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公开(公告)号：CN116194457A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202080105400.2
申请日：2020-12-18
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C07D497/10
Abstract: 本发明涉及一种有机硫化合物的制备方法，具体涉及在包含水和有机溶剂的混合溶剂以及钌催化剂下，使特定的化合物与金属次卤酸盐进行反应，以合成有机硫化合物，其中，所述金属次卤酸盐以固态投入并在一部分未被溶解的状态下进行反应的有机硫化合物的制备方法。根据本发明，具有提供反应稳定性优秀且反应时间缩短，并且副反应少，因此，有机硫化合物的产量高的有机硫化合物的制备方法的效果。
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公开(公告)号：CN115735021A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202180046637.2
申请日：2021-07-16
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明涉及薄膜形成用生长抑制剂、利用其的薄膜形成方法以及由此制造的半导体基板，具体涉及作为由化学式1表示的化合物的薄膜形成用生长抑制剂、利用其的薄膜形成方法以及由此制造的半导体基板，[化学式1]AnBmXoYiZj其中，所述A为碳或硅；所述B为氢或碳原子数为1～3的烷基；所述X为键离解能为50～350KJ/mol的离去基团；所述Y与Z各自独立地为选自氧、氮、硫以及氟中的一种以上且彼此不同；所述n为1～15的整数；所述o为1以上的整数；所述m为0～2n+1；所述i和j分别为0～3的整数。根据本发明，提供薄膜形成用生长抑制剂、利用其的薄膜形成方法以及由此制造的半导体基板，其能够抑制副反应，以降低薄膜生长率，并去除薄膜内工艺副产物，从而即便在结构复杂的基板上形成薄膜，也能够大幅改善台阶覆盖性以及薄膜的厚度均匀度。
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公开(公告)号：CN115702257A
公开(公告)日：2023-02-14
申请号：CN202180043888.5
申请日：2021-06-22
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C23C16/18 , C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/34 , C07F9/00
Abstract: 本发明涉及薄膜形成用前体、其制备方法以及包含其的薄膜制备方法，具体涉及在20℃、1bar条件下为液体，并且，包含20～100重量％的由化学式1表示的配位化合物以及0～80重量％的烷基的碳原子数为1～15的烷基氰化物的薄膜形成用前体、其制备方法以及包含其的薄膜制备方法，[化学式1]MXnLmYz其中，M为铌(Nb)、钨(W)或钼(Mo)；X为卤素元素；n为1～6的整数；L为烷基的碳原子数为1～15的烷基氰化物，或碳原子数为3～15且被一个以上的氮(N)、氧(O)、磷(O)或硫(S)取代的线性或环状饱和烃；m为1～3的整数；所结合的Y为胺；z为0～4的整数；n+z为3～6的整数。根据本发明，提供一种薄膜形成用前体、其制备方法以及包含其的薄膜制备方法，该薄膜形成用前体在常温下为液态，挥发性强，因此沉积速度非常快，并且当注入到薄膜沉积腔室时，易于处理，尤其是热稳定性出色，因而能够制备出纯度高且台阶覆盖性优秀的薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112553599A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202010111582.6
申请日：2020-02-24
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C23C16/455 , C23C16/34 , C23C16/52
Abstract: 本发明涉及薄膜制造方法，其包括：步骤(ⅰ)，使由化学式1表示的薄膜形成用生长抑制剂吸附在基板表面；以及步骤(ⅱ)，使Ti类薄膜前体吸附在吸附有薄膜形成用生长抑制剂的基板表面。本发明通过抑制副反应，降低薄膜生长速率，并通过去除薄膜内工艺副产物，即便在具有复杂结构的基板上形成薄膜时，也大幅提高阶梯覆盖率(step coverage)及薄膜的厚度均匀性。化学式1：AnBmXo其中，所述A为碳或硅，所述B为氢或碳原子数为1至3的烷基，所述X为卤素，所述n为1至15的整数，所述o为1以上的整数，m为0至2n+1。
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公开(公告)号：CN115702257B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202180043888.5
申请日：2021-06-22
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C23C16/18 , C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/34 , C07F9/00
Abstract: 本发明涉及薄膜形成用前体、其制备方法以及包含其的薄膜制备方法，具体涉及在20℃、1bar条件下为液体，并且，包含20～100重量％的由化学式1表示的配位化合物以及0～80重量％的烷基的碳原子数为1～15的烷基氰化物的薄膜形成用前体、其制备方法以及包含其的薄膜制备方法，[化学式1]MXnLmYz其中，M为铌(Nb)、钨(W)或钼(Mo)；X为卤素元素；n为1～6的整数；L为烷基的碳原子数为1～15的烷基氰化物，或碳原子数为3～15且被一个以上的氮(N)、氧(O)、磷(O)或硫(S)取代的线性或环状饱和烃；m为1～3的整数；所结合的Y为胺；z为0～4的整数；n+z为3～6的整数。根据本发明，提供一种薄膜形成用前体、其制备方法以及包含其的薄膜制备方法，该薄膜形成用前体在常温下为液态，挥发性强，因此沉积速度非常快，并且当注入到薄膜沉积腔室时，易于处理，尤其是热稳定性出色，因而能够制备出纯度高且台阶覆盖性优秀的薄膜。
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公开(公告)号：CN119736612A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411844279.1
申请日：2020-09-24
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C23C16/455 , C23C16/04 , C23C16/34 , C23C16/52 , C23C16/40 , H01L21/02 , H01L21/285
Abstract: 涉及薄膜制造方法，其包括：步骤(i)，使薄膜形成用生长抑制剂吸附在基板表面；以及步骤(ii)，使金属膜前体、金属氧化膜前体、金属氮化膜前体或硅氮化膜前体吸附在吸附有生长抑制剂的基板表面，薄膜形成用生长抑制剂由化学式1表示，金属为选自钨、钴、铬、铝、铪、钒、铌、锗、镧系元素、锕系元素、镓、钽、锆、钌、铜、钛、镍、铱以及钼中的一种以上。本发明通过抑制副反应，降低薄膜生长速率，并通过去除薄膜内的工艺副产物，即便在具有复杂结构的基板上形成薄膜时，也大幅提高阶梯覆盖率及薄膜的厚度均匀性。化学式1：AnBmXo，其中A为碳或硅，B为氢或碳原子数为1至3的烷基，X为卤素，n为1至15的整数，o为1以上的整数，m为0至2n+1。
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公开(公告)号：CN117736156A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311475965.1
申请日：2020-10-30
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C07D251/24 , C07D403/10 , H10K50/16 , H10K59/10 , H10K85/60
Abstract: 本发明涉及一种有机化合物、包含其的有机发光二极管以及包括所述有机发光二极管的显示装置，具体涉及包含由化学式1表示的化合物，从而能够提高发光效率、热稳定性以及寿命特性的有机化合物、包含其的有机发光二极管以及包括所述有机发光二极管的显示装置。
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公开(公告)号：CN115768921A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202180046700.2
申请日：2021-07-16
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明涉及薄膜形成用生长抑制剂、利用其的薄膜形成方法以及由此制造的半导体基板。具体涉及作为由化学式1表示的化合物的薄膜形成用生长抑制剂、利用其的薄膜形成方法以及由此制造的半导体基板，[化学式1]AnBmXoYiZj其中，所述A为碳或硅；所述B为氢或碳原子数为1～3的烷基；所述X为氟、氯、溴以及碘中的一种以上；所述Y与Z各自独立地为选自氧、氮、硫以及氟中的一种以上且彼此不同；所述n为1～15的整数；所述o为1以上的整数；m为0～2n+1；所述i和j分别为0～3的整数。根据本发明，提供薄膜形成用生长抑制剂、利用其的薄膜形成方法以及由此制造的半导体基板，其能够抑制副反应，以降低薄膜生长率，并去除薄膜内工艺副产物，从而即便在结构复杂的基板上形成薄膜，也能够大幅改善台阶覆盖性以及薄膜的厚度均匀度。
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