公开(公告)号：CN101768412A

公开(公告)日：2010-07-07

申请号：CN200910215848.5

申请日：2009-12-30

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 李泰永 ,  李仁庆 ,  崔炳镐 ,  朴容淳

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/7684

Abstract: 本发明提供了一种用于制造铜互连的阻挡层抛光的CMP浆料组合物、使用该组合物的抛光方法以及包括通过该方法制造的铜互连的半导体器件。该组合物包括磨料颗粒、铜表面保护剂、铜缓蚀剂、氧化剂和pH调节剂，其中，磨料颗粒是具有约0.6或更小的平均一次粒径与平均二次粒径的比率的非球形胶体氧化硅，而所述铜表面保护剂是羧基官能化的水溶性聚合物。

公开(公告)号：CN101333421B

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN200810085569.7

申请日：2008-03-19

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 李泰永 ,  李仁庆 ,  崔炳镐 ,  朴容淳

IPC: H01L21/304 ,  C09G1/18 ,  B24B29/00

CPC classification number: C09G1/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1683

Abstract: 本发明提供了一种用于对相变存储设备进行化学机械抛光的浆料组合物，该浆料组合物含有去离子水、和铁或铁化合物。该浆料组合物可以实现对相变存储设备的高抛光速率，并提高在相变存储材料和抛光阻挡层(如氧化硅膜)间的抛光选择性，能够使加工瑕疵(如凹陷和侵蚀)的出现最小化，而且能够降低相变存储材料的蚀刻速率，从而提供高质量的抛光表面。本发明还提供了一种使用该浆料组合物对相变存储设备进行抛光的方法。

公开(公告)号：CN101821354A

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN200880111053.3

申请日：2008-01-21

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 周霍摩 ,  金元来 ,  卢钟一 ,  李仁庆 ,  李泰永

IPC: C09K3/14

CPC classification number: C09K3/1463 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C23F3/06 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明提供了一种用于金属的化学机械抛光(CMP)的浆料组合物。该浆料组合物包括其平均分子量为从约600,000至约1,300,000并且其单体为丙烯酸和丙烯酰胺以约1∶30至约30∶1的摩尔比的共聚物。该浆料组合物呈现出非普列斯东行为以达到最小化的凹陷并获得高的平坦化程度。

公开(公告)号：CN101333421A

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200810085569.7

申请日：2008-03-19

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 李泰永 ,  李仁庆 ,  崔炳镐 ,  朴容淳

IPC: C09G1/18 ,  B24B29/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09G1/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1683

Abstract: 本发明提供了一种用于对相变存储设备进行化学机械抛光的浆料组合物，该浆料组合物含有去离子水、和铁或铁化合物。该浆料组合物可以实现对相变存储设备的高抛光速率，并提高在相变存储材料和抛光阻挡层(如氧化硅膜)间的抛光选择性，能够使加工瑕疵(如凹陷和侵蚀)的出现最小化，而且能够降低相变存储材料的蚀刻速率，从而提供高质量的抛光表面。本发明还提供了一种使用该浆料组合物对相变存储设备进行抛光的方法。

公开(公告)号：CN101191036A

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN200710145660.9

申请日：2007-09-10

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 朴泰远 ,  李仁庆 ,  崔炳镐

IPC: C09G1/14 ,  C09G1/02

CPC classification number: C09K3/1463 ,  C09G1/02 ,  H01L21/31053

Abstract: 公开了一种用于化学机械抛光的淤浆组合物及其前体组合物。该抛光淤浆组合物含有磨料颗粒、pH值调节剂、表面活性剂和去离子水，其中，所述表面活性剂包括两个或更多个离子部分和两个或更多个亲脂基团。该组合物对具有阶梯高度的半导体的凸面进行抛光的抛光速率高于作为半导体抛光停止层的凹面的抛光速率，从而使抛光可以自动停止，以减少抛光过程后表面缺陷的产生，并且具有高度的抛光平面化和优良的分散稳定性。

公开(公告)号：CN1714432A

公开(公告)日：2005-12-28

申请号：CN03825534.0

申请日：2003-07-30

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 卢泫秀 ,  朴泰远 ,  李吉成 ,  李仁庆

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/30625 ,  C09G1/02

Abstract: 公开了一种用于硅晶片二次抛光的淤浆组合物，它含有2～10wt％平均颗粒直径为30～80nm的胶态二氧化硅、0.5～1.5wt％的氨、0.2～1wt％的水合烷基纤维素基聚合物用于调节组合物的流变、0.03～0.5wt％的聚氧乙烯烷基胺醚基非离子表面活性剂、0.01～1wt％的季铵碱和余量为去离子水。