公开(公告)号：CN103086317A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201210429745.0

申请日：2012-10-31

Applicant: 索尼公司 ,  索尼信息技术股份有限公司

Inventor： 大川直树 ,  铃木幸惠

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C3/001 ,  B29C65/4895 ,  B81B2201/058 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/037

Abstract: 本发明涉及基板层的融合方法和装置及微流体芯片的制造方法。提供的基板层的融合方法，包括：使用对树脂具有溶解性的有机溶剂处理由树脂制成的基板层的接合面；以及在低于树脂的玻璃化转变温度或软化点温度下加热经处理的基板层，并压接加热的基板层。

公开(公告)号：CN1222941C

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：CN01808073.1

申请日：2001-12-26

Applicant: 索尼公司

Inventor： 荒谷胜久 ,  田中信太郎 ,  大川直树

IPC: G11B7/24 ,  G11B11/105

CPC classification number: G11B7/24038 ,  G11B7/258 ,  G11B7/259 ,  G11B7/26

Abstract: 依据本发明，提供一种光记录介质，包括至少一个信息记录层和反射膜层，其中，所述反射膜层由包含大于或等于3.0[原子%]并且小于或等于6.5[原子%]的Cu含量的AgCu合金薄膜层所组成。这样，该光记录介质可被便宜地制造，以及对于天气的抵抗力可被提高，因此，在光记录介质被存储长时间之后其特性可以避免恶化。

公开(公告)号：CN103086317B

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201210429745.0

申请日：2012-10-31

Applicant: 索尼公司 ,  索尼信息技术股份有限公司

Inventor： 大川直树 ,  铃木幸惠

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C3/001 ,  B29C65/4895 ,  B81B2201/058 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/037

Abstract: 本发明涉及基板层的融合方法和装置及微流体芯片的制造方法。提供的基板层的融合方法，包括：使用对树脂具有溶解性的有机溶剂处理由树脂制成的基板层的接合面；以及在低于树脂的玻璃化转变温度或软化点温度下加热经处理的基板层，并压接加热的基板层。

公开(公告)号：CN1423813A

公开(公告)日：2003-06-11

申请号：CN01808073.1

申请日：2001-12-26

Applicant: 索尼公司

Inventor： 荒谷胜久 ,  田中信太郎 ,  大川直树

IPC: G11B7/24 ,  G11B11/105

CPC classification number: G11B7/24038 ,  G11B7/258 ,  G11B7/259 ,  G11B7/26

Abstract: 依据本发明,提供一种光记录介质,包括至少一个信息记录层和反射膜层,其中,所述反射膜层由包含大于或等于3.0[原子%]并且小于或等于6.5[原子%]的Cu含量的AgCu合金薄膜层所组成。这样,该光记录介质可被便宜地制造,以及对于天气的抵抗力可被提高,因此,在光记录介质被存储长时间之后其特性可以避免恶化。