一种基于区块链的证券监管方法
    11.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116362669A

    公开(公告)日:2023-06-30

    申请号:CN202310132677.X

    申请日:2023-02-17

    Abstract: 本发明提供一种基于区块链的证券监管方法,包括:建立区块链,设置监管节点;监管节点将制定的事务基础规则代码化,构建相应的智能合约模版,组成基础智能合约库;区块链审核事务参与方及待处理的事务的合法后,准许事务参与方作为普通节点加入区块链;事务参与方与相关监管节点组成委员会,委员会中的监管节点向事务参与方提供智能合约模版,事务参与方按要求输入事务信息生成事务合约,最终三方共同提交事务合约到智能合约库;所有监管节点对事务合约中的事务信息进行审核,最后将达成共识的事务信息上链并返回事务办理成功信息给事务参与方,委员会解散。本发明能降低监管成本强化监管效率,实现事务追本溯源提取监管证据。

    一种大规模制备高纯度单晶石墨烯的方法

    公开(公告)号:CN114318490B

    公开(公告)日:2023-06-16

    申请号:CN202111584911.X

    申请日:2021-12-22

    Abstract: 本发明公开了一种大规模制备高纯度单晶石墨烯的方法,包括以下步骤:(1)制备丝素蛋白溶液;(2)制备高分子含碳有机薄膜;(3)微波等离子预处理;(4)真空煅烧。本发明以无污染的丝素蛋白胶体作为碳源,既避免了普遍使用气体作为碳源所带来的安全性问题,又不会产物石墨烯造成污染;通过微波等离子体技术及真空炉煅烧,能一次性制备出大量的单晶石墨烯粉末,实现大规模的石墨烯制备;石墨烯的形成温度在1100~1700℃,相比于其他工艺的石墨烯形成温度(2800℃)更低。

    一种基于深度学习的随钻测量信道估计方法

    公开(公告)号:CN113792483B

    公开(公告)日:2023-05-09

    申请号:CN202111042159.6

    申请日:2021-09-06

    Inventor: 陈伟 郭光明 杨博

    Abstract: 本发明公开了一种基于深度学习的随钻测量信道估计方法,属于属于通信领域,特别是钻头钻井过程中测量、采集钻头附近测井数据,并将采集数据实时传输到地面系统的技术领域。本发明考虑到噪声对系统严重的影响,输入学习网络的数据将首先通过一个轻量的消噪子网络,之后再通过完成信道估计功能的子网络,最终完成信道估计。与传统方法相比,本发明比LS和MMSE方法具有明显更低的均方误差性能,与现有先进的深度学习方法相比,DnCENet也仍具有明显的优越性。此外,在鲁棒性方面,本发明所提学习网络的优越性。该方法可用于钻进液MWD遥传系统频点和码率选择的正确指导,进而提高通信质量和速率,未来也可以用于系统的频域均衡,提高系统的解调性能。

    一种集成结势垒肖特基二极管的SiC MOSFET及其制作方法

    公开(公告)号:CN114784107B

    公开(公告)日:2023-04-28

    申请号:CN202210422043.3

    申请日:2022-04-21

    Abstract: 本发明属于功率半导体器件技术领域,涉及一种集成结势垒肖特基二极管的SiCMOSFET及其制作方法。本发明通过在SiC MOSFET的三维y方向上集成一个结势垒肖特基二极管,可以在不增加SiC MOSFET元胞宽度的同时,有效的改善寄生体二极管的正向开启压降过大和反向恢复时间过长等问题,并且与内部集成SBD相比,集成的结势垒肖特基二极管具有更小的反向漏电流。本发明集成结势垒肖特基二极管的方式不需要额外增加有源区面积,集成度更高。同时,通过三维y方向N+与P+的间隔分布,在SiCMOSFET的源极引入了镇流电阻,提高器件的热稳定性,有效改善器件在实际应用中的可靠性。

    一种金属复合石墨烯氧还原反应电催化剂材料的制备方法

    公开(公告)号:CN113101926B

    公开(公告)日:2023-03-31

    申请号:CN202110293227.X

    申请日:2021-03-18

    Abstract: 本发明属于碳基材料的改性方法技术领域,公开了一种金属复合石墨烯氧还原反应电催化剂材料的制备方法。其主要特征在于利用金属盐与碳源前驱体溶液混合,然后将复合溶液旋涂在基片上,使其厚度均匀,再烘干成膜;之后利用微波等离子体技术对复合膜进行加热处理,最后生长出石墨烯包覆金属纳米颗粒的复合材料,金属颗粒大小均匀,并均匀的分布于复合材料中。该方法操作简单,实验周期短,热处理过程快速,成本低等优点,能够实现多种金属复合石墨烯的制备,为该复合材料在氧还原反应电催化剂领域提供可能。

    一种沟槽型碳化硅绝缘栅场效应晶体管及其制作方法

    公开(公告)号:CN114944421A

    公开(公告)日:2022-08-26

    申请号:CN202210630218.X

    申请日:2022-06-06

    Inventor: 张金平 陈伟 张波

    Abstract: 本发明属于功率半导体器件技术领域,涉及一种沟槽型SiC MOSFET及其制作方法。本发明通过倾斜离子注入在沟槽一角形成L型重掺杂JFET区,因为比漂移区更高的浓度,具有更高的载流子密度,从而减小了器件的比导通电阻和导通压降。本发明采用分离鳍状栅结构,分离栅减少了栅极和漏极的交叠,对栅漏电容起到了屏蔽作用,有效降低了器件的栅漏电容和栅漏电荷,而鳍状控制栅结构减小了栅电极和源极的交叠面积,从而减小栅源电容,栅电容和栅电荷的减小提高了器件的开关速度,降低了器件的动态损耗。此外,由于L型N型注入区11的引入以及特殊的栅极结构,在漏极电压更低的情况下JFET区被夹断,有利于降低器件的饱和电流,从而能有效提高器件的短路耐受能力。

    一种NiS2/ZnIn2S4复合材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN110993971B

    公开(公告)日:2022-07-29

    申请号:CN201911272157.9

    申请日:2019-12-12

    Abstract: 本发明提供的一种NiS2/ZnIn2S4复合材料及其制备方法,属于催化剂制备技术领域。本发明将摩尔比为0.5:1:4:(0.25~1.0)的乙酸锌、氯化铟、硫代乙酰胺、硝酸镍加入到无水乙醇中进行溶剂热反应,经离心、清洗、真空干燥后得到NiS2/ZnIn2S4复合材料。NiS2/ZnIn2S4复合材料为NiS2和ZnIn2S4原位复合而成的纳米片,其中NiS2与ZnIn2S4形成异质结构,将该复合材料应用于锂‑氧气电池正极催化剂中,不仅具备较低的过电位(2000mA hg‑1,500mA g‑1下,充放电过电位为1.19V),而且其充放电循环稳定性优良,无明显的电压衰减,表现出了优异的综合电化学性能。

    一种P-O掺杂Fe-N-C纳米片及其制备方法

    公开(公告)号:CN110635140B

    公开(公告)日:2022-07-29

    申请号:CN201910749497.X

    申请日:2019-08-14

    Abstract: 本发明提供一种P‑O掺杂Fe‑N‑C纳米片及其制备方法,属于电池催化材料领域。本发明制备中先形成Fe‑N的配位,然后再碳化制备含FeN4的碳二维纳米片,以含P‑O键的化合物结构为前驱体,高温反应,最终合成P‑O掺杂的Fe‑N‑C纳米片。由于先形成Fe‑N的配位,使得最后制备的Fe原子负载大幅提高,催化活性位点增多;并且制备方法中的二次掺杂热处理有利于进一步实现稳定的纳米片。本发明制备的P‑O掺杂Fe‑N‑C纳米片作为双功能催化剂,其催化性能和稳定性均优于目前商用的Pt/C+IrO2催化剂。

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