公开(公告)号：CN104425484A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410453701.0

申请日：2014-09-05

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J·威尔门 ,  曹轶群 ,  U·格拉瑟 ,  M-M·赫尔 ,  J·勒邦 ,  M·迈尔霍弗 ,  A·梅瑟 ,  M·施特歇尔

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L31/173 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/15 ,  H01L29/808 ,  H02H3/20

Abstract: 本发明涉及半导体部件以及触发雪崩击穿的方法。半导体部件包括配置以发射辐射的辅助半导体器件。半导体部件进一步包括半导体器件。在辅助半导体器件和半导体器件之间的电耦合和光耦合配置以，通过辅助半导体器件来触发辐射的发射，以及通过半导体器件中的对辐射的吸收来触发半导体器件中的雪崩击穿。半导体器件包括在第一导电类型的第一层与第二导电类型的掺杂半导体区之间的PN结，该第一层埋在半导体本体的表面下方，该掺杂半导体区之设置在该表面与第一层之间。