公开(公告)号：CN118870830A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410901474.7

申请日：2024-07-05

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 李奇昆 ,  毛国宇 ,  周嘉乐 ,  王咏梅 ,  任泽伟 ,  王勇 ,  杨如森

IPC: H10K10/46 ,  H10K71/12 ,  H10K71/15 ,  H10K71/16 ,  C23C14/24 ,  C23C14/12 ,  C23C14/20

Abstract: 本发明公开了一种柔性超薄金属有机框架浮栅层闪存器件及其制备方法，属于柔性闪存器件料技术领域；本发明在柔性PET衬底上制备基于MOF的闪存器件，以PET上的ITO作为底栅电极，旋涂PMMA阻挡层作为栅极电介质层，旋涂MOF分散液作为浮栅层，旋涂PMMA作为隧穿层，蒸镀并五苯、金分别作为半导体层和源漏电极。本发明选用常用介电常数材料PMMA制作底栅电介质层和隧穿层，利用旋涂的方法制备MOF浮栅层，有利于器件尺寸按比例缩减，提高存储器集成度和存储速度。

公开(公告)号：CN117230533A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202311180515.X

申请日：2023-09-13

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 王咏梅 ,  刘存顺 ,  毛国宇 ,  姜雪 ,  杨如森

IPC: C30B29/58 ,  C08G83/00 ,  C30B7/14 ,  C30B30/02

Abstract: 一种基于电场调控的Co‑MOF单晶的制备方法，通过对六水合氯化钴溶液施加直流电压，将L‑谷氨酸溶液滴加到经施加直流电压的六水合氯化钴溶液中进行反应，得到混合溶液；将混合溶液的PH调节为中性，将pH为中性的混合溶液继续在反应温度60‑80℃的下保持12‑24h，得到紫红色的Co‑MOF单晶；本发明制备的Co‑MOF单晶晶粒尺寸达到毫米级，且通过施加电场直流电压，不仅提高了Co‑MOF单晶的热稳定性能和压电性能，而且实现了对Co‑MOF单晶的热稳定性能和压电性能的调控，本发明的制备的Co‑MOF单晶具有晶粒尺寸大，分解温度高，压电性能好的特点。