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公开(公告)号：CN112041931A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201980029110.1
申请日：2019-03-07
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 多种应用可包含如下设备和/或方法：其包含通过一或多个数据温度分析器操作多个累加器来对到逻辑块地址范围的主机写入计数，跟踪存储器装置的逻辑块地址的数据温度。主机写入的数据的数据温度是覆写逻辑块地址处的数据的频率的度量。在各种实施例中，跟踪可包含使所述多个累加器中的每一个进行的计数的起点交错以提供逻辑块地址带区到温度区中的后续分组，这可达成更好的数据分离。可基于一或多个数据温度分析器对所述多个累加器的交错操作提供的分组，将从主机接收的具有逻辑块地址的数据路由到与温度区相关联的块。公开了额外的设备、系统和方法。
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公开(公告)号：CN111758091A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201880061492.1
申请日：2018-08-29
Applicant: 美光科技公司
IPC: G06F12/0868 , G06F13/42
Abstract: 在一些实例中揭示特征为可定制单电平单元SLC及多电平单元MLC配置的存储器装置。SLC存储器单元充当提供SLC层级性能以及拥有MLC存储器单元的存储器装置的存储容量的高速缓存。配置为MLC的单元的比例相对配置为SLC存储装置的单元的比例可为可配置的，且在一些实例中，所述比例在使用期间可基于可配置规则而改变，所述可配置规则基于若干存储器装置度量。在一些实例中，当装置活动低于活动阈值时，所述存储器装置可跳过SLC高速缓存并将数据直接放置到MLC存储装置中以减少电力消耗。
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公开(公告)号：CN111538675A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201911380341.5
申请日：2019-12-27
Applicant: 美光科技公司
IPC: G06F12/02
Abstract: 本申请涉及使用块盖写率进行无用单元收集候选对象选择。存储器系统中的处理装置确定存储器组件上的多个数据块中的第一数据块是否满足第一阈值准则，所述第一阈值准则关于所述多个数据块中具有比所述多个数据块的其余部分低的有效数据量的第一数目。响应于所述第一数据块满足所述第一阈值准则，所述处理装置确定所述第一数据块是否满足第二阈值准则，所述第二阈值准则关于所述多个数据块中比所述多个数据块的所述其余部分更新近地被写的第二数目。响应于所述第一数据块满足所述第二阈值准则，所述处理装置确定所述第一数据块上的有效数据量的变化率是否满足第三阈值准则。响应于所述变化率满足所述第三阈值准则，所述处理装置将所述第一数据块识别为所述存储器组件上的无用单元收集候选对象。
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公开(公告)号：CN111433754A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201780096675.2
申请日：2017-09-30
Applicant: 美光科技公司
IPC: G06F12/16
Abstract: 本发明揭示用于在基于快闪的存储系统中起始及控制先占式闲置时间读取扫描的装置及技术。在实例中，存储器装置包含：NAND存储器阵列；及存储器控制器，其用以调度并起始所述存储器阵列的多个位置中的读取扫描，其中此类读取扫描在所述存储器装置的闲置(背景)状态期间先占地触发，因此缩减在所述存储器装置的活动(前景)状态中的读取及写入操作期间的主机延时。在实例中，优化技术包含：调度读取扫描操作；监测主机IO操作的活动或闲置状态；及在所述读取扫描操作经调度发生之前，在进入闲置状态时先占地起始所述读取扫描操作。在另外实例中，所述读取扫描可基于基于时间的调度、基于频率的条件或触发所述读取扫描的事件驱动条件而先占地发生。
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公开(公告)号：CN109727622A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811291888.3
申请日：2018-10-31
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本发明在一些实例中公开了系统、方法、机器可读媒体和NAND存储器装置，其利用较高读取余量单元类型来提供较细粒度读取干扰指示符而不需要利用虚设单元。举例来说，NAND架构可具有经配置为SLC或MLC单元的一些单元。SLC或MLC单元具有较多的读取干扰余量，即，这些单元可在位错误发生之前承受比TLC或QLC单元更多的进入单元的读取干扰电流泄漏。这些较高余量单元可充当用于具有相对较低读取干扰余量的一组单元的所述读取干扰指示符。由于存在这些较高余量单元的页比虚设单元的页更多，因此这些指示符可充当比所述虚设页更小的一组页。这减少了完成读取干扰扫描所需的时间，因为需要扫描较少的页。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112905382B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202011402501.4
申请日：2020-12-02
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本申请涉及数据单元的基于回归的校准及扫描。可执行读取操作以读取存储在数据块处的数据。可基于所述多个读取操作确定在与所述数据块相关联的一对编程分布之间的间隔的参数。可接收读取存储在所述数据块处的所述数据的读取请求。响应于接收到所述读取请求，可基于反映在与所述数据块相关联的所述一对编程分布之间的分离的参数执行读取操作，以读取存储在所述数据块处的所述数据。
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公开(公告)号：CN119166066A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411292034.2
申请日：2020-12-24
Applicant: 美光科技公司
IPC: G06F3/06
Abstract: 本申请涉及完全多平面操作启用。闪存控制器可以确定存储器管芯的平面集合中的第一平面是无效平面。所述闪存控制器可以发布与用于所述存储器管芯的所述平面集合的多平面操作相关联的单个描述符。所述单个描述符可以包含用于所述多平面操作的多个命令，其中基于所述第一平面是所述无效平面，所述多个命令中的第一命令可以是所述多个命令中的第二命令的副本。在一些情况下，与非NAND控制器可以接收与用于所述存储器管芯的所述平面集合的所述多平面操作相关联的所述单个描述符。所述NAND控制器可以基于接收所述单个描述符来发布用于所述多平面操作的多个命令。
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公开(公告)号：CN113168292B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN201980079546.1
申请日：2019-10-29
Applicant: 美光科技公司
IPC: G06F3/06
Abstract: 在存储器组件的第一部分中基于相关联读取计数识别第一数据块。关于所述存储器组件的具有比所述第一部分低的读取时延的第二部分是否具有未使用存储来存储存储于所述第一数据块处的数据做出确定。响应于确定所述第二部分具有所述未使用存储，将存储于所述第一部分中的所述第一数据块处的数据重定位到所述第二部分中的第二数据块。对所述第一数据块中的每一字线评估错误率。如果存在具有较高错误率且位于具有较低错误率的其它字线之间的某些字线，那么将对应于具有较低错误率的邻近字线的数据重定位到所述存储器组件的所述第二部分。
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公开(公告)号：CN112041931B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN201980029110.1
申请日：2019-03-07
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 多种应用可包含如下设备和/或方法：其包含通过一或多个数据温度分析器操作多个累加器来对到逻辑块地址范围的主机写入计数，跟踪存储器装置的逻辑块地址的数据温度。主机写入的数据的数据温度是覆写逻辑块地址处的数据的频率的度量。在各种实施例中，跟踪可包含使所述多个累加器中的每一个进行的计数的起点交错以提供逻辑块地址带区到温度区中的后续分组，这可达成更好的数据分离。可基于一或多个数据温度分析器对所述多个累加器的交错操作提供的分组，将从主机接收的具有逻辑块地址的数据路由到与温度区相关联的块。公开了额外的设备、系统和方法。
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公开(公告)号：CN112997254B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN201980074189.X
申请日：2019-10-01
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 各种应用可包含用于抢先检测存储器装置中的容易出现缺陷的存储器块并且在这些存储器块发生故障并触发数据丢失事件之前处理这些存储器块的设备及/或方法。基于存储器操作的度量可用于促进所述存储器块的检查。可跟踪与存储器块上的存储器操作相关联的一或多个度量并且可产生每个度量的Z分数。响应于度量的Z分数与所述度量的Z分数阈值的比较，可执行操作以控制从所述比较开始的所述存储器块的可能引退。公开了另外的设备、系统及方法。
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