公开(公告)号：CN119029081A

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202411115394.5

申请日：2024-08-14

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 李晓波 ,  张建斌 ,  杨如森

IPC: H01L31/112 ,  H01L31/18 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L31/032 ,  H01L27/146

Abstract: 本发明公开了一种基于热电材料的宽光谱仿生自适应视觉传感器及其制备方法，属于仿生电子信息技术领域。该传感器包括衬底、介质层、半导体沟道层、源极与漏极；所述介质层形成于衬底上，所述源极与漏极位于介质层上且分别分布在介质层的两端，所述半导体沟道层位于所述源极与漏极之间；所述半导体沟道层采用准一维光热电材料Nb3Se12I晶体制成。其中，半导体沟道层具有光热电特性，用于实现光电转换和信号调制，该传感器实现了光强视觉自适应调制和宽光谱的响应范围。

公开(公告)号：CN114878571A

公开(公告)日：2022-08-09

申请号：CN202210662173.4

申请日：2022-06-13

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 李晓波 ,  张建斌 ,  周楠 ,  杨如森

IPC: G01N21/84

Abstract: 本发明公开了基于光学法判断铼族化合物薄膜子晶畴和晶格方向的方法，属于二维纳米材料表征技术领域。该方法的步骤为：将铼族化合物薄膜样品置于含有偏振光的光学显微镜的载物台上，旋转铼族化合物薄膜样品的位置，并对旋转后的样品进行拍照，判断铼族化合物薄膜样品的所有子晶畴和晶界；对拍照所得的照片进行RGB衬度提取，得到每个子晶畴的晶格取向。本发明的方法对设备条件要求较低，操作流程简单，是一种区分判断硫化铼晶界并指认每个子晶畴的晶格取向的无损快速便捷的方法。

公开(公告)号：CN113755820A

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202111022978.4

申请日：2021-09-01

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 杨如森 ,  李晓波 ,  张建斌 ,  周楠

IPC: C23C16/30 ,  C30B25/02 ,  C30B29/46 ,  G01D5/26

Abstract: 本发明公开了一种大面积单层半导体二维WS2薄膜材料及其制备方法和应用，属于材料技术领域，以WO3和S作为前驱体，氩气作为载气，通过调节氢气的引入时机，可以有效控制WS2的成核和生长，实现大面积，层数可控的WS2的制备。本发明提供的方法，成本低廉，可控性好，重复性强。经过本发明方法制备得到的大面积单层半导体二维WS2薄膜材料，由于具有大面积、单晶型等特点，能够在光电探测器器件中表现出优异的光响应速度，具有实用价值。

公开(公告)号：CN119092587A

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202411115392.6

申请日：2024-08-14

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 李晓波 ,  张建斌 ,  杨如森

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/09 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L27/146 ,  H01L31/032 ,  H04L9/08

Abstract: 本发明属于信息加密技术领域，公开了基于各向异性光热电材料的光电探测器、制备方法及加密方法，本发明所制备的光电探测器，体积非常小，适合微型化应用，这种材料便于集成到微型电子设备中，有助于提高设备的集成度，这种材料在微电子领域中，特别是在缩小器件尺寸和提升集成度方面，显示出显著的优势。本发明基于各向异性光热电材料的光电探测器通常具有高灵敏度，有利于探测微弱的光信号，并且具有优异的光电转换性能，能够实现高效的光电探测。本发明的加密方法通过预设偏振角度和位置的多样化组合，不同信息可以对应不同的偏振角度和位置组合，使得系统具有很高的灵活性和可扩展性，生成的密钥具有高度的复杂性和唯一性。