一种T型栅结构的MOS晶体管
    11.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103022136B

    公开(公告)日:2015-09-30

    申请号:CN201210574939.X

    申请日:2012-12-26

    CPC classification number: H01L29/785 H01L29/7843 H01L29/7845

    Abstract: 一种具有“T”字型栅结构MOS晶体管(T_gate MOS),属于半导体器件领域。它的特征是在普通MOSFET的沟道区域形成凹槽,使栅极形状为“T”型结构。该结构较普通MOS器件提高了版图利用率、增大了有效沟道宽度,同时具有和三栅器件(Tri_gate MOS)相当的抑制漏致势垒降低效应(DIBL)等短沟道效应(SCE)的优点;与三栅器件相比,T_gate MOS可以在抑制短沟道效应的基础上有效提高驱动电流。因此,T_gate器件能够实现驱动电流更大而漏电较小的效果。本发明工艺与传统MOSFET器件兼容,有利于改善短沟道效应并提高驱动能力,不仅适用于45纳米工艺节点以下的小尺寸器件,还可以推至0.13微米以上的较大尺寸的器件。

    LED散热基板
    12.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103050607A

    公开(公告)日:2013-04-17

    申请号:CN201310016535.3

    申请日:2013-01-17

    Abstract: 本发明涉及LED模组技术。本发明解决了现有LED散热基板散热效果差的问题,提供了一种LED散热基板,其技术方案可概括为:LED散热基板,包括导热基板,其特征在于,所述导热基板中至少嵌入有一个高导热环,所述高导热环的上下表面分别与导热基板的上下表面持平,所述高导热环中心位置导热基板的上下表面与预设置在导热基板上的LED芯片的下表面相对应。本发明的有益效果是,结构工艺简单,制作方便且能够明显提升导热基板的散热效率,适用于LED光源。

    具有槽型结构的应变NMOSFET及其制作方法

    公开(公告)号:CN102983173A

    公开(公告)日:2013-03-20

    申请号:CN201210551776.3

    申请日:2012-12-18

    Abstract: 本发明涉及半导体技术。本发明解决了现有应变NMOSFET采用DSL技术提升性能时相关工艺复杂的问题,提供了一种具有槽型结构的应变NMOSFET及其制作方法,其技术方案可概括为:具有槽型结构的应变NMOSFET,包括源极、漏极、源区、漏区、栅氧化层、栅极、两个轻掺杂漏区、两个侧墙及半导体衬底,其特征在于,还包括分别设置在源区与漏区外延的两个槽型结构,所述槽型结构、源区、漏区、栅极及侧墙的上表面覆盖有一层压应变刻蚀阻挡层。本发明的有益效果是,制作工艺得到了简化,适用于应变NMOSFET。

    一种具有高锗组分的锗硅沟道PMOS的制备方法

    公开(公告)号:CN102610530A

    公开(公告)日:2012-07-25

    申请号:CN201210107600.9

    申请日:2012-04-13

    Abstract: 一种具有高锗组分的锗硅沟道的PMOS的制备方法,属于半导体器件领域,尤其涉及一种提高锗硅(SiGe)PMOS沟道中锗(Ge)组分的方法,来提高器件性能。它的特征是利用氮化硅(SiN)薄膜在硅(Si)中引入应变形成应变硅(Si),并利用浅槽隔离区(缩写为STI)记忆应变硅(Si)中的应变,然后去掉氮化硅(SiN)薄膜,最后在该应变硅(Si)上外延锗(Ge)组分较高的锗硅(SiGe)层作为沟道,在上制作晶体管。本发明工艺简单,与传统的MOS工艺兼容,成本较低,沟道中Ge组分提高明显,不仅适用于90内米工艺节点以下的小尺寸器件,还可以推至0.13微米以上的较大尺寸的器件。

    一种带内陷波频率和衰减可重构的宽带带通滤波器

    公开(公告)号:CN115764207B

    公开(公告)日:2024-05-07

    申请号:CN202211143049.3

    申请日:2022-09-20

    Inventor: 杨涛 刘斌

    Abstract: 本发明属于通信技术领域,具体的说是涉及一种带内陷波频率和衰减可重构的宽带带通滤波器。本发明利用消逝模谐振器作为基本调谐单元,通过控制压电制动器两端电压控制消逝模谐振腔的谐振频率,陷波频率和衰减同时由两个消逝模谐振器的谐振频率同时决定,通过调节两个消逝模谐振器的谐振频率调节陷波频率大小,通过调节谐振频率的频率差调节陷波频率的衰减。本发明在宽带滤波同时实现带内陷波频率和陷波衰减可重构,能够灵活应对带内出现大功率干扰的现象,同时本发明不仅减小了滤波器的尺寸,还很大程度减小插损,提高了系统的整体性能。

    带有复数零点的准切比雪夫宽带滤波器综合方法

    公开(公告)号:CN116979930A

    公开(公告)日:2023-10-31

    申请号:CN202311038569.2

    申请日:2023-08-17

    Inventor: 杨涛 刘斌

    Abstract: 本发明涉及带有复数零点的准切比雪夫宽带滤波器综合方法,所述方法包括步骤S1:根据待综合滤波器的指标,将第一通带A和第二通带B按照单通带滤波器进行直接综合设计,得到滤波器A和滤波器B的传输函数及波纹系数;步骤S2:根据滤波器A和滤波器B的传输函数及波纹系数计算出综合滤波器的传输函数;步骤S3:根据综合滤波器的传输函数得到综合滤波器的零、极点。本发明通过将两个通带合成一个通带,保证宽带滤波器幅度响应为准切比雪夫函数,同时生成了一对可应用于带内陷波可调的复数零点。

    一种基于区块链的证券监管方法
    20.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116362669A

    公开(公告)日:2023-06-30

    申请号:CN202310132677.X

    申请日:2023-02-17

    Abstract: 本发明提供一种基于区块链的证券监管方法,包括:建立区块链,设置监管节点;监管节点将制定的事务基础规则代码化,构建相应的智能合约模版,组成基础智能合约库;区块链审核事务参与方及待处理的事务的合法后,准许事务参与方作为普通节点加入区块链;事务参与方与相关监管节点组成委员会,委员会中的监管节点向事务参与方提供智能合约模版,事务参与方按要求输入事务信息生成事务合约,最终三方共同提交事务合约到智能合约库;所有监管节点对事务合约中的事务信息进行审核,最后将达成共识的事务信息上链并返回事务办理成功信息给事务参与方,委员会解散。本发明能降低监管成本强化监管效率,实现事务追本溯源提取监管证据。

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