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公开(公告)号：CN1244837C
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN03145797.5
申请日：1997-10-21
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 安川昌宏
IPC: G02F1/1333 , G02F1/1339
CPC classification number: G02F1/133553 , G02F1/133345 , G02F1/133512 , G02F1/13454 , G02F1/136209 , G02F1/136277 , G02F2203/02 , H04N5/7441 , H04N9/3105
Abstract: 一种液晶面板用基板，反射电极在基板上被配成矩阵形，其特征在于：在上述反射电极的下面，配置晶体管；在上述反射电极上形成氧化硅的钝化膜；和在上述反射电极和连接于上述晶体管的源极和漏极的金属层之间，具有氮化硅的层间绝缘膜。
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公开(公告)号：CN1475837A
公开(公告)日：2004-02-18
申请号：CN03145797.5
申请日：1997-10-21
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 安川昌宏
IPC: G02F1/133 , G02F1/1345
CPC classification number: G02F1/133553 , G02F1/133345 , G02F1/133512 , G02F1/13454 , G02F1/136209 , G02F1/136277 , G02F2203/02 , H04N5/7441 , H04N9/3105
Abstract: 一种液晶面板用基板，反射电极在基板上被配成矩阵形，其特征在于：在上述反射电极的下面，配置晶体管；在上述反射电极上形成氧化硅的钝化膜；和在上述反射电极和连接于上述晶体管的源极和漏极的金属层之间，具有氮化硅的层间绝缘膜。
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公开(公告)号：CN1188302A
公开(公告)日：1998-07-22
申请号：CN97120489.6
申请日：1997-10-21
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 安川昌宏
IPC: G09F9/35
CPC classification number: G02F1/133553 , G02F1/133345 , G02F1/133512 , G02F1/13454 , G02F1/136209 , G02F1/136277 , G02F2203/02 , H04N5/7441 , H04N9/3105
Abstract: 利用CVD法形成的钝化膜的厚度会产生10%左右的偏差,所以如果将其用于反射型液晶面板,反射率随着钝化膜厚度的偏差的变化而发生很大的变化,液晶的折射率也随之变化,这是不适宜的。本发明的液晶面板用基板是在基板(1)上呈矩阵状地形成反射电极(14),同时对应于各反射电极形成各晶体管,通过上述晶体管将电压加在上述反射电极上,作为钝化膜(17)使用膜厚为500～2000埃的氧化硅膜,根据入射光的波长将膜厚设定为适当的值。
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公开(公告)号：CN102193262B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201110058400.4
申请日：2011-03-10
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G02F1/1362 , G03B21/00 , H01L27/12 , G09F9/30
CPC classification number: H01L27/12 , G02F1/136209 , G02F1/136213 , G02F1/136227 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L27/13 , H01L29/78633
Abstract: 本发明涉及电光装置，其包括：在基板上对每个像素设置的像素电极；在基板和像素电极之间与像素电极对应设置的晶体管；第1电容电极，其被设置在像素电极和晶体管之间，并与像素电极和晶体管电气连接；第2电容电极，其在像素电极和第1电容电极之间隔着电容绝缘膜与第1电容电极相对地配置，并被提供规定的电位；遮光膜，其被设置成在像素电极和第2电容电极之间与晶体管至少部分地重叠，并经由在配置在该遮光膜与第2电容电极之间的绝缘膜上开孔的接触孔与第2电容电极电气连接。
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公开(公告)号：CN100477170C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200610110628.2
申请日：2006-08-04
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/84 , H01L21/768
CPC classification number: H01L29/78621 , G02F1/133605 , H01L27/1255
Abstract: 本发明的目的在于提供一种可以实现能够稳定地获得高品质的显示的电光装置的制造工艺的电光装置的制造方法。在TFT阵列基板10上，在基底绝缘膜520上形成蚀刻停止层550，在蚀刻停止层550的上方形成多条扫描线11a和使该多条扫描线11a互相短路的公共布线13，在基底绝缘膜520上形成多个TFT30，形成第1层间绝缘膜521，在第1层间绝缘膜521上形成多条数据线6a，然后通过在第1层间绝缘膜521上利用蚀刻形成切断用孔507而将公共布线13切断。
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公开(公告)号：CN1150424C
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN97120489.6
申请日：1997-10-21
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 安川昌宏
IPC: G02F1/1335 , G09F9/35
CPC classification number: G02F1/133553 , G02F1/133345 , G02F1/133512 , G02F1/13454 , G02F1/136209 , G02F1/136277 , G02F2203/02 , H04N5/7441 , H04N9/3105
Abstract: 利用CVD法形成的钝化膜的厚度会产生10%左右的偏差，所以如果将其用于反射型液晶面板，反射率随着钝化膜厚度的偏差的变化而发生很大的变化，液晶的折射率也随之变化，这是不适宜的。本发明的液晶面板用基板是在基板(1)上呈矩阵状地形成反射电极(14)，同时对应于各反射电极形成各晶体管，通过上述晶体管将电压加在上述反射电极上，作为钝化膜(17)使用膜厚为500～2000埃的氧化硅膜，根据入射光的波长将膜厚设定为适当的值。
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公开(公告)号：CN101424854B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN200810181731.5
申请日：1997-10-21
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 安川昌宏
IPC: G02F1/1362 , H04N9/31
Abstract: 一种液晶面板用基板，在基板上形成反射电极以矩阵形配置的象素区域，并在上述象素区域的周边的上述基板上设置周边电路而构成，其特征在于：在上述反射电极上，由氧化硅形成第1钝化膜；和在覆盖上述周边电路而形成的叠层构造的侧面上，形成由氮化硅构成的第2钝化膜。
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公开(公告)号：CN100485495C
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200710102667.2
申请日：1997-10-21
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 安川昌宏
IPC: G02F1/1339 , G02F1/133
Abstract: 一种液晶面板用基板，在基板上形成反射电极以矩阵形配置的象素区域，并在上述象素区域的周边的上述基板上设置周边电路而构成，其特征在于：在上述反射电极上，由氧化硅形成第1钝化膜；和在覆盖上述周边电路而形成的叠层构造的侧面上，形成由氮化硅构成的第2钝化膜。
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公开(公告)号：CN1300822C
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200310121548.3
申请日：2003-12-18
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 安川昌宏
CPC classification number: H01L31/02164 , G02F1/136209
Abstract: 本发明提供可以以良好的成品率制造可以得到该的可靠性的电光基板的方法。本发明的电光装置的制造方法，是一种使用其构成为支持基板210、和具备单晶硅层(半导体层)226的半导体基板260粘贴起来的复合基板的电光基板的制造方法，包括：在支持基板210上用规定图形形成遮光层211的工序；图形化后的遮光层211上形成绝缘体层212的工序；在绝缘体层212上形成半导体层206的工序；使该半导体层206的一部分氧化以形成氧化层226a的工序；除去氧化层226a的工序，其特征在于：把氧化层226a的层厚形成得比上述绝缘体层212的层厚更小。
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