波追踪抑制方法,其将自适应锁相环模块应用于级联双二阶广义积分器中,构建自适应级联双二阶广义积分器锁相环模型;将宽频带电网电压输入自适应级联双二阶广义积分器锁相环模型,基于宽频带电网电压的基波频率对自适应锁相环模块中的参数进行实时修正,自适应改变锁相环的带宽,得到跟随宽频带电网频率变化的电网自适应频率;基于电网自适应频率,自适应级联双二阶广义积分器锁相环模型自宽频带电网电压的谐波中提取出随宽频带电网频率变化的谐波频率的正交分量及正负序分量,通过将提取出的正交分量反馈给谐波相减模块对宽频带电网电压中的谐波进行抑制,实现较好的谐波提取抑制效果。
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公开(公告)号:CN119133540A
公开(公告)日:2024-12-13
申请号:CN202411092998.2
申请日:2024-08-09
Applicant: 鄂尔多斯应用技术学院 , 内蒙古大学
IPC: H01M8/1016 , C01F17/235 , C01F17/10 , C01F17/34 , H01M8/1069
Abstract: 本发明公开了一种LDC‑ LaAlO3复合电解质材料及其制备方法和半导体离子燃料电池;属于固体氧化物燃料电池技术领域;复合电解质材料作为半导体离子燃料电池的电解质,复合电解质材料由用LDC和LAO3混合得到,LDC为La3+掺杂CeO2,LAO3为LaAlO3,LDC和LAO3混合质量比为5~9:1~5。本发明中通过固相法合成了LDC‑LaAlO3复合电解质,通过超宽禁带氧化物LAO3与LDC的复合可以增大燃料电池的开路电压并加快离子传输速率,显著提升燃料电池的工作效率。这表明构建的LDC‑LaAlO3异质结构电解质在LT‑SOFC中具有十分有益的性能,在SOFC商业化中具有广阔的应用潜力。
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公开(公告)号:CN119133278A
公开(公告)日:2024-12-13
申请号:CN202411147508.4
申请日:2024-08-21
Applicant: 鄂尔多斯应用技术学院 , 内蒙古大学
IPC: H01L31/0296 , H01L31/0392 , H01L31/075
Abstract: 本发明提供一种薄膜太阳能电池窗口层材料,该窗口层材料通过溶胶凝胶法制备的ZnO材料,所述溶胶凝胶法制备的ZnO材料由Zn2+的羧酸盐或Mg2+掺杂的Zn2+的羧酸盐溶液经热处理得到,窗口层材料具有不小于3.3eV的带隙。本发明进一步提供一种由该材料制备得到的窗口层薄膜,具有40~80nm的厚度,在400~800nm波长波段具有不小于90%的光透射率。本发明在保证性能的前提下极大地降低真空设备及其制备的成本,当存在微量Mg掺入ZnO‑SG窗口层有效降低了电池前界面处的载流子复合,提高了光电转换效率。
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公开(公告)号:CN119080054A
公开(公告)日:2024-12-06
申请号:CN202411028163.0
申请日:2024-07-30
Applicant: 鄂尔多斯应用技术学院 , 内蒙古大学
Abstract: 本发明公开一种ZnCuInSexS2‑x或ZnSnyCuInS2量子点、组合物及其制备方法,属于量子点技术领域。该ZnCuInSexS2‑x或者ZnSnyCuInS2量子点的制备方法,包括:将Zn源前驱体溶液、In(OAc)3、CuI、油胺和十八烯混合,抽真空加热至55‑65℃,温度升至160‑170℃时注入Se/S离子混合物或者Sn/S离子混合物进行反应,之后降温到80‑90℃后加入石油醚得到ZnCuInSexS2‑x量子点或者ZnSnyCuInS2量子点。本发明还包括上述制备方法制得的量子点。本发明还提出一种组合物,包括上述两种量子点。本发明的制备方法制得的量子点的带隙窄。
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公开(公告)号:CN118659335A
公开(公告)日:2024-09-17
申请号:CN202411151746.2
申请日:2024-08-21
Applicant: 鄂尔多斯应用技术学院
IPC: H02J1/10 , H02J1/14 , G06Q10/0631 , G06Q50/06 , G05F1/67
Abstract: 本发明提供了一种风光储直流微电网的协调控制策略,所属电网控制技术领域,包括S1:分别对并网自由模式下直流微电网的运行模式和并网调度模式下直流微电网的运行模式进行分析;S2:建立并网运行的直流微网控制模型,所述并网运行的直流微网控制模型包括光伏发电系统控制模型、风力发电系统控制模型、储能系统控制模型、并网变换器控制模型、微网内负载管理控制模型和并网运行直流微电网的能量协调控制模型;S3:建立并网运行风光储直流微电网的仿真模型。该申请通过MPPT和LPTC控制模式的应用,光伏发电系统和风力发电系统可以根据实际工作条件调整功率输出,优化能源利用。
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公开(公告)号:CN111341664B
公开(公告)日:2022-09-20
申请号:CN202010164015.7
申请日:2020-03-11
Applicant: 鄂尔多斯应用技术学院
IPC: H01L21/363 , H01L31/18 , H01L31/032
Abstract: 本发明公开了一种过渡金属元素掺杂CuGaS2的中间带薄膜及其制备方法,制备方法首先清洗钠钙玻璃衬底,再将CuGaS2靶材与过渡金属元素靶材分别安装在磁控溅射仪的靶位上;然后将钠钙玻璃衬底固定在载物台上抽真空;在溅射介质Ar流量为30sccm、工作压力为0.6Pa的条件下依次交替溅射CuGaS2和过渡金属元素靶材,在一定温度的钠钙玻璃衬底上沉积X‑CuGaS2得到层叠膜,其中X表示过渡金属元素;最后将所述层叠膜放入退火炉中退火,最终得到X‑CuGaS2中间带薄膜。本发明的过渡金属元素掺杂CuGaS2的中间带薄膜的制备方法,采用交替磁控溅射法结合保护气氛下退火处理得到纯黄铜矿结构X‑CuGaS2中间带薄膜,组成元素及薄膜表面晶体颗粒尺寸分布均匀,有杂质带形成,从而提高了光吸收强度。
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