公开(公告)号：CN117921021A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202311669336.2

申请日：2023-12-07

Applicant: 贵研铂业股份有限公司 ,  云南贵金属实验室有限公司

Inventor： 普志辉 ,  巢云秀 ,  刘子其 ,  王传军 ,  闻明 ,  周利民 ,  施晨琦 ,  李治东 ,  刘牛 ,  朱武勋

IPC: B22F9/30 ,  B22F1/142 ,  B22F1/145 ,  C22B11/02 ,  C22B11/00 ,  C22B7/00

Abstract: 本发明公开了一种从铱残靶及其机加工废料中回收制备高纯铱粉的方法，包括如下步骤：(1)铱残靶及其机加工废料预处理；(2)混碱液化；(3)氧化造液；(4)选择性晶化；(5)热分解+高温氢氛围脱氧；(6)酸煮除杂。通过本发明可实现铱残靶及其机加工废料中回收提纯高纯铱粉，粉末粒径小于5μm，纯度大于99.999％，粉末均匀性较好，可用作信息存储用铱溅射靶材原料。

公开(公告)号：CN117733168A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202311669319.9

申请日：2023-12-07

Applicant: 云南贵金属实验室有限公司 ,  贵研铂业股份有限公司

Inventor： 巢云秀 ,  陈大钊 ,  刘子其 ,  闻明 ,  周利民 ,  李思勰 ,  普志辉 ,  黄通 ,  何云帅 ,  朱武勋

IPC: B22F9/24 ,  B22F1/145 ,  B22F1/142 ,  C22B7/00 ,  C22B11/00 ,  B22F1/065

Abstract: 本发明公开了一种从玫瑰金残靶及其镀件废料回收制备高纯金粉的方法，包括如下步骤：(1)玫瑰金残靶及其镀件废料预处理；(2)造液；(3)金选择性还原；(4)酸洗除杂；(5)煅烧。通过本发明可实现玫瑰金残靶及其镀件废料中回收制备高纯金粉，金的直收率＞99.5％，本发明的工艺流程简单，粉末形貌为球形，粉末粒径小于5μm，纯度大于99.999％，可用作电子行业用高纯金及其合金靶材原料。

公开(公告)号：CN115533447A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202211044447.X

申请日：2022-08-30

Applicant: 贵研铂业股份有限公司

Inventor： 沈月 ,  陈天天 ,  闻明 ,  王传军 ,  许彦亭 ,  周利民 ,  李思勰 ,  巢云秀 ,  李治东

IPC: B23P15/00 ,  B21B1/38 ,  C23C14/35 ,  B22D11/04 ,  C22F1/08 ,  C22F1/02

Abstract: 本发明公开了一种磁控溅射铜靶材的制备方法以及靶材的应用，所制备的铜靶材平均晶粒尺寸≤1μm，且分布均匀、取向分布趋于一致。制备步骤包括：将纯度≥4N的铜原料依次进行1)连续铸造；2)坯料切割；3)异径异步叠轧；4)同径同步轧制；5)热处理，制得高纯铜靶材。该方法工艺简单、易于工业化生产，制备的高纯铜靶材具有晶粒尺寸均匀细小、取向较为一致、靶材尺寸较大等特点，可应用于大规模集成电路互连线的溅射镀膜。

公开(公告)号：CN114318255B

公开(公告)日：2022-09-16

申请号：CN202111500588.3

申请日：2021-12-09

Applicant: 贵研铂业股份有限公司

Inventor： 闻明 ,  管伟明 ,  陈力 ,  王传军 ,  普志辉 ,  杨海 ,  李思勰 ,  许彦亭 ,  沈月 ,  巢云秀

IPC: C23C14/34 ,  C22C19/03 ,  C23C14/16 ,  C23C14/26 ,  C22F1/10 ,  C22C1/06 ,  C22C1/02

Abstract: 本发明公开了一种由易氧化金属镀膜保护制备的高致密NiV合金溅射靶材及其制备方法，所述溅射靶材之基材原料由纯度≥99.99wt％的Ni和V金属组成，其中V：5~8wt％，Ni：92~95wt％；所述基材表面有易氧化金属保护镀膜，其膜层厚度≤5μm；溅射靶材致密度≥99.5%，且表面无肉眼可见的缺陷，氧含量低于30ppm，靶材的晶粒尺寸均匀，其平均晶粒尺寸为10~30μm；所述溅射靶材之表层机加工处理的去除深度≤0.5mm。其制备方法由基材铸锭与清洗处理、基材镀膜、坯材轧制、再结晶处理和机加工处理工艺实现。本发明基于“控氧+优先保护”原理，降低基材氧含量，基材表面优先溅射易氧化金属保护镀层，抑制“夹生”脆性氧化物，提高了靶材优材率，降低了表层去除深度，减少靶材浪费，节约成本。