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公开(公告)号：CN116761441A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202210214450.5
申请日：2022-03-04
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种有机/钙钛矿三元混合体异质结薄膜太阳电池及制备方法，有机/钙钛矿三元混合体异质结薄膜太阳电池包括依次层叠的透明电极层、第一传输层、有机/钙钛矿三元混合吸光层、第二传输层和金属电极层，其中，所述有机/钙钛矿三元混合吸光层采用有机吸光材料和钙钛矿吸光材料混合的体异质结结构。该薄膜太阳电池中，有机/钙钛矿三元混合吸光层采用有机吸光材料和钙钛矿吸光材料结合三元体系，提升了太阳电池有源层对太阳光谱600～800nm波长内光子的利用效率，从而增加了吸光层的吸光范围和吸光强度，避免了纯有机光伏器件的波段跳跃性吸光，提升了太阳光谱利用率，提高了器件光电转换效率，可用于高效、低成本光伏发电。
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公开(公告)号：CN116669437A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202210152508.8
申请日：2022-02-18
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种CsPbBr3钙钛矿薄膜太阳电池及其制备方法，所述电池自下而上依次包括：透明电极层、第一传输层、雾化沉积的CsPbBr3钙钛矿吸光层、第二传输层和金属电极层。本发明通过雾气化学沉积法生长的CsPbBr3钙钛矿薄膜，能够减少CsPbBr3薄膜的缺陷，提高薄膜结晶度，减少电荷复合，能够提升CsPbBr3钙钛矿薄膜太阳电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN116110786A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211607698.4
申请日：2022-12-14
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L23/31 , H01L21/56
Abstract: 本发明涉及一种提高阈值电压稳定性及栅耐压的GaN HEMT器件及制备方法，方法包括：在衬底层层叠生长缓冲层、沟道层、势垒层、第一钝化层；在势垒层两端之上制备源极和漏极；在暴露的势垒层上制备p型SnO层；在p型SnO层上制备n型SnO2层；利用ICPCVD工艺制备第二钝化层；刻蚀掉中间部分的第二钝化层，以暴露部分n型SnO2层，并在暴露的n型SnO2层上制备栅极。本发明通过在p型SnO层上生长一层n型SnO2层的方式，成功缓解了GaN HEMT器件面临的阈值电压不稳定性问题和栅耐压较低的问题。
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公开(公告)号：CN115996583A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202310298337.4
申请日：2023-03-24
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种钙钛矿/硅叠层太阳能电池及其制备方法，电池包括硅基太阳能电池和设置在硅基太阳能电池之上的钙钛矿电池，钙钛矿电池自下而上依次包括第二ITO透明导电层、空穴传输层、钙钛矿吸光层、电子传输层、第三ITO透明导电层、第二金属电极银层，电子传输层自下而上依次包括C60材料层、第一材料层和第二材料层，第一材料层和第二材料层的材料均为不同的氧化物。本发明可以提高叠层太阳能电池的光电转换效率以及稳定性。
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公开(公告)号：CN115483351A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202211027647.4
申请日：2022-08-25
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种三维限制大面积钙钛矿单晶薄膜X射线探测器阵列的制备方法，包括：在衬底层上制备金属阵列电极；在金属阵列电极上制备第一图形层；刻蚀金属阵列电极上的PMMA层和第一光刻胶，形成隔离槽；在隔离槽上滴加MAPbI3过饱和溶液；在第一光刻胶和MAPbI3过饱和溶液上覆盖软板；在加热的条件下，同时移除软板，以在金属阵列电极上形成MAPbI3单晶薄膜阵列；去除剩余的PMMA层和第一光刻胶，以完成钙钛矿单晶薄膜X射线探测器阵列的制备。本发明的方法制备的晶体阵列具有与块体钙钛矿型单晶相当的高晶体质量，其厚度、面积可控。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115332292A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210907720.0
申请日：2022-07-29
Applicant: 青海黄河上游水电开发有限责任公司 , 国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司 , 青海黄河上游水电开发有限责任公司西宁太阳能电力分公司 , 青海黄河上游水电开发有限责任公司西安太阳能电力分公司 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于金属网格互联的两端式叠层太阳能电池，其包括钙钛矿底电池、金属网格互联层和钙钛矿顶电池；所述金属网格互联层沉积形成在所述钙钛矿底电池上，所述钙钛矿顶电池键合结合在所述金属网格互联层上。其制备方法包括：分别制备获得所述钙钛矿底电池和所述钙钛矿顶电池；在所述钙钛矿底电池上沉积形成所述金属网格互联层；将所述钙钛矿顶电池键合在所述金属网格互联层上并采用固化胶固化连接。本发明以机械堆叠的方式，将钙钛矿底电池和钙钛矿顶电池堆叠形成全钙钛矿的两端叠层太阳电池，顶电池和底电池之间能够有效地进行电学串联和光学耦合，并且降低叠层电池的制备工艺难度。
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公开(公告)号：CN115000237A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210457243.2
申请日：2022-04-27
Applicant: 青海黄河上游水电开发有限责任公司 , 国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司 , 青海黄河上游水电开发有限责任公司西宁太阳能电力分公司 , 青海黄河上游水电开发有限责任公司西安太阳能电力分公司 , 西安电子科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L21/368 , H01L31/0224 , H01L31/032
Abstract: 提供了一种全透明钙钛矿太阳能电池及其制作方法，所述制作方法包括：在透明导电基板上形成电子传输层；在电子传输层上形成PbCl2薄膜；将CsCl水溶液旋涂在PbCl2薄膜上，以反应生成钙钛矿光活性层；在钙钛矿光活性层上依序形成层叠的第一空穴传输层和第二空穴传输层；在第二空穴传输层上形成ITO电极。该制作方法该制作方法通过利用CsCl水溶液与PbCl2薄膜反应来制备CsPbCl3钙钛矿光活性层，更有利于保证制备获得完整的高质量的CsPbCl3钙钛矿光活性层，提高电池的光电转换效率。并且，所述全透明钙钛矿太阳能电池的每一层材料均为透明材料，在实现透明钙钛矿太阳能电池更高的光电转化效率的同时实现了更高的透光度。
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公开(公告)号：CN114005941A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111080672.4
申请日：2021-09-15
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于有机受体‑钙钛矿异质结吸光层的太阳电池，包括：由下至上依次层叠的透明电极层、第一传输层、钙钛矿吸光层、第二传输层和金属电极层；其中，当太阳电池为正型时，第一传输层为用作电子传输层的有机受体吸光层，第二传输层为空穴传输层；当太阳电池为反型时，第一传输层为空穴传输层，第二传输层为用作电子传输层的有机受体吸光层。本发明使用有机受体和钙钛矿材料共同作为吸光层能够增加吸光层的吸光范围和吸光强度，避免纯有机光伏器件波段跳跃性吸光和纯无机光伏器件吸光范围窄的问题，提升太阳光谱利用率和光电转换效率。且利用有机受体吸光层作为电子传输层，能够在不损伤电子提取能力的同时减少工艺步骤，降低成本。
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公开(公告)号：CN113764541A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110098575.1
申请日：2021-01-25
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/102 , H01L31/0224 , H01L31/032
Abstract: 本发明公开了一种窄带全无机钙钛矿光电探测器及其制备方法，该制备方法包括：选取带有FTO电极阴极的玻璃衬底；在FTO电极阴极上制备TiO2电子传输层得到Glass/FTO/TiO2基底；在玻璃衬底背面制备CsPbIBr1.8Cl0.2钙钛矿滤光层得到CsPbIBr1.8Cl0.2/Glass/FTO/TiO2基底；在TiO2电子传输层上制备CsPbIBr2钙钛矿光吸收层得到CsPbIBr1.8Cl0.2/Glass/FTO/TiO2/CsPbIBr2基底；在CsPbIBr2钙钛矿光吸收层上沉积碳电极阳极制备得到窄带全无机钙钛矿光电探测器。本发明通过涂覆在玻璃衬底背面的CsPbIBr1.8Cl0.2钙钛矿滤光层与CsPbIBr2钙钛矿光吸收层材料的吸收波长范围的不同，CsPbIBr1.8Cl0.2钙钛矿滤光层滤过了波长为560nm之前的光，使得CsPbIBr2钙钛矿光光吸收层的吸光波长范围变窄，有效的拓宽了光谱利用范围，增强了太阳能电池的光电转换能力，提高了探测器特定波长范围的探测精度。
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公开(公告)号：CN112133761A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202010887566.6
申请日：2020-08-28
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/06 , H01L29/20
Abstract: 本发明涉及一种基于GaN横向结势垒肖特基二极管及其制备方法，此势垒肖特基二极管包括：从下至上依次层叠设置的衬底层、成核层、缓冲层、插入层、势垒层和钝化层；P注入区，设置于缓冲层、插入层和势垒层内，位于缓冲层、插入层和势垒层的一端，P注入区包括若干P区和若干N区，且两个相邻所述P区之间未进行P注入的区域由于存在二维电子气即为N区；阳电极，位于P注入区的上表面；阴电极，位于势垒层的上表面，且位于势垒层远离阳电极的一端。本势垒肖特基二极管及其制备方法，通过P注入区与二维电子气形成梳状的横向PN结，有效屏蔽低势垒高度的肖特基结，可以抑制肖特基势垒降低效应及控制反向漏电流，提高击穿电压，同时保持较低的开启电压。
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