公开(公告)号：CN114657635A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202210280039.8

申请日：2022-03-22

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 周祚万 ,  阙龙坤 ,  简贤 ,  李金阳 ,  郭一帆 ,  徐晓铃 ,  韦炜 ,  王滨 ,  李果 ,  赵蒙蒙

IPC: C30B25/00 ,  C30B29/02 ,  C23G5/00 ,  C22F1/02 ,  C22F1/08 ,  C22F1/10 ,  C22F1/18 ,  C21D9/46 ,  C23F17/00

Abstract: 本发明属于单晶薄膜技术领域，涉及一种快速制备单晶石墨烯的方法。本发明提供一种单晶石墨烯的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：1)采用含氮气体等离子体处理金属箔；2)将等离子体处理后的金属箔置于反应炉中并通入惰性气体，然后升温至退火温度后进行退火处理；3)向反应炉中导入碳源和还原性气体，在生长温度下开始石墨烯单晶的生长，生长结束后即得所述单晶石墨烯。本发明利用氨气和/或氮气等含氮气体结合等离子体法处理金属箔，再用该处理后的金属箔用于生长单晶石墨烯，发现等离子体诱导活化的金属箔能够有效将单晶石墨烯成核位点数量最低降至0.4mm‑2，与此同时单晶石墨烯生长速率达到38.3μm/min生长速率。