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公开(公告)号：CN100541575C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200610003226.2
申请日：2006-01-27
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 片山茂宪
CPC classification number: G11C19/28
Abstract: 本发明的目的在于防止传送脉冲的穿通且实现低功耗。数据传送单位电路Uaj具有第1电路和第2电路。在传送方向向右的情况下，第1电路起着写入装置的作用，第2电路起着存储装置的作用。第1电路具有由第1晶体管P1和第2晶体管N2构成的写入开关，第2电路具有由第3晶体管N2和第4晶体管P2构成的保持开关。写入开关和保持开关都用拨动式开关方式进行动作。时钟控制电路Ubj以写入开关和保持开关在状态迁移的途中两者都成为关断状态的方式生成第1～第4时钟信号CK1j～CK4j。
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公开(公告)号：CN1205503C
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN02108003.8
申请日：2002-03-22
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 片山茂宪
IPC: G02F1/136 , G02F1/1333 , G03F7/26
CPC classification number: H01L27/1266 , G02F1/136227 , H01L27/1214 , H01L29/66772 , H01L29/78633 , H01L29/78648
Abstract: 基板装置在基板上具有第1导电层、在其上方积层的第1绝缘膜、贴合在其上的第2绝缘膜和在其上方积层的第2导电层。连接第1导电层和第2导电层的接触孔贯通贴合界面开孔。在接触孔的贯通贴合界面的地方腐蚀液不会浸入贴合界面。由此，当制造有必要贯通贴合界面开接触孔的基板装置时，在该接触孔的通过贴合界面的地方难以产生缺陷，最终可以提高装置可靠性和产品的成品率。
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公开(公告)号：CN1427483A
公开(公告)日：2003-07-02
申请号：CN02156037.4
申请日：2002-12-11
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 片山茂宪
CPC classification number: G02F1/136277 , G02F1/1368 , G02F2001/136263 , G02F2201/40
Abstract: 本发明的课题是，对SOI结构的MIS晶体管能够切实抑制寄生双极现象等基板浮置效应，提供电学特性优良的电光器件。本发明的电光器件(液晶光阀)是以包括具有第1热膨胀系数的石英基板(基板主体10A)，在石英基板上形成的绝缘体层(基底绝缘膜12)和在绝缘体层上形成的、具有第2热膨胀系数的单晶硅层(半导体层1a)的复合基板作为一侧的基板的电光器件。然后，在绝缘体层上形成以单晶硅层作为沟道区1a’的TFT30，在构成沟道区1a’的单晶硅层内至少存在一条线缺陷D。
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公开(公告)号：CN1378290A
公开(公告)日：2002-11-06
申请号：CN02107797.5
申请日：2002-03-22
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 片山茂宪
IPC: H01L29/786 , G09F9/30 , G02F1/136 , G02F1/133
CPC classification number: H01L29/78633 , G02F1/136209 , G02F1/136213 , G02F1/136227 , G02F1/1368 , G02F2202/105 , H01L21/76804 , H01L27/12 , H01L29/78621 , H01L29/78654
Abstract: 本发明的课题是一种电光基板装置,它包括在基板上的像素电极和与该像素电极连接的像素开关用的TFT。该TFT是不具有体触点的SOI结构的P沟道型TFT。这样,适合于扩展各像素的开口区域,同时可以在各像素中构成性能比较高的晶体管,从而可以进行明亮而高品位的图像显示。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111483237A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010077071.7
申请日：2020-01-23
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 一种印刷装置、学习装置及学习方法，期望提高被输送物的输送位置的精度，所述印刷装置具备输送被输送物的电机，所述印刷装置构成为具备：存储部，存储已学习模型，所述已学习模型基于包括所述被输送物的速度、所述被输送物的加速度、所述被输送物的移动量、所述被输送物的移动开始位置、所述印刷装置的周围环境、流过所述电机的电流值、由所述印刷装置印刷的印刷介质的种类及所述被输送物的累积移动量的至少一个状态变量而输出使所述被输送物的输送位置靠近基准的所述电机的控制参数；及控制部，根据基于所述已学习模型而获取的所述控制参数来控制所述电机从而进行印刷。
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公开(公告)号：CN1815537A
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200610003226.2
申请日：2006-01-27
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 片山茂宪
CPC classification number: G11C19/28
Abstract: 本发明的目的在于防止传送脉冲的穿通且实现低功耗。数据传送单位电路Uaj具有第1电路和第2电路。在传送方向向右的情况下，第1电路起着写入装置的作用，第2电路起着存储装置的作用。第1电路具有由第1晶体管P1和第2晶体管N2构成的写入开关，第2电路具有由第3晶体管N2和第4晶体管P2构成的保持开关。写入开关和保持开关都用拨动式开关方式进行动作。时钟控制电路Ubj以写入开关和保持开关在状态迁移的途中两者都成为关断状态的方式生成第1～第4时钟信号CK1j～CK4j。
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公开(公告)号：CN1255879C
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN02107797.5
申请日：2002-03-22
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 片山茂宪
IPC: H01L29/786 , G09F9/30 , G02F1/136 , G02F1/133
CPC classification number: H01L29/78633 , G02F1/136209 , G02F1/136213 , G02F1/136227 , G02F1/1368 , G02F2202/105 , H01L21/76804 , H01L27/12 , H01L29/78621 , H01L29/78654
Abstract: 本发明的课题是一种电光基板装置，它包括在基板上的像素电极和与该像素电极连接的像素开关用的TFT。该TFT是不具有体触点的SOI结构的P沟道型TFT。这样，适合于扩展各像素的开口区域，同时可以在各像素中构成性能比较高的晶体管，从而可以进行明亮而高品位的图像显示。
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公开(公告)号：CN1230906C
公开(公告)日：2005-12-07
申请号：CN02156037.4
申请日：2002-12-11
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 片山茂宪
CPC classification number: G02F1/136277 , G02F1/1368 , G02F2001/136263 , G02F2201/40
Abstract: 本发明的课题是，对SOI结构的MIS晶体管能够切实抑制寄生双极现象等基板浮置效应，提供电学特性优良的电光器件。本发明的电光器件(液晶光阀)是以包括具有第1热膨胀系数的石英基板(基板主体10A)，在石英基板上形成的绝缘体层(基底绝缘膜12)和在绝缘体层上形成的、具有第2热膨胀系数的单晶硅层(半导体层1a)的复合基板作为一侧的基板的电光器件。然后，在绝缘体层上形成以单晶硅层作为沟道区1a’的TFT30，在构成沟道区1a’的单晶硅层内至少存在一条线缺陷D。
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公开(公告)号：CN1149430C
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN98109613.1
申请日：1998-06-04
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 片山茂宪
IPC: G02F1/1335 , G09F9/00
CPC classification number: G02F1/133553 , G02F1/136213 , G02F1/136277
Abstract: 在使用半导体基板的常规反射型液晶屏中，由于在基板的表面形成保持电容，所以随着象素尺寸变小，不能确保充分的保持电容(50至100fF)，不能保持驱动液晶所必需的电压。各象素的反射电极用作构成保持电容的一对电极之一的导电层，在反射电极之下通过绝缘膜形成保持电容的另一导电层，使该另一导电层固定于预定电位。
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