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公开(公告)号：CN118256089A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202211694604.1
申请日：2022-12-28
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: C08L83/04 , C08L75/04 , C08L27/16 , C08L33/12 , C08K7/24 , C08J5/18 , G01L1/14 , G01L9/12 , C04B38/06 , C04B35/475 , C04B35/622 , C04B35/468 , C04B41/84
Abstract: 本发明涉及一种多孔陶瓷骨架/聚合物复合介电薄膜及其制备方法与应用，主要包括：采用流延法制备均匀的陶瓷前驱体薄膜，经高温固相反应后制得多孔陶瓷骨架；然后将聚合物填充入多孔陶瓷骨架内形成复合介电薄膜。该方法可实施性强，避免了无机填料在聚合物内的均匀分散难题，且可通过改变添加剂的含量来调节多孔陶瓷骨架的孔隙率，以达到调控复合介电薄膜内的无机填料占比的目的。并且复合介电薄膜内陶瓷晶粒间形成烧结颈，有利于极化电荷的连续传输，因此能够显著提高复合介电薄膜的介电常数。基于此复合介电薄膜组装的柔性电容式压力传感器展现了优异的灵敏度。
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公开(公告)号：CN117748987A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311770027.4
申请日：2023-12-21
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H02N1/04
Abstract: 本发明公开了一种湿度智能形变的多功能纳米发电机，一种湿度智能形变的多功能纳米发电机，包括弹性薄膜基底，所述弹性薄膜基底一面沉积导电层，另一面贴附摩擦介电层和湿度形变材料薄膜；所述湿度形变材料膜贴附在弹性薄膜基底的根部，摩擦介电层贴附在湿度形变膜上方，湿度形变膜和摩擦介电层拼接在一起沿弹性薄膜基底竖直方向上的总长度与弹性薄膜基底长度相同。本发明TENG器件可以在不同湿度条件下产生自适应环境的变形，从而实现TENG器件在不同湿度环境下的功能，具体为：在干燥条件下反射太阳辐射，在中等湿度环境下收集风能，在高湿度的雨天环境收集雨滴能量。
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公开(公告)号：CN116322220A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310072133.9
申请日：2023-01-19
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H10K71/00 , H10K10/40 , H10K71/16 , H10K71/60 , H10K10/88 , H10N30/857 , H10N30/098 , H10N30/30
Abstract: 本发明公开了一种压电驻极体调控的无栅极有机薄膜晶体管及其制作方法，涉及有机电子技术领域，包括：获取聚丙烯薄膜；采用热膨化对聚丙烯薄膜进行处理，并将热膨化处理后的聚丙烯薄膜进行电晕极化处理，得到多孔聚丙烯压电驻极体薄膜；在多孔聚丙烯压电驻极体薄膜的表面蒸镀并五苯半导体层，形成有机半导体层；通过掩模板在有机半导体层上沉积源极和漏极；在至少部分源极的表面、至少部分漏极的表面、至少部分有机半导体层的表面、以及在源极和漏极之间蒸镀封装层，并采用导线将源极和漏极引出。本发明能够通过压电效应、场效应和半导体性质的耦合，将压电无源式触觉传感与晶体管信号放大功能优势集成，实现了人机直接、主动交互模式。
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公开(公告)号：CN114349974A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202210102981.5
申请日：2022-01-27
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种新型铕基MOF材料及其制备方法和检测乙胺和棉酚的应用，属于MOF材料制备技术领域，将氯化铕、配体4,4'‑(苯并[c][1,2,5]噻二唑‑4,7‑二基)二苯甲酸和苯甲酸混合后，以DMF为溶剂，通过一步水热法合成Eu‑TTPDC MOF材料。该方法具有反应温度低、操作简单易于控制、环境友好等优点。制得的Eu‑TTPDC MOF材料对乙胺和棉酚分别表现出灵敏的荧光增强/猝灭检测效果，能够实现单一荧光材料对不同分析物的多响应模式检测的发明目的，节约检测成本，提高检测效率。
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公开(公告)号：CN113026418A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110284319.1
申请日：2021-03-17
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种抗铜绿假单胞菌的纳米复合纸制备方法，主要解决现有技术抗菌纸铜绿假单胞菌灭杀率低，原材料较昂贵，制备成本较高的问题。其实现方案是：1)分别配制镁盐溶液和含有铝离子的悬浊液、氢氧根离子溶液、碳酸钠溶液、L‑丙氨酸溶液、油酸钠溶液、十六烷基三甲基溴化铵溶液，并进行混合加热、搅拌，得到改性的镁基增强复合型悬浊液；2)对该悬浊液依次进行静置、过滤、洗涤得到其沉淀物；3)向该沉淀物中加入剪碎的废弃纸得到改性的镁基增强纳米复合纸浆浆料，并经过过筛、晾干获得抗菌纸。本发明无毒、无腐蚀；抗菌效果显著；制备成本低、工艺简单、有助于提高纸张印刷质量和韧性，可用于建筑行业对大型办工场合的室内装修。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118870830A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410901474.7
申请日：2024-07-05
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种柔性超薄金属有机框架浮栅层闪存器件及其制备方法，属于柔性闪存器件料技术领域；本发明在柔性PET衬底上制备基于MOF的闪存器件，以PET上的ITO作为底栅电极，旋涂PMMA阻挡层作为栅极电介质层，旋涂MOF分散液作为浮栅层，旋涂PMMA作为隧穿层，蒸镀并五苯、金分别作为半导体层和源漏电极。本发明选用常用介电常数材料PMMA制作底栅电介质层和隧穿层，利用旋涂的方法制备MOF浮栅层，有利于器件尺寸按比例缩减，提高存储器集成度和存储速度。
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公开(公告)号：CN117230533A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311180515.X
申请日：2023-09-13
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 一种基于电场调控的Co‑MOF单晶的制备方法，通过对六水合氯化钴溶液施加直流电压，将L‑谷氨酸溶液滴加到经施加直流电压的六水合氯化钴溶液中进行反应，得到混合溶液；将混合溶液的PH调节为中性，将pH为中性的混合溶液继续在反应温度60‑80℃的下保持12‑24h，得到紫红色的Co‑MOF单晶；本发明制备的Co‑MOF单晶晶粒尺寸达到毫米级，且通过施加电场直流电压，不仅提高了Co‑MOF单晶的热稳定性能和压电性能，而且实现了对Co‑MOF单晶的热稳定性能和压电性能的调控，本发明的制备的Co‑MOF单晶具有晶粒尺寸大，分解温度高，压电性能好的特点。
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公开(公告)号：CN114878571A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210662173.4
申请日：2022-06-13
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01N21/84
Abstract: 本发明公开了基于光学法判断铼族化合物薄膜子晶畴和晶格方向的方法，属于二维纳米材料表征技术领域。该方法的步骤为：将铼族化合物薄膜样品置于含有偏振光的光学显微镜的载物台上，旋转铼族化合物薄膜样品的位置，并对旋转后的样品进行拍照，判断铼族化合物薄膜样品的所有子晶畴和晶界；对拍照所得的照片进行RGB衬度提取，得到每个子晶畴的晶格取向。本发明的方法对设备条件要求较低，操作流程简单，是一种区分判断硫化铼晶界并指认每个子晶畴的晶格取向的无损快速便捷的方法。
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公开(公告)号：CN113755820A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202111022978.4
申请日：2021-09-01
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种大面积单层半导体二维WS2薄膜材料及其制备方法和应用，属于材料技术领域，以WO3和S作为前驱体，氩气作为载气，通过调节氢气的引入时机，可以有效控制WS2的成核和生长，实现大面积，层数可控的WS2的制备。本发明提供的方法，成本低廉，可控性好，重复性强。经过本发明方法制备得到的大面积单层半导体二维WS2薄膜材料，由于具有大面积、单晶型等特点，能够在光电探测器器件中表现出优异的光响应速度，具有实用价值。
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