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公开(公告)号：CN114301434A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111668088.0
申请日：2021-12-30
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻器的新型传感器构架系统，传感器的输出端与对应比较器的输入端相连接，比较器的输出端与对应D触发器的输入端相连接，各D触发器的输出端与时间数字转换器的输入端相连接，时间数字转换器的输出端与并转串模块的相连接；振荡器的输出端与锁相环的输入端相连接，锁相环的第一输出端与时间数字转换器的参考时钟输入端相连接，锁相环的第二输出端与并转串模块的参考时钟输入端相连接，该系统能够有效解决现有技术中系统硬件结构复杂、功耗大、传递数据量大及效率低的问题。
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公开(公告)号：CN111753976A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010633543.2
申请日：2020-07-02
Applicant: 西安交通大学
Inventor： 韩传余
Abstract: 本发明涉及类脑智能领域的电子传入神经元，解决了传统CMOSFET构建的电子传入神经元存在的功耗高、电路结构和工艺复杂、难以适用于新型神经形态脉冲神经网络等技术问题。本发明提出了一种面向神经形态脉冲神经网络的电子传入神经元，采用金属-绝缘体转变MIT忆阻器RM、多输入端浮栅MIFG晶体管T0、多阻态忆阻器RD和电容器CF，实现了模拟信号到脉冲信号的转换，是传感器和神经形态脉冲神经网络的接口。同时，本发明基于上述面向神经形态脉冲神经网络的电子传入神经元，还提出了一种面向神经形态脉冲神经网络的电子传入神经元实现方法，对输入生物神经元进行信息整合、频率编码，通过对输出脉冲频率阈值编程控制，实现可编程阈值输出。
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公开(公告)号：CN109787592B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201811574891.6
申请日：2018-12-21
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种随机神经脉冲发生器，包括方波发生器、忆阻器、第一电阻、电位检测系统和整波电路；忆阻器为莫特绝缘体忆阻器；忆阻器的一端连接方波发生器，另一端连接第一电阻；第一电阻的另一端接地；电位检测系统的一端连接忆阻器和第一电阻，另一端连接整波电路；电位检测系统检测第一电阻上的电势变化，并在检测到第一电阻上的电势变化后产生并发送复位信号脉冲至忆阻器和方波脉冲信号至整波电路；整波电路将电位检测系统送至的方波脉冲信号转换为类神经脉冲信号。本发明产生的类神经脉冲可以用于脉冲神经网络的模拟，在提升其模拟人类大脑准确性的同时，也解决了传统类神经脉冲产生装置的电路复杂性问题，具有电路简单、成本低等特点。
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公开(公告)号：CN112490204B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202011349967.2
申请日：2020-11-26
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L23/367 , H01L23/373
Abstract: 本发明公开一种基于石墨烯的三明治结构散热薄膜、半导体器件及其制备方法，散热薄膜，包括氧化还原石墨烯层和CVD石墨烯层，氧化还原石墨烯层两侧的表面上均设有CVD石墨烯层。本发明基于石墨烯的三明治结构散热薄膜在与衬底平行或垂直的方向上均具有较好的传热能力，能够使得衬底或半导体器件进行快速匀的散热。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116449090A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310274527.2
申请日：2023-03-20
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01R19/175 , G01R31/00 , G01R1/30
Abstract: 本发明公开了一种用于宽输入范围改进型KY变换器的高精度零电流检测电路，主功率开关管经过电阻分压网络与补偿网络的输入端及误差放大器的输入端相连接，零电流检测电路与主功率开关管中的第七开关管相连接，补偿网络的输出端及误差放大器的输出端与比较器的输入端相连接，比较器的输出端及零电流检测电路的输出端与驱动及死区产生电路的输入端相连接；自适应模式切换电路的输入端与信号输入端相连接，自适应模式切换电路的输出端与驱动及死区产生电路的输入端相连接，驱动及死区产生电路的输出端与主功率开关管相连接，该电路能够精准检测轻负载情况下改进型KY变换器中反向电流的过零点，完全消除反向电流。
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公开(公告)号：CN112511166B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202011363292.7
申请日：2020-11-27
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明涉及一种模数转换技术，具体涉及一种基于忆阻器神经网络的高精度快速ADC及模数转换方法，以解决现有的FLASH ADC、SAR ADC、Pipeline ADC、Σ‑ΔADC等均无法兼顾转换精度和转换速度的技术问题。本发明ADC包括N个输入忆阻器、N个偏置忆阻器、忆阻器神经网络以及N个反相器；其中，忆阻器神经网络包括M×N个连接权忆阻器，基于Hopfield神经网络沿N×N矩阵主对角线对称等值分布，ADC支路反相器输出的反馈信号通过忆阻器神经网络接入电路；模拟输入电压Vs、参考偏置电压Vref以及其余ADC支路反相器输出的反馈信号进行加权和运算后，送入ADC支路的反相器输入端，输出N位二进制数字码，对应当前模拟输入电压。
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公开(公告)号：CN112578669B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202011363291.2
申请日：2020-11-27
Applicant: 西安交通大学
IPC: G05B13/04
Abstract: 本发明提出一种二维材料转移方法，以解决现有大面积二维材料转移过程中存在转移效率低、转移精度不高以及二维材料剥离不均匀的技术问题。本发明方法为：在载玻片下表面涂布粘性随温度反向变化的材料，粘取待转移二维材料；然后将待转移二维材料与二维材料受体准确定位；最后将载玻片放置在二维材料受体表面，加热载玻片将待转移二维材料转移到二维材料受体上。本发明系统包括底座、二维材料转移台、二维材料放置台以及光学成像单元，其中，二维材料转移台包括三维机械臂、涂有PDMS的载玻片、微位移台、二维材料受体放置台及包浆印刷工艺的加热片；光学成像单元包括支架、高倍显微镜高清CDD相机以及计算机。
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公开(公告)号：CN113390959A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110484717.8
申请日：2021-04-30
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种复合敏感膜及制备方法、气体传感器及制备方法，将毒气敏感材料分散到溶剂中，然后旋涂到以金属为衬底通过化学气相沉积制备得到的二维材料表面，从而获得一种堆叠结构的复合敏感膜；将复合敏感膜裁剪成合适的尺寸，放到刻蚀液的液面上，以刻蚀复合敏感膜的金属衬底，从而得到自支撑的复合敏感膜；将自支撑的复合敏感膜在去离子水液面上漂洗后，利用浸渍提拉法将其转移到气敏传感器的测量元件表面。复合敏感膜中的二维材料层具有良好的疏水性和机械强度，保证复合敏感膜在液面上的完整性。另外，二维材料层还具有很高的表面能，可以改善复合敏感膜与压电衬底表面的贴附性，增强毒气敏感材料与声表面波器件的耦合作用，从而提高传感器对沙林毒气及其模拟剂的响应灵敏度和响应速度。
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