公开(公告)号：CN116469953A

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202310460205.7

申请日：2023-04-25

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 李昕 ,  杨迎香 ,  胡龙 ,  耿莉 ,  杨向红 ,  李明 ,  文章 ,  童仁皓

IPC: H01L31/09 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/024 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种高可靠性的砷化镓光导开关及其制备方法，该光导开关包括SI‑GaAs衬底，SI‑GaAs衬底的两侧相对的表面均设有n+‑GaAs层，n+‑GaAs层上设有欧姆金属电极，两处欧姆金属电极分别作为砷化镓光导开关的阳极和阴极，两处欧姆金属电极的表面均设有外接电极；SI‑GaAs衬底的表面设有钝化层，钝化层在欧姆金属电极正对的位置设有裸露区域，欧姆金属电极的表面钝化层的裸露区域处设有外接电极；欧姆金属电极包括依次堆叠设置的Pd层、Ge层、Ti层、Pt层和Au层，其中，Pd层设置于n+‑GaAs层的表面。本发明能够提高GaAs PCSS寿命和可靠性，能够解决现有GaAs PCSS由电极边缘电场集中、热累积引起电极烧蚀、脱落，最终导致器件失效的问题。