-
公开(公告)号：CN100429747C
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200610081986.5
申请日：2006-05-16
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/288 , H01L21/768
CPC classification number: H01L27/1288 , G02F2001/136295 , H01L27/1292
Abstract: 本发明提供消除了布线宽度不同的布线图案中的膜厚差的围堰构造体、膜图案形成方法、设备、电光学装置及电子机器。本发明的围堰构造是将功能液(L)所配置的图案形成区域(P)划分的围堰构造(1)，图案形成区域(P)具备第1图案形成区域(55)、与该第1图案形成区域(55)连接并且与第1图案形成区域(55)相比宽度更小的第2图案形成区域(56)。划分第2图案形成区域(56)的围堰(34b)的内侧面部(56b)的高度低于划分第1图案形成区域(55)的围堰(34a)的内侧面部(55a)的高度。
-
公开(公告)号：CN101068014A
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200710100987.4
申请日：2007-05-08
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L23/48 , H01L27/12 , H01L21/768 , H01L21/288 , H01L21/84 , H05K1/02 , H05K3/12 , H01J9/02 , G02F1/1362 , G02F1/1343 , H05B33/02 , H05B33/10
CPC classification number: G02F1/1303 , H01L21/28 , H01L27/1292 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78603 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种能够提高膜图形的贴紧力的膜图形形成方法。在由设置在衬底(P)上的堤(B)划分的配线形成区域(34)中通过液相法形成金属配线(11、12)。金属配线(11、12)包括：沿配线形成区域的底部以及堤(B)的面对配线形成区域的侧面成膜的第一膜(F1)；在第一膜(F1)上积层而成膜的第二膜(F2)。
-
公开(公告)号：CN101060071A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200710096194.X
申请日：2007-04-18
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/84 , H01L21/768 , H05B33/10 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L27/1292 , G02F2001/136295 , H01L21/76879 , Y10T428/31504
Abstract: 本发明提供一种有助于降低制造成本的制造方法。其中在由设于基板(18)上的围堰(34)划分的图案形成区域内配置功能液，形成膜图案。具有：在基板(18)上配置第一围堰形成材料，形成第一围堰层(35)的工序；和在第一围堰层(35)上形成第二围堰层(36)的工序。第一围堰形成材料为有机材料，第二围堰层(36)由被覆第一围堰层(35)的氟系树脂材料构成。
-
公开(公告)号：CN100485903C
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200610004575.6
申请日：2006-01-28
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 守屋克之
IPC: H01L21/82 , H05B33/10 , G02F1/1362
CPC classification number: G02F1/1368
Abstract: 提供一种有源矩阵基板的制造方法等。所述方法包括：在基板(P)上形成第一方向或第二方向中任一配线(42)在交叉部56中被截断的格子图案配线(40、42、46)的第一工序；在交叉部(56)和配线(40、42、46)的一部分上形成由绝缘膜和半导体膜构成的层叠部的第二工序；形成将层叠部上被截断的配线(42)电连接的导电层(49)、及借助于半导体膜(30)与配线(42)电连接的像素电极(45)的第三工序。其中导电层(49)及像素电极(45)的形成工序，包括：通过液滴喷出法形成将导电层(49)和像素电极(45)划分的贮格围堰的工序；和在被此贮格围堰划分的区域上配置含有导电性材料的功能液的工序。能够使干法和光刻法组合的工序的次数减少。
-
公开(公告)号：CN100440428C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200610077881.2
申请日：2006-05-10
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/288 , H01L21/3205 , H01L21/768
CPC classification number: H01L51/0005 , H01L27/3295
Abstract: 本发明提供在围堰上不残留弹落的功能液的残渣、使该功能液确实地流入图案形成区域内、得到可靠性高的膜图案的膜图案形成方法，用该形成方法得到的膜图案、具备该膜图案的器件、电光学装置和电子仪器。本发明是将功能液(X1)配置在基板(P)上形成膜图案的方法，首先，在基板(P)上形成与膜图案的形成区域(34)相对应的围堰(B)。而且，将功能液(X1)配置在由围堰(B)区分的图案形成区域(34)内。而且，使功能液(X1)进行固化处理，形成膜图案。此时，在相对于围堰(B)的上面的功能液(X1)的前进接触角和后退接触角之差成为10°以上而且后退接触角成为13°以上的条件下进行功能液X1的配置。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100420002C
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200610084866.0
申请日：2006-05-23
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/84 , H01L21/768 , H01L27/12 , H01L23/522 , H05B33/10
CPC classification number: H01L51/0005 , H01L27/3295
Abstract: 在基板P上形成划分具有第1图案形成区域(52、53)和由交叉部(56)分开的第2图案形成区域(55)的图案形成区域的围堰(51)。而且，在第1图案形成区域(52、53)内形成第1膜图案、在第2图案形成区域内形成第2膜图案后，对基板的全面实施疏液处理。其后，选择地保持第2膜图案的各规定位置的疏液性的情况下、降低基板上的疏液性。在第1膜图案和第2膜图案上层叠盖层，除去第2膜图案的各规定位置的疏液性，使各规定位置之间由导电膜连接。在分开的图案形成区域内形成具有盖层的膜图案时，通过使其形成工序简单化，提供可以提高膜图案的生产率的膜图案的形成方法、有源矩阵基板、电光学装置和电子仪器。
-
公开(公告)号：CN1901157A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200610101976.3
申请日：2006-07-17
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/288 , H01L21/00 , H01L27/00 , H05B33/10 , H05B33/12 , H05K3/10 , H05K1/02
Abstract: 一种膜图案的形成方法，具有：在基板上配置第一围堰形成材料形成第一围堰层的工序；在所述第一围堰层上配置第二围堰形成材料形成第二围堰层的工序；通过将所述第一围堰层以及第二围堰层进行图案形成，形成具有由第一图案形成区域以及第二图案形成区域构成的图案形成区域的围堰的工序，该第二图案形成区域与所述第一图案形成区域连续且与所述第一图案形成区域相比宽度宽；在被所述围堰划分的所述图案形成区域配置功能液形成所述膜图案的工序，所述第一围堰形成材料及第二围堰形成材料均为以硅氧烷键为主链形成的材料，所述第二围堰形成材料为侧链上具有氟键的材料。
-
公开(公告)号：CN1862780A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200610081754.X
申请日：2006-05-11
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/288 , H01L21/02
CPC classification number: H01L29/4908 , H01L27/1292 , H01L29/458
Abstract: 本发明提供一种简化制造工序并提高生产率的TFT的制造方法。该方法具备：在基板(P)上，通过聚硅氮烷液形成与栅电极(80)的形成区域对应的第1围堰的前体(BP1)的工序；在前体(BP1)上的规定位置，通过用液滴喷出法配置聚硅氮烷而形成与源电极及漏电极的形成区域对应的第2围堰的前体(BP2)的工序；同时对前体(BP1)和前体(BP2)进行烘焙处理，同时形成以聚硅氧烷为骨架的无机质层构成的第1围堰(B1)和第2围堰(B2)的工序；在由前体(BP1)或第1围堰(B1)划分的区域形成栅电极(80)的工序；在栅电极的正上部隔着绝缘膜形成半导体层的工序；在被第2围堰划分的区域形成源电极及漏电极的工序。
-
公开(公告)号：CN1825173A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200610009045.0
申请日：2006-02-17
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 本发明提供：可以高精度、均匀形成微细化或细线化的膜图案的膜图案的形成方法。所述方法包括：在基板(P)上形成表面已疏液化的第一贮格围堰(B1)的工序；在由第一贮格围堰(B1)所划分的区域内配置第一功能液(L1)的工序；干燥第一功能液(L1)的工序；在第一贮格围堰(B1)上形成第二贮格围堰(B2)的工序；在第二贮格围堰(B2)所划分的区域，配置第二功能液(L2)的工序。在本发明中，配置第一功能液(L1)的工序与配置第二功能液(L2)的工序之间，设了使第一贮格围堰(B1)表面亲液处理的工序。由此，提高了第二功能液(L2)与作为基底的第一贮格围堰(B1)之间的湿润性，可以形成良好的第二膜图案(F2)。
-
公开(公告)号：CN1822748A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200610006788.2
申请日：2006-02-05
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 本发明的膜图案的形成方法，是在基板上配置功能液，从而形成膜图案的方法，包括：在基板上，形成与膜图案对应的围堰的围堰形成工序(S1)；以围堰为掩模，在围堰之间的底部形成凹凸的凹凸形成工序(S4)；在形成了凹凸的围堰之间，配置功能液的材料配置工序(S5)。提高能够稳定地形成细微而且高性能的膜图案的膜图案的形成方法。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
42
records
(took 0.038 seconds)
