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公开(公告)号：CN103426913A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310345306.6
申请日：2013-08-09
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种部分SOI超结高压功率半导体器件。本发明所述的一种部分SOI超结高压功率半导体器件，其特征在于，还包括多个N+岛和P型电场屏蔽层，所述多个N+岛均匀嵌入设置在P型衬底中，所述P型电场屏蔽层设置在P型衬底中，并且上表面与P型体区和靠近源端的N型缓冲区的下表面连接、下表面与埋氧层的上表面连接。本发明的有益效果为，通过改变电场分布，提高漂移区掺杂浓度，进而提高器件耐压和降低比导通电阻，减小器件面积，降低成本。本发明尤其适用于部分SOI超结高压功率半导体器件。
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公开(公告)号：CN103165678A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201310077827.8
申请日：2013-03-12
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种超结LDMOS器件，属于半导体功率器件领域。本发明在传统超结LDMOS器件的P型衬底中嵌入均匀分布的N+岛，并在有源区和衬底之间加入一层P型电场屏蔽埋层。其中N+岛（2）能通过增强体内电场来提高器件的纵向耐压，同时产生额外的电荷来消除衬底辅助耗尽效应，从而提高器件的击穿电压；P型电场屏蔽埋层（3）可屏蔽源端附近N+岛（2）产生的高电场，降低源区附近电场峰值，并且与N型缓冲层形成超结，加上本身的超结漂移区，使得器件具有多重超结结构，从而有效改善体内的电场分布，提高器件的击穿电压，并同时通过提高漂移区的掺杂浓度来降低器件的比导通电阻，最终达到有效减小器件面积、降低器件成本的目的。
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公开(公告)号：CN103165657A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201310078793.4
申请日：2013-03-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种横向高压功率半导体器件的结终端结构，属于功率半导体器件技术领域。本发明针对专利文献CN102244092B提供的一种横向高压功率半导体器件的结终端结构中直线结终端结构和曲率结终端结构相连部分的电荷平衡问题，在保持器件表面横向超结掺杂条宽度为最小光刻精度W情况下，对终端结构进行分析和优化，提出表面超结结构浓度的关系表达式，根据关系式优化器件结构，从而得到最优化的击穿电压。同时，N型漂移区表面所有的横向超结结构宽度都采用最小光刻精度W，可以减小芯片的版图面积。
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公开(公告)号：CN103036550A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210529443.0
申请日：2012-12-11
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03K17/78 , H03K17/567
Abstract: 一种快速放电的光电继电器，属于电子技术领域。包括输入端光控信号产生电路、光控信号接收及光电转换电路、控制电路和输出电路；输入端光控信号产生电路由一个发光二极管LED（11）构成，光控信号接收及光电转换电路由一个光电二极管阵列PDA构成，控制电路包括一个级联三极管、三个二极管，用于为输出电路的功率MOSFET器件提供充放电通道；输出电路包括一对功率MOSFET器件。本发明提供的快速放电的光电继电器，由于其控制电路采用了两个或多个三级管的级联，级联后的三极管电流放大倍数增大，抽取电荷的速度显著加快，因而比现有的光电继电器具有更快的放电速度，能够适应更高频率的继电场合。
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公开(公告)号：CN102969358A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210516539.3
申请日：2012-12-06
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种横向高压功率半导体器件，属于功率半导体器件技术领域。包括纵向超结元胞结构和终端结构；终端结构位于整体元胞结构的外侧或外围。纵向超结元胞结构在提高击穿电压的同时降低导通电阻，相比传统横向超结器件，纵向超结元胞结构减小了版图面积，进一步降低了导通电阻；单个或多个元胞集成，多个并联元胞可共用同一个终端，并通过终端结构将漏电极横向引出，不仅易于和常规电路集成，而且大大减小版图面积，进一步降低工艺成本。本发明具有导通电阻低、耐压高、版图面积小等诸多优点，采用本发明可获得各种性能优良的横向半导体功率器件，具有高速、高集成度、低导通损耗的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103515428B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201310406464.8
申请日：2013-09-09
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种PSOI横向高压功率半导体器件。本发明的一种横向高压MOSFET，其特征在于，在源端下方引入第二导电类型半导体埋层，避免载流子在源端过度集中，减小器件在源端的功耗，从而改善器件的自加热效应；第二导电类型半导体第一漂移区采用均匀掺杂，第二导电类型半导体第二漂移区采用浓度相对较高的掺杂，可以减小漂移区的电阻率，降低器件的比导通电阻，进而减小器件的功耗和温度。本发明的有益效果为，具有自加热效应良好、导通电阻低、耐压高、版图面积小等诸多优点，降低了工艺难度和成本。本发明尤其适用于PSOI横向高压功率半导体器件。
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公开(公告)号：CN103489865B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201310421629.9
申请日：2013-09-16
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/088 , H01L21/762
Abstract: 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种具有n+埋层的横向集成的准超结SOI半导体功率器件。本发明的其元胞结构包括依次层叠设置的衬底、埋氧层和SOI层，还包括高压pLDMOS、高压nLDMOS和低压CMOS；所述高压pLDMOS、高压nLDMOS和低压CMOS设置在SOI层上，高压nLDMOS设置在高压pLDMOS和低压CMOS之间；其特征在于，所述高压pLDMOS、高压nLDMOS和低压CMOS之间通过浅槽介质隔离区和层间介质相互隔离，所述层间介质与埋氧层的上表面连接，浅槽介质隔离区设置在层间介质上表面。本发明的有益效果为，可以实现100V～700V各种性能优良的高压器件，具有高速、高集成度、低导通损耗的优点。本发明尤其适用于横向集成SOI半导体功率器件。
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公开(公告)号：CN102969357B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201210516380.5
申请日：2012-12-06
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种横向超结高压功率半导体器件，属于功率半导体器件技术领域。包括纵向超结元胞结构、终端结构和漏极引出结构；终端结构位于整体元胞结构的外侧或外围，漏极引出结构位于终端结构的外侧或外围；纵向超结元胞结构在提高击穿电压的同时降低导通电阻，相比传统横向超结器件，纵向超结元胞结构减小了版图面积，进一步降低了导通电阻；单个或多个元胞集成，多个并联元胞可共用同一个终端，并通过漏极引出结构将漏电极横向引出，使漏极、栅极和源极都在表面，不仅易于和常规电路集成，而且大大减小版图面积，进一步降低工艺成本；最后，本发明漏电极表面引出的具有低比导通电阻的超结横向高压器件可集成在各种衬底材料上，且集成度高。
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公开(公告)号：CN103515428A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201310406464.8
申请日：2013-09-09
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7393 , H01L29/0603
Abstract: 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种PSOI横向高压功率半导体器件。本发明的一种横向高压MOSFET，其特征在于，在源端下方引入第二导电类型半导体埋层，避免载流子在源端过度集中，减小器件在源端的功耗，从而改善器件的自加热效应；第二导电类型半导体第一漂移区采用均匀掺杂，第二导电类型半导体第二漂移区采用浓度相对较高的掺杂，可以减小漂移区的电阻率，降低器件的比导通电阻，进而减小器件的功耗和温度。本发明的有益效果为，具有自加热效应良好、导通电阻低、耐压高、版图面积小等诸多优点，降低了工艺难度和成本。本发明尤其适用于PSOI横向高压功率半导体器件。
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公开(公告)号：CN103489865A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310421629.9
申请日：2013-09-16
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/088 , H01L21/762
Abstract: 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种具有n+埋层的横向集成的准超结SOI半导体功率器件。本发明的其元胞结构包括依次层叠设置的衬底、埋氧层和SOI层，还包括高压pLDMOS、高压nLDMOS和低压CMOS；所述高压pLDMOS、高压nLDMOS和低压CMOS设置在SOI层上，高压nLDMOS设置在高压pLDMOS和低压CMOS之间；其特征在于，所述高压pLDMOS、高压nLDMOS和低压CMOS之间通过浅槽介质隔离区和层间介质相互隔离，所述层间介质与埋氧层的上表面连接，浅槽介质隔离区设置在层间介质上表面。本发明的有益效果为，可以实现100V～700V各种性能优良的高压器件，具有高速、高集成度、低导通损耗的优点。本发明尤其适用于横向集成SOI半导体功率器件。
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