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公开(公告)号：CN114318490B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202111584911.X
申请日：2021-12-22
申请人： 杭州电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种大规模制备高纯度单晶石墨烯的方法，包括以下步骤：(1)制备丝素蛋白溶液；(2)制备高分子含碳有机薄膜；(3)微波等离子预处理；(4)真空煅烧。本发明以无污染的丝素蛋白胶体作为碳源，既避免了普遍使用气体作为碳源所带来的安全性问题，又不会产物石墨烯造成污染；通过微波等离子体技术及真空炉煅烧，能一次性制备出大量的单晶石墨烯粉末，实现大规模的石墨烯制备；石墨烯的形成温度在1100～1700℃，相比于其他工艺的石墨烯形成温度(2800℃)更低。
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公开(公告)号：CN113101926B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202110293227.X
申请日：2021-03-18
申请人： 杭州电子科技大学
摘要： 本发明属于碳基材料的改性方法技术领域，公开了一种金属复合石墨烯氧还原反应电催化剂材料的制备方法。其主要特征在于利用金属盐与碳源前驱体溶液混合，然后将复合溶液旋涂在基片上，使其厚度均匀，再烘干成膜；之后利用微波等离子体技术对复合膜进行加热处理，最后生长出石墨烯包覆金属纳米颗粒的复合材料，金属颗粒大小均匀，并均匀的分布于复合材料中。该方法操作简单，实验周期短，热处理过程快速，成本低等优点，能够实现多种金属复合石墨烯的制备，为该复合材料在氧还原反应电催化剂领域提供可能。
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公开(公告)号：CN102735943A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210238210.5
申请日：2012-07-10
申请人： 杭州电子科技大学
摘要： 本发明涉及一种无源电子标签谐振频率及Q值检测传感器。现有的发射与接收线圈间，标签与发射和接收线圈间都会互相干扰。本发明包括两个发射线圈和一个接收线圈；所述的接收线圈位于两个发射线圈之间，两个发射线圈紧贴设置。每个发射线圈包括主发射线圈和辅发射线圈。接收线圈包括主接收线圈和辅接收线圈。本发明消除了发射线圈与接收线圈间、标签分别与发射和接收线圈间的互相干扰；解决了传统测试传感器因以上各部分间干扰导致谐振频率测量误差和无法测试电子标签Q值的问题。
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公开(公告)号：CN113101926A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110293227.X
申请日：2021-03-18
申请人： 杭州电子科技大学
摘要： 本发明属于碳基材料的改性方法技术领域，公开了一种金属复合石墨烯氧还原反应电催化剂材料的制备方法。其主要特征在于利用金属盐与碳源前驱体溶液混合，然后将复合溶液旋涂在基片上，使其厚度均匀，再烘干成膜；之后利用微波等离子体技术对复合膜进行加热处理，最后生长出石墨烯包覆金属纳米颗粒的复合材料，金属颗粒大小均匀，并均匀的分布于复合材料中。该方法操作简单，实验周期短，热处理过程快速，成本低等优点，能够实现多种金属复合石墨烯的制备，为该复合材料在氧还原反应电催化剂领域提供可能。
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公开(公告)号：CN110241383A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910421414.4
申请日：2019-05-21
申请人： 杭州电子科技大学
摘要： 本发明公开一种基于AAO模板制备二维网状结构、c轴面内取向的BaM铁氧体纳米薄膜的方法，可以多种类型的基片为衬底，利用模板转移技术将通孔的AAO模板转移至基片上；然后，利用真空物理沉积技术，在较低的基底温度下制备出具有二维网状结构且c轴面内取向的BaM铁氧体纳米薄膜。与传统PLD制备c轴面内取向的BaM薄膜相比，本发明对于基片的选择具有更多的选择性，可以在多种基片上沉积，如Al2O3、Si等基片，并且制备出c轴面内取向，具有二维网状结构的BaM铁氧体纳米薄膜。此制备方法操作简单，易于完成，实现了一种面内取向的新型磁性薄膜结构的制备。
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公开(公告)号：CN104037489A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410116202.2
申请日：2014-03-26
申请人： 杭州电子科技大学
摘要： 本发明涉及一种基于人工磁导体结构的60GHz片上天线。本发明包括由下到上的硅衬底层、SiO2层、SiN层，其特征在于：SiO2层包含六层金属层，从下到上依次为M1～M6层，三角形单极子天线位于SiO2层的M6金属层，周期加载的基于CMOS工艺的正六边形人工磁导体结构位于SiO2层的M1金属层，三角形单极子天线采用50Ω共面波导馈电。本发明能够满足60GHz时对垂直入射波反射相位为零，并且反射相位带隙完全覆盖60GHz附近的约7GHz（57～64GHz）免许可频段，同时可以有效的提高片上天线的增益和辐射效率等。
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公开(公告)号：CN115852189A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211420913.X
申请日：2022-11-14
申请人： 杭州电子科技大学
摘要： 本发明涉及一种高填充率高导热双粒径金刚石铜复合材料的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：制备表面金属化的金刚石；将两种粒径的上述金刚石和铜均匀混合后放置热压炉中进行热压烧结。本发明通过熔盐法在金刚石表面镀覆碳化钨和钨金属过渡层，从而有效解决金刚石与铜之间亲润性差的问题，同时采用粒径为200μm和40μm的大小金刚石，保持一个合适的配比，使得小粒径金刚石有效填充在大金刚石之间的缝隙中，从而进一步提高复合材料中金刚石的总体积分数，最终制备出低密度，高填充率，高热导率的金刚石铜复合材料，其特征在于，大小金刚石的总体积分数高达70％，密度低于5.4g/cm3，热导率达到639.53W/mK，在现代电子封装的热管理领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN108648783B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201810199061.3
申请日：2018-03-12
申请人： 杭州电子科技大学 , 浙江莱达信息技术有限公司
IPC分类号： G06K9/62 , G06F40/247 , G06F40/289 , G06F16/33 , G06F16/36
摘要： 本发明公开了一种医技检查项目相似性快速判别方法。本发明是根据医技检查项目命名特点，直接以部位和检查方法为语义空间，动态构建低维的特征向量进行相似性判断，克服现有的文本相似度计算方法大量统计、分解降维、提取语义等复杂计算缺点，并区分了检查次序对相似性的影响。本发明既简便快速，又准确有效，符合实际应用需要。
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公开(公告)号：CN109811313B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201910150917.2
申请日：2019-02-28
申请人： 杭州电子科技大学
IPC分类号： C23C14/28 , C23C14/16 , C23C14/30 , C23C14/58 , C25F3/20 , C25D11/08 , C25D11/12 , C25D11/20 , C25D11/24 , C23F17/00
摘要： 本发明公开一种高电阻率基底上多孔氧化铝模板的制备方法，主要采用两步阳极氧化法。该方法包括如下步骤：(1)高电阻率硅基片的清洗；(2)钛膜的制备；(3)铝膜的制备；(4)铝膜的退火；(5)对Al/Ti/Si薄膜的封装及电化学抛光；(6)一次阳极氧化；(7)氧化层的去除以及第二次阳极氧化；(8)通孔、扩孔处理。本发明采用特殊的封装技术在高电阻率基底上制备出较高的有序度，厚度、孔径可调的多孔氧化铝模板，该方法操作简单、成本低、能够实现高电阻率甚至非导电基底AAO的制备，为模板辅助制备纳米材料扩展了应用范围。
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公开(公告)号：CN102735943B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201210238210.5
申请日：2012-07-10
申请人： 杭州电子科技大学
摘要： 本发明涉及一种无源电子标签谐振频率及Q值检测传感器。现有的发射与接收线圈间，标签与发射和接收线圈间都会互相干扰。本发明包括两个发射线圈和一个接收线圈；所述的接收线圈位于两个发射线圈之间，两个发射线圈紧贴设置。每个发射线圈包括主发射线圈和辅发射线圈。接收线圈包括主接收线圈和辅接收线圈。本发明消除了发射线圈与接收线圈间、标签分别与发射和接收线圈间的互相干扰；解决了传统测试传感器因以上各部分间干扰导致谐振频率测量误差和无法测试电子标签Q值的问题。
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