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公开(公告)号：CN1738027A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200510091409.X
申请日：2005-08-10
IPC: H01L21/822 , H01L21/28 , H01L21/768 , H01L21/60 , H01L27/00 , H01L25/00
Abstract: 本发明提供一种半导体芯片的制造方法，包括：在具有表面及背面并在所述表面上形成了功能元件的半导体基板的所述表面上，形成比所述半导体基板的厚度更小的给定的深度的表面侧凹部的工序；向该表面侧凹部内供给非金属材料，将由该非金属材料制成的虚设塞子嵌入所述表面侧凹部中的虚设塞子形成工序；在该虚设塞子形成工序之后，将所述半导体基板的所述背面侧部分除去，将所述半导体基板薄型化为比所述表面侧凹部的深度更小的厚度，将所述表面侧凹部制成贯穿孔的薄型化工序；将所述贯穿孔内的所述虚设塞子除去的虚设塞子除去工序；在该虚设塞子除去工序之后，向所述贯穿孔供给金属材料，形成贯穿电极的工序。
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公开(公告)号：CN100461371C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200510091409.X
申请日：2005-08-10
IPC: H01L21/822 , H01L21/28 , H01L21/768 , H01L21/60 , H01L27/00 , H01L25/00
Abstract: 本发明提供一种半导体芯片的制造方法，包括：在具有表面及背面并在所述表面上形成了功能元件的半导体基板的所述表面上，形成比所述半导体基板的厚度更小的给定的深度的表面侧凹部的工序；向该表面侧凹部内供给非金属材料，将由该非金属材料制成的虚设塞子嵌入所述表面侧凹部中的虚设塞子形成工序；在该虚设塞子形成工序之后，将所述半导体基板的所述背面侧部分除去，将所述半导体基板薄型化为比所述表面侧凹部的深度更小的厚度，将所述表面侧凹部制成贯穿孔的薄型化工序；将所述贯穿孔内的所述虚设塞子除去的虚设塞子除去工序；在该虚设塞子除去工序之后，向所述贯穿孔供给金属材料，形成贯穿电极的工序。
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公开(公告)号：CN1538511A
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN200410034639.8
申请日：2004-04-19
CPC classification number: H01L21/563 , H01L24/29 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/05647 , H01L2224/16225 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/83192 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/10253 , H01L2924/3511 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 一种半导体装置的制造方法，可实现高可靠性的半导体芯片的电极和衬底的电连接。在衬底2上未形成第一电极3的区域涂敷密封树脂4。准备端部形成有第二电极7的半导体芯片6，使该半导体芯片6的表面与衬底2的表面相对配置，自其背面使第一可动板8a向下动，按压半导体芯片6的端部，从而将第二电极7与第一电极3压接。然后，自其背面使第二可动板8b向下动，按压半导体芯片6的中央部，将密封树脂4填充在衬底2和半导体芯片6之间的空间中。
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公开(公告)号：CN100411127C
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200410049534.X
申请日：2004-06-16
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L23/481 , H01L2224/16 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06582 , H01L2924/01004 , H01L2924/01078
Abstract: 一种半导体器件。在将有电极的多个半导体芯片之间介由低熔点金属构件连接的安装结构中，实现电极间的良好电气及机械连接。在第一半导体芯片(1)的表面上形成凸点电极(3)。在第二半导体芯片(10)中，形成通孔(11)，形成在该通孔(11)的中央有空隙(13)的贯通电极(12)。在凸点电极(3)和贯通电极(12)的接合面中，夹置低熔点金属构件(4)，同时使低熔点金属构件(4)的一部分在熔融时流入到贯通电极(12)的空隙(13)中。由此，可以防止因在相邻的凸点电极(3、3)之间供给过剩的低熔点金属构件(4)而导致凸点电极(3、3)间的短路。
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公开(公告)号：CN1291469C
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200410034639.8
申请日：2004-04-19
CPC classification number: H01L21/563 , H01L24/29 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/05647 , H01L2224/16225 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/83192 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/10253 , H01L2924/3511 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 一种半导体装置的制造方法，可实现高可靠性的半导体芯片的电极和衬底的电连接。在衬底(2)上未形成第一电极(3)的区域涂敷密封树脂(4)。准备端部形成有第二电极(7)的半导体芯片(6)，使该半导体芯片(6)的表面与衬底(2)的表面相对配置，自其背面使第一可动板(8a)向下动，按压半导体芯片(6)的端部，从而将第二电极(7)与第一电极(3)压接。然后，自其背面使第二可动板(8b)向下动，按压半导体芯片(6)的中央部，将密封树脂(4)填充在衬底(2)和半导体芯片(6)之间的空间中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1574264A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410049534.X
申请日：2004-06-16
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L23/481 , H01L2224/16 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06582 , H01L2924/01004 , H01L2924/01078
Abstract: 一种半导体器件。在将有电极的多个半导体芯片之间介由低熔点金属构件连接的安装结构中，实现电极间的良好电气及机械连接。在第一半导体芯片(1)的表面上形成凸点电极(3)。在第二半导体芯片(10)中，形成通孔(11)，形成在该通孔(11)的中央有空隙(13)的贯通电极(12)。在凸点电极(3)和贯通电极(12)的接合面中，夹置低熔点金属构件(4)，同时使低熔点金属构件(4)的一部分在熔融时流入到贯通电极(12)的空隙(13)中。由此，可以防止因在相邻的凸点电极(3、3)之间供给过剩的低熔点金属构件(4)而导致凸点电极(3、3)间的短路。
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公开(公告)号：CN1503337A
公开(公告)日：2004-06-09
申请号：CN200310116443.9
申请日：2003-11-21
CPC classification number: H01L24/13 , H01L24/11 , H01L2224/05001 , H01L2224/05022 , H01L2224/05023 , H01L2224/05027 , H01L2224/05184 , H01L2224/05568 , H01L2224/10126 , H01L2224/1147 , H01L2224/11474 , H01L2224/11901 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2924/00013 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01052 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2224/131 , H01L2224/13099 , H01L2224/29099 , H01L2224/05611 , H01L2224/05124 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166
Abstract: 一种半导体装置的制造方法，包括：在半导体基板上形成由金属构成的、在给定位置上具有开口的阻挡掩模层的工艺；向上述阻挡掩模层的开口内供给金属材料并形成由该金属构成的凸出电极的金属材料供给工艺；在该金属材料供给工艺之后除去上述阻挡掩模层的工艺。
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公开(公告)号：CN101179058A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200710196110.X
申请日：2004-05-13
IPC: H01L23/485 , H01L25/00 , H01L25/065
CPC classification number: H01L25/50 , H01L21/76898 , H01L23/3128 , H01L23/481 , H01L24/11 , H01L24/48 , H01L25/0657 , H01L2224/02372 , H01L2224/06181 , H01L2224/13025 , H01L2224/13099 , H01L2224/14181 , H01L2224/16145 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06586 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01049 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2224/45099
Abstract: 一种半导体芯片，包括：具有表面及背面的半导体基板；在该半导体基板的所述表面形成的功能元件；以及与该功能元件电连接，配置在在该功能元件的侧面沿厚度方向贯通所述半导体基板的贯通孔内，并将所述半导体基板的所述表面侧及所述背面侧电连接的贯通电极，所述贯通电极，包括：具有形成至所述贯通孔深度方向的中途、以便塞住所述贯通孔的部分的籽晶层；配置在比所述籽晶层的塞住所述贯通孔的部分更靠近所述表面侧的表面侧电极；以及配置在比所述籽晶层的塞住所述贯通孔的部分更靠近所述背面侧的背面侧电极。
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公开(公告)号：CN100383937C
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200410044584.9
申请日：2004-05-13
CPC classification number: H01L25/50 , H01L21/76898 , H01L23/3128 , H01L23/481 , H01L24/11 , H01L24/48 , H01L25/0657 , H01L2224/02372 , H01L2224/06181 , H01L2224/13025 , H01L2224/13099 , H01L2224/14181 , H01L2224/16145 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06586 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01049 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2224/45099
Abstract: 一种半导体芯片的制造方法，包括：从具有表面及背面且在表面上形成有功能元件的半导体基板的表面，形成沿该半导体基板的厚度方向延伸的表面侧凹处的工序；向该表面侧凹处内供给金属材料，形成与功能元件电连接的表面侧电极的表面侧电极形成工序；从背面去除半导体基板，将半导体基板薄形化至比表面侧凹处的深度大的所定厚度的薄型化工序；在该薄型化工序之后，通过在半导体基板的背面形成与表面侧凹处连通的背面侧凹处，从而形成包括表面侧凹处和背面侧凹处在内的连续的贯通孔的背面侧凹处形成工序；向背面侧凹处供给金属材料，形成与表面侧电极电连接的、与表面侧电极一起构成贯通半导体基板的贯通电极的背面侧电极形成工序。
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公开(公告)号：CN100521176C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200710196110.X
申请日：2004-05-13
IPC: H01L23/485 , H01L25/00 , H01L25/065
CPC classification number: H01L25/50 , H01L21/76898 , H01L23/3128 , H01L23/481 , H01L24/11 , H01L24/48 , H01L25/0657 , H01L2224/02372 , H01L2224/06181 , H01L2224/13025 , H01L2224/13099 , H01L2224/14181 , H01L2224/16145 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06586 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01049 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2224/45099
Abstract: 一种半导体芯片，包括：具有表面及背面的半导体基板；在该半导体基板的所述表面形成的功能元件；以及与该功能元件电连接，配置在该功能元件的侧面沿厚度方向贯通所述半导体基板的贯通孔内，并将所述半导体基板的所述表面侧及所述背面侧电连接的贯通电极，所述贯通电极，包括：具有形成至所述贯通孔深度方向的中途、以便塞住所述贯通孔的部分的籽晶层；配置在比所述籽晶层的塞住所述贯通孔的部分更靠近所述表面侧的表面侧电极；以及配置在比所述籽晶层的塞住所述贯通孔的部分更靠近所述背面侧的背面侧电极。
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