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公开(公告)号：CN108352456B
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201680056658.1
申请日：2016-09-27
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 多玛果伊·帕维奇科 , 卡斯滕·洛特 , 维金塔斯·扬库什 , 雷吉娜·卢舍蒂尼特兹 , 杰罗姆·加尼耶
IPC: H01L51/52
Abstract: 本发明涉及一种有机电致发光器件，其包含阳极、阴极、发光层、包含第一基质化合物的未掺杂的电子传输层以及包含第二基质化合物和碱金属有机络合物和/或碱金属卤化物的电子注入层，其中所述未掺杂的电子传输层和所述电子注入层布置在所述发光层与阴极之间，其中所述第一基质化合物的还原电势没有9,10‑二(萘‑2‑基)蒽的还原电势这么负，但比4,4’‑双(4,6‑二苯基‑1,3,5‑三嗪‑2‑基)联苯的还原电势更负，其中在两种情况下的所述还原电势是在四氢呋喃中相对于Fc/Fc+测量的；并且所述第一基质化合物的偶极矩被选择为≥0德拜且≤2.5德拜，并且所述第二基质化合物的偶极矩被选择为>2.5德拜且
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公开(公告)号：CN107434813A
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201710196810.2
申请日：2012-11-30
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 欧姆莱恩·法德尔 , 拉莫娜·普雷奇 , 卡斯滕·洛特 , 鲁道夫·莱斯曼 , 弗朗索瓦·卡尔迪纳利
IPC: C07F9/576 , C07F9/6558
Abstract: 本申请涉及显示器。具体地，本申请涉及如下显示器，其包含至少一个有机发光二极管，其中所述至少一个有机发光二极管包含阳极、阴极、在所述阳极和所述阴极之间的发光层和在所述阴极与所述发光层之间的至少一个包含式(I)化合物的层： 其中A1和A2独立地选自卤素，CN，取代或未取代的C1至C20烷基或杂烷基，C6至C20芳基或C5至C20杂芳基，C1至C20烷氧基或C6至C20芳氧基，A3选自取代或未取代的C6至C40芳基或C5至C40杂芳基，m＝0、1或2，n＝0、1或2。
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公开(公告)号：CN107148674A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201580053032.0
申请日：2015-09-30
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Abstract: 一种有源OLED显示器，其包含多个OLED像素，每个所述OLED像素包含阳极、阴极和有机层堆叠物，其中所述有机层堆叠物被提供在所述阴极与所述阳极之间并与二者相接触，并包含电子传输层、空穴传输层和提供在所述空穴传输层与电子传输层之间的发光层，所述显示器还包含驱动电路，其被构造成分开地驱动所述多个OLED像素的像素，其中对于所述多个OLED像素来说，由提供在所述多个OLED像素的有机层堆叠物中的空穴传输层形成共同空穴传输层，所述共同空穴传输层包含空穴传输基质材料和至少一种电子p‑掺杂剂，并且所述空穴传输材料的电导率低于1x10‑3S.m‑1并高于1x10‑8S.m‑1。
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公开(公告)号：CN110869353B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN201880033909.3
申请日：2018-05-18
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 沃洛季米尔·森科维斯基 , 雷吉娜·卢舍蒂尼特兹 , 本杰明·舒尔策 , 卡斯滕·洛特
IPC: C07D239/26 , C07D239/74 , C07D251/14 , C07D403/10 , C07D405/10 , C07D409/14 , C07D417/14 , C07F9/53
Abstract: 本发明涉及一种式1化合物和包含有机半导体层的有机电子器件，其中至少一个有机半导体层包含式(1)化合物，其中L1具有式(2)且L2具有式(3)，其中L1和L2在“*”处通过单键独立地键合至Ar1的同一个或不同的芳亚基或杂芳亚基。
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公开(公告)号：CN108352456A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201680056658.1
申请日：2016-09-27
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 多玛果伊·帕维奇科 , 卡斯滕·洛特 , 维金塔斯·扬库什 , 雷吉娜·卢舍蒂尼特兹 , 杰罗姆·加尼耶
IPC: H01L51/52
Abstract: 本发明涉及一种有机电致发光器件，其包含阳极、阴极、发光层、包含第一基质化合物的未掺杂的电子传输层以及包含第二基质化合物和碱金属有机络合物和/或碱金属卤化物的电子注入层，其中所述未掺杂的电子传输层和所述电子注入层布置在所述发光层与阴极之间，其中所述第一基质化合物的还原电势没有9,10-二(萘-2-基)蒽的还原电势这么负，但比4,4’-双(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)联苯的还原电势更负，其中在两种情况下的所述还原电势是在四氢呋喃中相对于Fc/Fc+测量的；并且所述第一基质化合物的偶极矩被选择为≥0德拜且≤2.5德拜，并且所述第二基质化合物的偶极矩被选择为>2.5德拜且
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104247070B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201280067206.5
申请日：2012-11-30
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 欧姆莱恩·法德尔 , 拉莫娜·普雷奇 , 卡斯滕·洛特 , 鲁道夫·莱斯曼 , 弗朗索瓦·卡尔迪纳利
IPC: H01L51/50 , C07D471/00 , H01L51/00
CPC classification number: H01L51/0054 , C07D221/18 , C07F9/64 , C09B15/00 , H01L27/3206 , H01L27/3244 , H01L51/0067 , H01L51/0071 , H01L51/0072 , H01L51/5076
Abstract: 显示器，其包含至少一个有机发光二极管，其中所述至少一个有机发光二极管包含阳极、阴极、在所述阳极和所述阴极之间的发光层和在所述阴极与所述发光层之间的至少一个包含式(I)化合物的层：其中A1和A2独立地选自卤素，CN，取代或未取代的C1至C20烷基或杂烷基，C6至C20芳基或C5至C20杂芳基，C1至C20烷氧基或C6至C20芳氧基，A3选自取代或未取代的C6至C40芳基或C5至C40杂芳基，m＝0、1或2，n＝0、1或2。
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公开(公告)号：CN107148674B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201580053032.0
申请日：2015-09-30
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Abstract: 一种有源OLED显示器，其包含多个OLED像素，每个所述OLED像素包含阳极、阴极和有机层堆叠物，其中所述有机层堆叠物被提供在所述阴极与所述阳极之间并与二者相接触，并包含电子传输层、空穴传输层和提供在所述空穴传输层与电子传输层之间的发光层，所述显示器还包含驱动电路，其被构造成分开地驱动所述多个OLED像素的像素，其中对于所述多个OLED像素来说，由提供在所述多个OLED像素的有机层堆叠物中的空穴传输层形成共同空穴传输层，所述共同空穴传输层包含空穴传输基质材料和至少一种电子p‑掺杂剂，并且所述空穴传输材料的电导率低于1x10‑3S.m‑1并高于1x10‑8S.m‑1。
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公开(公告)号：CN107851735B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201680037174.2
申请日：2016-06-22
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 乌尔里希·登克尔 , 卡斯滕·洛特 , 沃洛季米尔·森科维斯基 , 托马斯·卡里兹
Abstract: 本发明涉及一种在阳极与阴极之间包含至少一个发光层的电子器件，所述器件在所述阴极与阳极之间还包含至少一个混合层，其包含(i)采取实质上元素形式的选自Li、Na、K、Be、Sc、Y、La、Lu、Ti和V的电正性元素，以及(ii)至少一种实质上共价的电子传输基质化合物，其包含至少一个极性基团，所述极性基团选自：膦氧化物基团，其中所述实质上共价的电子传输基质化合物的还原电位，如果在相同条件下通过循环伏安法测量的话，具有的值比4,7‑二苯基‑1,10‑菲咯啉获得的值更负、优选地比(9‑苯基‑9H‑咔唑‑2,7‑二基)双(二苯基膦氧化物)获得的值更负、更优选地比(9,9‑二己基‑9H‑芴‑2,7‑二基)双(二苯基膦氧化物)获得的值更负、非常优选地比1,3,5‑三(1‑苯基‑1H‑苯并咪唑‑2‑基)苯获得的值更负、甚至更优选地比3‑苯基‑3H‑苯并[b]二萘并[2,1‑d:1',2'‑f]磷杂庚英‑3‑氧化物获得的值更负、最优选地比芘获得的值更负、也优选地比[1,1'‑联二萘]‑2,2'‑二基双(二苯基膦氧化物)获得的值更负；或二唑基团，其中所述实质上共价的电子传输基质化合物的还原电位，如果在相同条件下通过循环伏安法测量的话，具有的值比4,7‑二苯基‑1,10‑菲咯啉获得的值更负、优选地比(9‑苯基‑9H‑咔唑‑2,7‑二基)双(二苯基膦氧化物)获得的值更负、更优选地比(9,9‑二己基‑9H‑芴‑2,7‑二基)双(二苯基膦氧化物)获得的值更负、非常优选地比1,3,5‑三(1‑苯基‑1H‑苯并咪唑‑2‑基)苯获得的值更负、甚至更优选地比3‑苯基‑3H‑苯并[b]二萘并[2,1‑d:1',2'‑f]磷杂庚英‑3‑氧化物获得的值更负、最优选地比芘获得的值更负、也优选地比[1,1'‑联二萘]‑2,2'‑二基双(二苯基膦氧化物)获得的值更负，本发明还涉及所述器件的制造方法和其中包含的化合物。
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公开(公告)号：CN107851736A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680043294.3
申请日：2016-06-22
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 乌尔里希·登克尔 , 卡斯滕·洛特 , 沃洛季米尔·森科维斯基 , 托马斯·卡里兹
Abstract: 本发明涉及一种半导体材料，其包含(i)基本上元素形式的正电性元素，其选自碱金属、碱土金属、稀土金属和过渡金属，和(ii)至少一种第一化合物，其为包含至少一个选自氧化膦基团或二唑基团的极性基团的化合物；制造所述半导体材料的方法；包括阴极、阳极和所述半导体材料的电子器件。
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公开(公告)号：CN107851735A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680037174.2
申请日：2016-06-22
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 乌尔里希·登克尔 , 卡斯滕·洛特 , 沃洛季米尔·森科维斯基 , 托马斯·卡里兹
Abstract: 本发明涉及一种在阳极与阴极之间包含至少一个发光层的电子器件，所述器件在所述阴极与阳极之间还包含至少一个混合层，其包含(i)采取实质上元素形式的选自Li、Na、K、Be、Sc、Y、La、Lu、Ti和V的电正性元素，以及(ii)至少一种实质上共价的电子传输基质化合物，其包含至少一个极性基团，所述极性基团选自：膦氧化物基团，其中所述实质上共价的电子传输基质化合物的还原电位，如果在相同条件下通过循环伏安法测量的话，具有的值比4,7-二苯基-1,10-菲咯啉获得的值更负、优选地比(9-苯基-9H-咔唑-2,7-二基)双(二苯基膦氧化物)获得的值更负、更优选地比(9,9-二己基-9H-芴-2,7-二基)双(二苯基膦氧化物)获得的值更负、非常优选地比1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯获得的值更负、甚至更优选地比3-苯基-3H-苯并[b]二萘并[2,1-d:1',2'-f]磷杂庚英-3-氧化物获得的值更负、最优选地比芘获得的值更负、也优选地比[1,1'-联二萘]-2,2'-二基双(二苯基膦氧化物)获得的值更负；或二唑基团，其中所述实质上共价的电子传输基质化合物的还原电位，如果在相同条件下通过循环伏安法测量的话，具有的值比4,7-二苯基-1,10-菲咯啉获得的值更负、优选地比(9-苯基-9H-咔唑-2,7-二基)双(二苯基膦氧化物)获得的值更负、更优选地比(9,9-二己基-9H-芴-2,7-二基)双(二苯基膦氧化物)获得的值更负、非常优选地比1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯获得的值更负、甚至更优选地比3-苯基-3H-苯并[b]二萘并[2,1-d:1',2'-f]磷杂庚英-3-氧化物获得的值更负、最优选地比芘获得的值更负、也优选地比[1,1'-联二萘]-2,2'-二基双(二苯基膦氧化物)获得的值更负，本发明还涉及所述器件的制造方法和其中包含的化合物。
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