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公开(公告)号：CN1488702A
公开(公告)日：2004-04-14
申请号：CN03155318.4
申请日：2003-08-27
Applicant: 花王株式会社
IPC: C09K3/14
CPC classification number: H01L21/02024 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , H01L21/31053
Abstract: 本发明提供，一种含有水系介质和研磨粒子的研磨液组合物，粒径在2～200nm范围的研磨粒子，其含量为50体积％以上，且研磨粒子中粒径在2nm以上且小于58nm的粒子，粒径在58nm以上且小于75nm的粒子，粒径在75nm至200nm的粒子分别占研磨粒子总量的40～75体积％，0～50体积％，10～60体积％；一种含有水系介质和研磨粒子的研磨液组合物，其中平均粒径为2～50nm的研磨粒子组A和平均粒径为52～200nm的研磨粒子组B的重量比A/B为0.5/1～4.5/1；使用该研磨液组合物的研磨方法、半导体基板的平坦化方法及半导体装置的制造方法。
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公开(公告)号：CN103270129B
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201180062469.2
申请日：2011-12-21
Applicant: 花王株式会社
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1463 , G11B5/8404
Abstract: 提供一种研磨液组合物的制造方法，其能够减少研磨后的被研磨物的划痕及颗粒。一种研磨液组合物的制造方法，其包括用进行过滤的过滤器对含有一次粒子的平均粒径为1～100nm的胶态二氧化硅的二氧化硅粒子分散液进行过滤处理，其中，前述进行过滤的过滤器含有用分子内具有9～200个阳离子性基团的多元胺化合物进行了阳离子化处理的硅藻土。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101568615B
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN200780047959.9
申请日：2007-12-28
Applicant: 花王株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: C09G1/02 , B24B7/241 , B24B37/044 , C01F17/0043 , C01G25/00 , C01G25/02 , C01P2002/50 , C01P2002/54 , C01P2002/72 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C09K3/1436 , C09K3/1463 , H01L21/304 , H01L21/31053
Abstract: 本发明提供一种研磨液组合物，其含有包含铈和锆的复合氧化物粒子、分散剂和水系介质，其中，在通过照射CuKα1射线(λ＝0.154050nm)而获得的所述复合氧化物粒子的粉末X射线衍射光谱中，分别存在下述峰：顶点在衍射角2θ(θ为布拉格角)为28.61～29.67°的范围内的峰(第1峰)；顶点在衍射角2θ为33.14～34.53°的范围内的峰(第2峰)；顶点在衍射角2θ为47.57～49.63°的范围内的峰(第3峰)；以及顶点在衍射角2θ为56.45～58.91°的范围内的峰(第4峰)，并且，所述第1峰的半峰宽为0.8°以下。
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公开(公告)号：CN1986612B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN200610169045.7
申请日：2006-12-19
Applicant: 花王株式会社
Abstract: 本发明提供了玻璃基板用研磨液组合物以及使用该研磨液组合物的玻璃基板的制造方法，其中所述玻璃基板用研磨液组合物含有一次粒子的平均粒径为5～50nm的二氧化硅和重均分子量为1000～5000的丙烯酸/磺酸共聚物，该研磨液组合物的pH为0.5～5。玻璃基板用研磨液组合物适用于例如玻璃硬盘、强化玻璃基板用的铝硅酸盐玻璃以及玻璃陶瓷基板(晶化玻璃基板)、合成石英玻璃基板(光掩模基板)等的制造。
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公开(公告)号：CN1986612A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200610169045.7
申请日：2006-12-19
Applicant: 花王株式会社
Abstract: 本发明提供了玻璃基板用研磨液组合物以及使用该研磨液组合物的玻璃基板的制造方法，其中所述玻璃基板用研磨液组合物含有一次粒子的平均粒径为5～50nm的二氧化硅和重均分子量为1000～5000的丙烯酸/磺酸共聚物，该研磨液组合物的pH为0.5～5。玻璃基板用研磨液组合物适用于例如玻璃硬盘、强化玻璃基板用的铝硅酸盐玻璃以及玻璃陶瓷基板(晶化玻璃基板)、合成石英玻璃基板(光掩模基板)等的制造。
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公开(公告)号：CN1249132C
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN03127287.8
申请日：2003-09-30
Applicant: 花王株式会社
IPC: C08J5/14
Abstract: 本发明提供能够高速研磨硅、玻璃、氧化物、氮化物、金属等被研磨底材和被加工膜，而且很少发生刮痕的研磨液组合物，使用该研磨液组合物的被研磨底材的研磨方法以及使用该研磨液组合物提高被研磨底材研磨速度的方法。研磨液组合物，在水系介质中含有聚合物粒子以及无机粒子，该无机粒子的平均粒径为5-170nm，而且上述聚合物粒子的平均粒径Dp(nm)和上述无机粒子的平均粒径Di(nm)满足下式(1)：Dp≤Di+50nm，使用该研磨液组合物研磨被研磨底材的被研磨底材的研磨方法，以及使用上述研磨液组合物提高被研磨底材研磨速度的方法。
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公开(公告)号：CN1517424A
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN200310124746.5
申请日：2003-12-26
Applicant: 花王株式会社
CPC classification number: C09G1/02 , C08K3/36 , H01L21/31053
Abstract: 本发明提供在水系介质中含有二氧化硅粒子、聚合物粒子和阳离子型化合物的研磨液组合物，使用该研磨液组合物的精密部件用基片的研磨方法，使用前述的研磨液组合物的精密部件用基片的平整化方法，具有使用前述研磨液组合物(第1研磨液组合物)在研磨负荷50～1000hPa下进行研磨的第1工序，和使用在水系介质中含有二氧化硅粒子的第2研磨液组合物在研磨负荷50～1000hPa下进行研磨的第2工序的精密部件用基片的平整化方法。前述的研磨液组合物，例如在平整形成薄膜的表面上具有凹凸的半导体基片时有用。
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