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公开(公告)号：CN102194990A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110028845.8
申请日：2011-01-26
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 野田贵史
CPC classification number: G01J5/0205 , G01J5/02 , G01J5/0225 , G01J5/023 , G01J5/024 , G01J5/10 , G01J5/34
Abstract: 本发明提供一种热式光检测器、热式光检测装置、电子设备以及热式光检测器的制造方法。该热式光检测器包括：基板、热式光检测元件，包括有光吸收膜；支承部件，在支承所述热式光检测元件的同时，以和所述基板之间具有空腔部的方式被所述基板所支承；以及凸形状的至少一个辅助支柱，从所述基板以及所述支承部件的任一个向另一个突出，其中，所述至少一个辅助支柱的高度设定为小于从所述基板到所述支承部件的最大高度。
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公开(公告)号：CN110970798A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201910891379.2
申请日：2019-09-20
IPC: H01S5/32 , H01S5/323 , H01S5/34 , H01S5/343 , H01L33/00 , H01L33/06 , H01L33/24 , H01L33/28 , G03B21/20
Abstract: 本发明提供发光装置以及投影仪。提供能够具有较高的发光效率的发光装置。发光装置具有：基体；以及层叠体，其设于所述基体，具有多个柱状部，所述柱状部具有：第1半导体层；第2半导体层，其导电类型与所述第1半导体层不同；以及发光层，其设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间，所述第1半导体层具有小平面、c面和m面，所述发光层具有：小平面区域，其设于所述小平面；以及c面区域，其设于所述c面，所述发光层不具有设于所述m面的区域，在从所述层叠体的层叠方向观察的俯视观察下，所述c面区域大于所述小平面区域。
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公开(公告)号：CN102313602B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201110174431.6
申请日：2011-06-24
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 野田贵史
CPC classification number: G01J5/02 , G01J5/023 , G01J5/024 , G01J5/04 , G01J5/046 , G01J5/08 , G01J5/0853 , G01J5/34 , H01L37/02
Abstract: 本发明提供了热电型检测器、热电型检测装置和电子设备。搭载在面对空穴部而配置的支撑部件上部的热电型检测元件具有电容器以及层间绝缘层，电容器包括在包括第一区域和第二区域的第一电极的第一区域上部形成的热电材料、以及形成在热电材料上部的第二电极；层间绝缘层覆盖电容器的表面并具有通到第一电极的第二区域的第一接触孔以及通到第二电极的第二接触孔。并且，在与嵌入到第一接触孔的第一插头连接的第一电极配线层和与嵌入到第二接触孔的第二插头连接的第二电极配线层中，第二电极配线层的热传导率比第二插头部分的第二电极的热传导率低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104075810A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410105432.9
申请日：2014-03-20
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G01J5/10
Abstract: 本发明提供能够提高红外线传感器的灵敏度的红外线传感器、热检测元件及使用它的热检测方法。上述红外线传感器具备依次层叠有第1电极11、电介质膜12和第2电极13的热检测元件10以及电荷检测机构21，电介质膜12显示反铁电性，且在规定的测定环境下具有自发极化，电荷检测机构21算出因自发极化的变化而流通的松弛电流量，基于松弛电流量的温度依赖性，检测热检测元件10的热。
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公开(公告)号：CN102194833A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110029151.6
申请日：2011-01-26
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 野田贵史
CPC classification number: G01J5/34 , G01J5/023 , G01J5/024 , G01J5/10 , G01J5/20 , H01L37/02 , Y10T29/49826
Abstract: 本发明提供热式光检测器及其制造方法、热式光检测装置、电子设备。热式光检测器，该热式光检测器包括被基板支承的支承部件，支承部件具有：承载热式光检测元件的承载部；以及一端与所述承载部连接、另一端与所述基板连接的至少一个臂部，所述承载部以及所述至少一个臂部中的至少一者具有：第一部件，设置在所述基板侧，且横截面形状的横向宽度被设定为第一宽度；第二部件，在所述热式光检测元件侧与所述第一部件相对地设置，且横截面形状的横向宽度被设定为所述第一宽度；以及第三部件，连接所述第一部件与所述第二部件，并且，横截面形状的横向宽度被设定为小于所述第一宽度的第二宽度。
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公开(公告)号：CN114649740B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202111532340.5
申请日：2021-12-15
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01S5/02345 , G03B21/20 , H10H29/32 , H10H29/39 , H10H29/49 , H01S5/0239 , H01S5/026
Abstract: 发光装置和投影仪，能够实现小型化。该发光装置具有基板、晶体管、发光元件以及将所述晶体管与所述发光元件电连接的布线，所述晶体管具有设置于所述基板的第1杂质区域、设置于所述基板且导电型与所述第1杂质区域相同的第2杂质区域以及栅极，所述发光元件具有层叠体，该层叠体具有多个柱状部，多个所述柱状部各自具有第1半导体层、第2半导体层以及发光层，所述第1半导体层配置在所述基板与所述发光层之间，所述布线是设置于所述基板的第3杂质区域，所述层叠体配置在所述第3杂质区域，所述第3杂质区域的导电型与所述第1半导体层的导电型相同，所述第3杂质区域与所述第1半导体层电连接，所述第3杂质区域与所述第1杂质区域连续。
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公开(公告)号：CN114361946B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202111187770.8
申请日：2021-10-12
IPC: H01S5/343
Abstract: 本发明提供一种发光装置及投影仪，其可减小由第一阱层与第一GaN层的晶格常数差引起的结晶缺陷的产生的可能性。一种发光装置，具有：基板；以及层叠体，设置于基板且具有柱状部，所述柱状部具有：第一导电型的第一GaN层；第二导电型的第二GaN层，与所述第一导电型不同；以及发光层，设置于所述第一GaN层与所述第二GaN层之间，所述第一GaN层设置于所述基板与所述发光层之间，所述发光层具有作为InGaN层的第一阱层，所述第一GaN层具有立方晶的结晶结构的第一层，在所述第一层与所述第一阱层之间设置有作为具有六方晶的结晶结构的GaN层的第二层。
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公开(公告)号：CN110970798B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN201910891379.2
申请日：2019-09-20
IPC: H01S5/32 , H01S5/323 , H01S5/34 , H01S5/343 , H01L33/00 , H01L33/06 , H01L33/24 , H01L33/28 , G03B21/20
Abstract: 本发明提供发光装置以及投影仪。提供能够具有较高的发光效率的发光装置。发光装置具有：基体；以及层叠体，其设于所述基体，具有多个柱状部，所述柱状部具有：第1半导体层；第2半导体层，其导电类型与所述第1半导体层不同；以及发光层，其设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间，所述第1半导体层具有小平面、c面和m面，所述发光层具有：小平面区域，其设于所述小平面；以及c面区域，其设于所述c面，所述发光层不具有设于所述m面的区域，在从所述层叠体的层叠方向观察的俯视观察下，所述c面区域大于所述小平面区域。
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