公开(公告)号：CN107068673A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201611160829.3

申请日：2016-12-15

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 新田博明 ,  桑泽和伸

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/36 ,  H01L21/283 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823892 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/42304 ,  H01L29/66106 ,  H01L29/6625 ,  H01L29/66272 ,  H01L29/732 ,  H01L29/7322 ,  H01L29/735 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/866 ,  H01L27/0207 ,  H01L29/0684

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置具备：P型的半导体基板；配置在半导体基板中的N型的多个埋入扩散层；配置在第一埋入扩散层上的第一区域内的N型的第一半导体层；配置在第二埋入扩散层上的第二区域内的N型的第二半导体层；在第一埋入扩散层上于俯视观察时包围第一区域的N型的第一杂质扩散区；配置在第二半导体层中的P型的第二杂质扩散区；配置在第二半导体层中的N型的第三杂质扩散区；配置在第一半导体层中的N型的第四杂质扩散区，第二区域为，与第二埋入扩散层相接并且具有高于第二半导体层的杂质浓度的N型的杂质扩散区的禁止配置区。