公开(公告)号：CN110610983A

公开(公告)日：2019-12-24

申请号：CN201910840776.7

申请日：2019-09-06

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 翟亚红 ,  李珍

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/02

Abstract: 抗辐照器件及制备方法，涉及电子器件技术。本发明的抗辐照器件包括辐照敏感氧化层及硅衬底，其特征在于，所述硅衬底和辐照敏感氧化层之间设置有超薄氧化层和正电荷抑制层，且按照硅衬底、超薄氧化层、正电荷抑制层、辐照敏感氧化层的顺序重叠设置。本发明通过削弱二氧化硅与硅界面处捕获的正电荷的电场，从而降低二氧化硅的表面态Dit，达到抗电离辐照的效果。

公开(公告)号：CN110010688A

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201910082608.6

申请日：2019-01-28

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 翟亚红 ,  李珍

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336

Abstract: 双栅负电容场效应晶体管及制备方法，涉及电子器件技术。本发明的晶体管包括衬底、沟道区、源电极、漏电极、第一本征栅和第二本征栅，第一本征栅设置于第二本征栅的上方，其特征在于，在第一本征栅的上方串联设置有第一负电容器，在第二本质栅的下方串联设置有第二负电容器。本发明能够有效降低亚阈值摆幅。

公开(公告)号：CN111445963A

公开(公告)日：2020-07-24

申请号：CN202010240245.7

申请日：2020-03-31

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 徐周波 ,  李珍 ,  李萍 ,  韦贤强 ,  杨欣 ,  陈浦青

IPC: G16C20/70

Abstract: 本发明公开了一种基于图节点信息聚合的子图同构约束求解方法，包括如下步骤：1）获取模式图和目标图；2）聚合邻居信息；3）生成约束；4）建立路径约束；5）要求匹配模式图与目标图的路径数；6）建立子图同构的CSP求解模型；7）求解子图同构的CSP求解模型。这种方法提高了子图同构的匹配效率，节约了子图同构匹配的时间。

公开(公告)号：CN111384154A

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN202010241064.6

申请日：2020-03-31

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 翟亚红 ,  杨峰 ,  李珍 ,  李威 ,  张国俊

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/02

Abstract: 抗辐照双极器件，涉及电子器件技术。本发明包括半导体区、设置于半导体区上方的绝缘介质区和电极，所述半导体区包括设置于衬底内的基区、发射区、P+欧姆接触区，发射区和P+欧姆接触区之间的区域为间隔区；在绝缘介质区和半导体区上表面之间，还设置有厚度为20～80nm的抗辐照加固层，所述抗辐照加固层的材质包括二氧化硅；在抗辐照加固层的上表面和绝缘介质区上表面之间，设置有平行于超薄二氧化硅层的导电场板，并且导电场板在半导体区上表面的投影与发射区有重叠部分，导电场板在半导体区上表面的投影与间隔区有重叠部分，导电场板与发射区形成导电连接。本发明的双极晶体管器件在同样的辐射环境下，电流增益增加20％～30％。

公开(公告)号：CN111293167A

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN202010240884.3

申请日：2020-03-31

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 翟亚红 ,  李珍

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/02

Abstract: 抗辐照器件及制备方法，涉及电子器件技术。本发明的抗辐照器件包括辐照敏感氧化层及硅衬底，其特征在于，所述硅衬底和辐照敏感氧化层之间设置有超薄氧化层和正电荷抑制层，且按照硅衬底、超薄氧化层、正电荷抑制层、辐照敏感氧化层的顺序重叠设置。本发明通过削弱二氧化硅与硅界面处捕获的正电荷的电场，从而降低二氧化硅的表面态Dit，达到抗电离辐照的效果。

公开(公告)号：CN111081761A

公开(公告)日：2020-04-28

申请号：CN201911294299.5

申请日：2019-12-16

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 翟亚红 ,  杨锋 ,  李珍 ,  李威 ,  李平

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L23/552 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

Abstract: 一种具有抗辐射加固结构的低功耗晶体管器件，其特征在于，包括衬底，位于衬底之上的埋氧层，位于所述埋氧层之上的体硅层，位于所述体硅层之中、两侧的源区和漏区，位于体硅层之上的栅氧化层，位于所述栅氧化层之上的栅极叠层结构，所述栅极叠层结构自下而上依次为下极板金属层/铁电层/上极板金属层，或者自下而上依次为铁电层/上极板金属层。本发明晶体管器件通过在栅氧化层上制作栅极叠层结构，实现沟道电势大于外部栅极电压，突破热力学限制下的60mV/dec的亚阈值摆幅，降低工作电压从而降低器件的功耗，同时通过多次分步离子注入，获得与体硅层具有相同厚度的源漏结深，使源漏结与底部的埋氧层接触，提高了器件的抗单粒子辐照能力。