存储元件和存储装置
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102157526A

    公开(公告)日:2011-08-17

    申请号:CN201010576654.0

    申请日:2010-12-07

    Applicant: 索尼公司

    Abstract: 本发明提供了存储元件和存储装置,它们能够减小多个存储元件的在初始状态或擦除状态下的电阻值差异,并且对于多次写入/擦除操作能够保持写入/擦除状态下的电阻值。所述存储元件包括依次设置的第一电极、存储层和第二电极。所述存储层具有:离子源层,它含有碲(Te)、硫(S)、硒(Se)这些硫族元素中的至少一者,并含有选自于铜(Cu)、银(Ag)、锌(Zn)和锆(Zr)的至少一种金属元素;以及两个以上高电阻层,它们的电阻值高于所述离子源层的电阻值,并且具有不同的成分。所述存储装置包括脉冲施加部和多个上述存储元件,所述脉冲施加部选择性地向这些存储元件施加电压或电流的脉冲。本发明的存储元件和存储装置改善了多次写入/擦除操作时的电阻值保持特性。

    多层光盘
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1204839A

    公开(公告)日:1999-01-13

    申请号:CN98103132.3

    申请日:1998-06-20

    Applicant: 索尼公司

    Inventor: 荒谷胜久

    Abstract: 具有第一信息层和第二信息层的多层光盘中,使高质量再现成为可能。为达到此目的,提供有一种结构,其中,第一信息层和第二信息层分层叠压形成一张光盘。其次,第一信息层具有金属反射膜,其反射率对于波长范围为770nm~830nm的第一再现光大于90%;构成的第二信息层具有半透明反射膜,其中对于上述第一再现光的折射率ns1和对于波长范围为615nm~655nm的第二再现光的折射率ns2的对应实数部分之间的比值ns2/ns1大于1.05。

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