发明公开
- 专利标题: 柔性超薄金属有机框架浮栅层闪存器件及其制备方法
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申请号: CN202410901474.7申请日: 2024-07-05
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公开(公告)号: CN118870830A公开(公告)日: 2024-10-29
- 发明人: 李奇昆 , 毛国宇 , 周嘉乐 , 王咏梅 , 任泽伟 , 王勇 , 杨如森
- 申请人: 西安电子科技大学
- 申请人地址: 陕西省西安市雁塔区太白南路2号
- 专利权人: 西安电子科技大学
- 当前专利权人: 西安电子科技大学
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市雁塔区太白南路2号
- 代理机构: 西安通大专利代理有限责任公司
- 代理商 张金玲
- 主分类号: H10K10/46
- IPC分类号: H10K10/46 ; H10K71/12 ; H10K71/15 ; H10K71/16 ; C23C14/24 ; C23C14/12 ; C23C14/20
摘要:
本发明公开了一种柔性超薄金属有机框架浮栅层闪存器件及其制备方法,属于柔性闪存器件料技术领域;本发明在柔性PET衬底上制备基于MOF的闪存器件,以PET上的ITO作为底栅电极,旋涂PMMA阻挡层作为栅极电介质层,旋涂MOF分散液作为浮栅层,旋涂PMMA作为隧穿层,蒸镀并五苯、金分别作为半导体层和源漏电极。本发明选用常用介电常数材料PMMA制作底栅电介质层和隧穿层,利用旋涂的方法制备MOF浮栅层,有利于器件尺寸按比例缩减,提高存储器集成度和存储速度。