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公开(公告)号：CN112490204B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202011349967.2
申请日：2020-11-26
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L23/367 , H01L23/373
Abstract: 本发明公开一种基于石墨烯的三明治结构散热薄膜、半导体器件及其制备方法，散热薄膜，包括氧化还原石墨烯层和CVD石墨烯层，氧化还原石墨烯层两侧的表面上均设有CVD石墨烯层。本发明基于石墨烯的三明治结构散热薄膜在与衬底平行或垂直的方向上均具有较好的传热能力，能够使得衬底或半导体器件进行快速匀的散热。
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公开(公告)号：CN112563345B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202011433128.9
申请日：2020-12-09
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/024
Abstract: 本发明公开了一种匀化平面型光导开关电场的外导体电极结构及光导开关器件和方法，属于脉冲功率技术领域，该外导体电极结构由金属立方体块材构成，在该金属立方体块材表面镀有至少一层金属镀层，且该外导体电极结构的上侧边缘和下侧边缘分别形成倒角结构，有效地降低器件电极边缘的电场强度，在显著增强器件耐压能力的同时，抑制电极边缘损伤的出现，从而提升器件工作时的可靠性和寿命。与此同时，外导体凭借其良好的导热性，能够将器件连续工作时在电极边缘生成的热量快速转移，避免热损伤的出现。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116469953A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310460205.7
申请日：2023-04-25
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/024 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种高可靠性的砷化镓光导开关及其制备方法，该光导开关包括SI‑GaAs衬底，SI‑GaAs衬底的两侧相对的表面均设有n+‑GaAs层，n+‑GaAs层上设有欧姆金属电极，两处欧姆金属电极分别作为砷化镓光导开关的阳极和阴极，两处欧姆金属电极的表面均设有外接电极；SI‑GaAs衬底的表面设有钝化层，钝化层在欧姆金属电极正对的位置设有裸露区域，欧姆金属电极的表面钝化层的裸露区域处设有外接电极；欧姆金属电极包括依次堆叠设置的Pd层、Ge层、Ti层、Pt层和Au层，其中，Pd层设置于n+‑GaAs层的表面。本发明能够提高GaAs PCSS寿命和可靠性，能够解决现有GaAs PCSS由电极边缘电场集中、热累积引起电极烧蚀、脱落，最终导致器件失效的问题。
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公开(公告)号：CN112490204A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011349967.2
申请日：2020-11-26
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L23/367 , H01L23/373
Abstract: 本发明公开一种基于石墨烯的三明治结构散热薄膜、半导体器件及其制备方法，散热薄膜，包括氧化还原石墨烯层和CVD石墨烯层，氧化还原石墨烯层两侧的表面上均设有CVD石墨烯层。本发明基于石墨烯的三明治结构散热薄膜在与衬底平行或垂直的方向上均具有较好的传热能力，能够使得衬底或半导体器件进行快速匀的散热。
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公开(公告)号：CN113823700B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202111088312.9
申请日：2021-09-16
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L31/0216 , G02B1/115 , G02B5/08
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓光导半导体开关及其制备方法，氮化镓层的正面和反面分别设有阳极和阴极，氮化镓层的正面和阳极的表面设有增透膜，增透膜在阳极的正面设有第一空白区域，第一空白区域沿增透膜的表面从增透膜的厚度方向延伸至阳极的正面，第一空白区域得宽度不大于阳极的宽度；氮化镓层的背面和阴极的表面设有高反膜，高反膜在阴极的正面设有第二空白区域，第二空白区域沿高反膜的表面从高反膜的厚度方向延伸至阴极的正面，第二空白区域的宽度不大于阴极的宽度。本发明氮化镓光导半导体开关从光吸收特性角度出发，提升了氮化镓光导半导体开关的峰值功率高，使得该氮化镓光导半导体开关能够满足固态化高功率微波系统应用需求。
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公开(公告)号：CN113823700A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202111088312.9
申请日：2021-09-16
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L31/0216 , G02B1/115 , G02B5/08
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓光导半导体开关及其制备方法，氮化镓层的正面和反面分别设有阳极和阴极，氮化镓层的正面和阳极的表面设有增透膜，增透膜在阳极的正面设有第一空白区域，第一空白区域沿增透膜的表面从增透膜的厚度方向延伸至阳极的正面，第一空白区域得宽度不大于阳极的宽度；氮化镓层的背面和阴极的表面设有高反膜，高反膜在阴极的正面设有第二空白区域，第二空白区域沿高反膜的表面从高反膜的厚度方向延伸至阴极的正面，第二空白区域的宽度不大于阴极的宽度。本发明氮化镓光导半导体开关从光吸收特性角度出发，提升了氮化镓光导半导体开关的峰值功率高，使得该氮化镓光导半导体开关能够满足固态化高功率微波系统应用需求。
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公开(公告)号：CN112563345A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011433128.9
申请日：2020-12-09
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/024
Abstract: 本发明公开了一种匀化平面型光导开关电场的外导体电极结构及光导开关器件和方法，属于脉冲功率技术领域，该外导体电极结构由金属立方体块材构成，在该金属立方体块材表面镀有至少一层金属镀层，且该外导体电极结构的上侧边缘和下侧边缘分别形成倒角结构，有效地降低器件电极边缘的电场强度，在显著增强器件耐压能力的同时，抑制电极边缘损伤的出现，从而提升器件工作时的可靠性和寿命。与此同时，外导体凭借其良好的导热性，能够将器件连续工作时在电极边缘生成的热量快速转移，避免热损伤的出现。
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