公开(公告)号：CN119726043A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411890257.9

申请日：2024-12-20

Applicant: 重庆邮电大学 ,  电子科技大学重庆微电子产业技术研究院

Inventor： 张波 ,  李红伟 ,  牛中乾 ,  唐浩超 ,  吴琳 ,  欧祖强 ,  乔进财 ,  樊勇 ,  张万里

IPC: H01P5/16 ,  H01P1/207

Abstract: 本发明涉及无线通信技术领域，特别涉及一种基于矩形同轴的宽带滤波功分器，包括由矩形同轴外导体上腔体和矩形同轴外导体下腔体构成的腔体结构，腔体结构用于安装内导体电路，安装内导体电路时，利用支撑体使内导体电路位于腔体结构的中心，且令内导体电路不与矩形同轴外导体上腔体和矩形同轴外导体下腔体接触。本发明的耦合间距为0.21mm，相较于传统的微带形式的0.06mm，降低了加工尺寸带来的限制，增加了耦合线在电路中的的使用场景。

公开(公告)号：CN120045009A

公开(公告)日：2025-05-27

申请号：CN202510175574.0

申请日：2025-02-18

Applicant: 重庆邮电大学 ,  电子科技大学重庆微电子产业技术研究院

Inventor： 崔琪 ,  明鑫 ,  张万里 ,  王亚豪

IPC: G05F1/56

Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种带片外电容的高压LDO电路，所述电路包括误差放大器EA、缓冲器电路BUFFER、采用第一P型DEMOS所做的功率管、第一电阻R1与第二电阻R2组成的输出电压分压采样电阻电路、浮动轨电路、使能电路、负载电容；浮动轨电路包括齐纳二极管和第三电阻，通过齐纳二极管的反偏击穿电压为EA和BUFFER提供一个与输入电压具有稳定差值的浮动低电源轨VFLOAT；BUFFER电路通过其低输出阻抗和低输入寄生电容的特性，将EA高输出电阻与功率管大栅极寄生电容组成的低频次极点分裂为两个高频极点，保证了高压LDO的环路稳定性。

公开(公告)号：CN119891973A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202411935635.0

申请日：2024-12-26

Applicant: 重庆邮电大学 ,  电子科技大学重庆微电子产业技术研究院

Inventor： 唐鹤 ,  陈奕帆 ,  陈磊 ,  彭析竹 ,  姚佳 ,  王艾 ,  张万里

IPC: H03F1/32 ,  H03F3/26 ,  H03F3/45 ,  H03M1/46

Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种应用于流水线逐次逼近型ADC的开环残差放大器电路；包括：差分输入电路、尾电流电路、第三PMOS管Mp3、第四PMOS管Mp4、第三NMOS管Mn3和第四NMOS管Mn4；第三PMOS管Mp3、第四PMOS管Mp4、第三NMOS管Mn3和第四NMOS管Mn4均与差分输入电路连接；尾电流电路与第三NMOS管Mn3、第四NMOS管Mn4连接；不需要设计很高的开环增益，不需要复杂的共模电压检测电路，电路结构简单，降低了电路设计难度，且本发明为动态电路，大大降低了电路功耗，适用于低功耗ADC设计；本发明为推挽式输入方式，大大提高了输入跨导，具有大带宽的特点，适用于高速ADC设计。

公开(公告)号：CN119860195A

公开(公告)日：2025-04-22

申请号：CN202510062261.4

申请日：2025-01-15

Applicant: 重庆邮电大学 ,  电子科技大学重庆微电子产业技术研究院

Inventor： 刘洋 ,  张林锋 ,  肖斯宇 ,  曹志宏 ,  张万里 ,  刘益安

IPC: E21B43/119 ,  E21B43/1185

Abstract: 本发明涉及石油开采工程领域，具体涉及一种基于多传感器接箍识别的嵌入式石油射孔系统，本发明引入IMU传感器采集系统运动状态数据，通过核心控制模块处理CCL信号和系统运动状态数据，结合两个传感器综合判定是否发送点火信号；射孔点火模块在接收到点火信号时引爆火工品；本发明能够提高射孔定位精度。

公开(公告)号：CN119777804A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202510057049.9

申请日：2025-01-14

Applicant: 重庆邮电大学 ,  电子科技大学重庆微电子产业技术研究院

Inventor： 刘洋 ,  曹志宏 ,  肖斯宇 ,  张林锋 ,  刘益安 ,  张万里

IPC: E21B43/116 ,  E21B43/119 ,  E21B47/00 ,  E21B47/13

Abstract: 本发明公开了一种用于石油射孔的嵌入式多模块协同处理系统，该系统与射孔枪配合使用，在射孔枪内设置套管接箍定位器CCL，该系统包括：前端信号处理模块、嵌入式微控制器、上位机通信模块和后端点火电路模块；套管接箍定位器CCL用于检测井筒中套管接箍的位置，生成CCL信号；前端信号处理模块用于采集CCL信号并对其作预处理，将经预处理后的信号输入嵌入式微控制器；上位机通信模块用于实现上位机与嵌入式微控制器互相通信；嵌入式微控制器用于系统控制与调度管理，采集和存储数据，输出点火控制信号；后端点火电路模块接收点火控制信号后，执行点火爆破操作。本发明应用于石油射孔，可以实现对石油射孔过程中各类数据的采集和存储，以及点火控制。

公开(公告)号：CN118248794A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202410364176.9

申请日：2024-03-28

Applicant: 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院

Inventor： 钱凌轩 ,  周游 ,  张万里

IPC: H01L31/20 ,  H01L31/113 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/112

Abstract: 本发明涉及半导体光电探测领域，具体涉及一种非晶氧化镓基同质结型日盲紫外光电晶体管及其制备方法，制备方法包括制备晶体管的同质结时，对衬底进行加热，在氩氧混合气体的氛围中于衬底上沉积非晶氧化镓富氧层薄膜作为同质结底层；在室温、纯氩气体的氛围中于同质结底层上沉积非晶氧化镓贫氧层薄膜作为同质结顶层，富氧层的氧空位浓度低于贫氧层，同质结顶层的厚度占整个同质结厚度的30％以下；本发明方案制备的晶体管能够大幅抑制暗电流和提升光电流，进而极大地提升器件的探测灵敏度，并且本发明的晶体管有助于利用脉冲栅压对器件进行快速恢复，另外本发明工艺简单，无须引入氧化镓以外的其他半导体材料。