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    超低损耗的钇铝石榴石微波介质陶瓷材料及其制备方法
    11.
    发明公开
    超低损耗的钇铝石榴石微波介质陶瓷材料及其制备方法 有权

    公开(公告)号：CN112321299A

    公开(公告)日：2021-02-05

    申请号：CN202011394237.4

    申请日：2020-12-03

    Applicant: 电子科技大学

    Inventor： 唐斌 ,  周沫轲 ,  李恩竹 ,  袁颖 ,  钟朝位 ,  张树人

    IPC: C04B35/505 ,  C04B35/622

    Abstract: 本发明提供一种超低损耗的钇铝石榴石微波介质陶ASil4瓷5+‑,材yTR料iz4O+，或1材2N，料Rb5化为+多学M种通g异2式+,价为G离aY33子+‑x,中的一种或多种；0≤x≤0.15,0≤y≤0.8且0.03≤z≤1.5；本发明还提供一种具有超低损耗钇铝石榴石微波介质陶瓷材料的制备方法，包括步骤：配料、球磨、烘干过筛、预烧、干压、冷等静压成型、真空烧结、气氛控制退火。本发明制得的材料为典型的超低损耗石榴石型铝基微波介电陶瓷，Q×f在180000GHz～220000GHz之间，相对介电常数εr在8～12之间，频率温度系数τf在‑33ppm/℃～‑22ppm/℃之间。配方中不含Pb，Cd等挥发性有毒金属，性能稳定，原材料在国内供应充足，使高性能微波陶瓷的低成本化成为可能。

    一种脉冲储能陶瓷材料及其制备方法
    12.
    发明公开
    一种脉冲储能陶瓷材料及其制备方法 无效

    公开(公告)号：CN111574220A

    公开(公告)日：2020-08-25

    申请号：CN202010441335.2

    申请日：2020-05-22

    Applicant: 电子科技大学

    Inventor： 唐斌 ,  赵鹏 ,  方梓烜 ,  袁颖 ,  钟朝位 ,  张树人

    IPC: C04B35/47 ,  C04B35/622 ,  H01G4/12

    Abstract: 本发明提供一种脉冲储能介质陶瓷材料及制备方法，属于电子元器件材料领域，本发明由Sr0.7+xCayBi0.2TiO3(0.01≤x≤0.05，0.05≤y≤0.15)主晶相和改性添加剂组成，所述改性添加剂为：CeO2、Nb2O5、Nd2O3、ZnO、MnCO3、SiO2中的一种或几种，其制备方法包括配料、球磨、造粒、成型、烧结，所述脉冲储能介质陶瓷材料有较高的抗电强度(350～450kV/cm)，较高的储能密度(在290kV/cm下为2.1J/cm3)，较高的储能效率(97％～99％)，损耗低至0.002，性能稳定，适于制作脉冲电容器介质材料。所述制备方法具有简单、易控、环保和成本低廉的特点。

    一种Ba-Mg-Ta系LTCC材料及其制备方法
    13.
    发明公开
    一种Ba-Mg-Ta系LTCC材料及其制备方法 有权

    公开(公告)号：CN109650886A

    公开(公告)日：2019-04-19

    申请号：CN201811571465.7

    申请日：2018-12-21

    Applicant: 电子科技大学

    Inventor： 孙成礼 ,  杨雷宇 ,  张树人 ,  唐斌 ,  钟朝位

    IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622

    Abstract: 本发明属于电子陶瓷及其制造领域，具体涉及一种Ba-Mg-Ta系LTCC材料及其制备方法。所述材料,由质量百分比98.5％～99.7％Ba{[(Mg0.8Zn0.2)1-xCux]1/3Ta2/3}O3(x＝0.04～0.10)基料和质量百分比0.3％～1.5％的降烧剂组成，通过固相法制备。本发明在Ba[(Mg0.8Zn0.2)1/3Ta2/3)]O3基础上进行离子掺杂CuO，并在离子掺杂的体系上掺杂0.3％～1.5％的降烧剂，本发明通过离子掺杂和降烧剂的使用，实现Ba[(Mg0.8Zn0.2)1/3Ta2/3)]O3陶瓷低于900℃烧结温度下烧结致密，在保证微波介电性能的前提下，取得能够调节且近零的τf值，介电常数20～30，损耗≦104，频率温度系数稳定，制备工艺简单。

    一种Co-Sn-Ta基微波介质陶瓷材料及其制备方法
    14.
    发明公开
    一种Co-Sn-Ta基微波介质陶瓷材料及其制备方法 有权

    公开(公告)号：CN109503162A

    公开(公告)日：2019-03-22

    申请号：CN201811530024.2

    申请日：2018-12-14

    Applicant: 电子科技大学

    Inventor： 李恩竹 ,  杨鸿宇 ,  杨鸿程 ,  陈亚伟 ,  钟朝位 ,  张树人

    IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622

    Abstract: 本发明属于电子陶瓷及其制造领域，具体涉及一种Co-Sn-Ta基微波介质陶瓷材料及其制备方法。本发明提供的材料晶体结构为Trirutile相，烧结温度1250-1350℃，介电常数15-20，损耗介于4.81×10-4-6.02×10-4，谐振频率温度稳定系数-2.65～-0.59ppm/℃。将原料Co2O3、SnO2和Ta2O5按化学通式Co0.5Sn0.5TaO4配比，再通过固相法制得。本发明的Co0.5Sn0.5TaO4微波介质陶瓷具有适中的介电常数以及近零的谐振频率温度稳定系数，且烧结温度相对较低；其制备方法简单，易于工业化生产。

    高介微波介质陶瓷材料及其制备方法
    16.
    发明授权
    高介微波介质陶瓷材料及其制备方法 失效

    公开(公告)号：CN105693235B

    公开(公告)日：2018-07-10

    申请号：CN201610154058.0

    申请日：2016-03-17

    Applicant: 电子科技大学

    Inventor： 唐斌 ,  方梓烜 ,  孙成礼 ,  钟朝位 ,  张树人

    IPC: C04B35/46 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

    Abstract: 本发明提供一种高介微波介质陶瓷材料，材料化学通式为(Ca0.35Li0.25Nd0.35)(Ti1‑xDx)O3，其中0.01≤x≤0.05，D的组成为VW，V代表价态高于四价的Ta，W代表价态低于四价且平均离子半径接近于Ti4+的单个或多种元素，V和W可以同时取代或单独取代；本发明还提供一种高介微波介质陶瓷材料的制备方法，包括步骤：配料、球磨、烘干过筛、预烧、造粒、模压成型、烧结；本发明制得的材料具有高介电常数和较高Q×f值，可调的频率温度系数。配方中不含Pb，Cd等挥发性有毒金属，性能稳定，能够满足现代微波器件的应用需求，原材料在国内供应充足，价格相对低廉，使高性能微波陶瓷的低成本化成为可能。

    Ca-Nd-Ti微波介质陶瓷材料及其制备方法
    17.
    发明授权
    Ca-Nd-Ti微波介质陶瓷材料及其制备方法 失效

    公开(公告)号：CN105016729B

    公开(公告)日：2018-04-13

    申请号：CN201510489543.9

    申请日：2015-08-11

    Applicant: 电子科技大学

    Inventor： 唐斌 ,  陈鹤拓 ,  孙成礼 ,  钟朝位 ,  张树人

    IPC: C04B35/50 ,  C04B35/622

    Abstract: 本发明提供一种B位取代的高品质因数微波介质陶瓷材料及其制备方法，材料化学通式为Ca0.61Nd0.26(Ti1‑xCx)O3，C＝MN，其中0.15≤x≤0.2，通过B位取代以达到控制体系微波性能的目的；M代表价态高于四价的Nb，N代表价态低于四价且离子半径与Ti相近的其他一种或几种元素，M和N同时取代或单独取代；制备方法为按化学通式确定各自质量百分含量，经过球磨混合，1050～1150℃下预烧，然后在1350～1450℃下烧结制成；制得的材料介电常数(70～100)和频率温度系数都可调同时保持优异的Q×f值(9000GHz～16000GHz)，配方中不含Pb，Cd等挥发性或重金属，性能上较其他体系实现了很大提升，原材料在国内供应充足，价格相对于其他体系低廉，使高性能微波陶瓷的低成本化成为可能。

    高介单层微型陶瓷电容器基片材料及其制备方法
    18.
    发明授权
    高介单层微型陶瓷电容器基片材料及其制备方法 失效

    公开(公告)号：CN105084892B

    公开(公告)日：2017-09-01

    申请号：CN201510489918.1

    申请日：2015-08-11

    Applicant: 电子科技大学

    Inventor： 唐斌 ,  陶煜 ,  钟朝位

    IPC: C04B35/47 ,  C04B35/622

    Abstract: 本发明提供一种高介单层微型陶瓷电容器基片材料，原料包括主料和掺杂剂两部分，主料的化学成分为SrTiO3，掺杂剂为Nb2O5、SiO2、Y2O3、CaSnO3和复合氧化物添加剂，添加的质量分别为原料总质量的m wt％、n wt％、p wt％、q wt％和r wt％，制备方法包括：配料、球磨、干燥、造粒、成型、排胶，还原气氛烧结，氧化热处理；本发明的配方中不含Pb、Cd等挥发性或重金属元素，是一种环保无污染的介质陶瓷材料；本陶瓷的烧结温度在1340℃～1400℃之间，介电常数较高，具有一定的节能优势；原材料在国内供应充足，且价格低廉，适合于制作现代通信技术中高性能通信元器件。

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