公开(公告)号：CN118587001A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410734470.4

申请日：2024-06-07

申请人： 四川华西集采电子商务有限公司 ,  电子科技大学

发明人： 丁云波 ,  夏琦 ,  田世云 ,  高建彬 ,  刘斌 ,  夏虎 ,  陈伟 ,  王韬 ,  吴斌

IPC分类号： G06Q40/03 ,  G06Q40/02 ,  G06Q40/04 ,  G06F16/27 ,  G06Q30/018 ,  G06Q20/38 ,  G06Q20/40 ,  G06Q30/0201

摘要： 本发明涉及区块链以及区块链平台技术领域，具体为一种基于区块链的分布式身份融资借贷平台及抵押融资方法，其运行于中小企业融资的管理对账平台场景下，基于共识机制，使不同银行进行清算过程中的交易及清算两个步骤能够同时进行，由于交易发生时交易和清算的信息能够同时上链，记录在对账平台上，平台上的其他银行也同时更新记录了这笔交易信息，在交易的同时也完成了银行之间的清算，极大的提升了效率降低了清算成本。此外，由于本发明实现共识所采用共识机制为改进PBFT共识机制算法，该算法引入了信誉评估为下一视图选择K个代理节点提供依据，增加了可信节点参加共识集合的概率，进一步提高了整个系统的共识效率和安全性。

公开(公告)号：CN117117444A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202310983766.5

申请日：2023-08-07

申请人： 电子科技大学

发明人： 杨涛 ,  刘斌

IPC分类号： H01P1/20 ,  H01P7/08

摘要： 本发明属于无线通信技术领域，涉及一种基于矩形波导的带通滤波器及射频模组，第一谐振器、第二谐振器、第三谐振器、第四谐振器、第五谐振器、第六谐振器、第七谐振器为矩形波导谐振器；输入端与第一谐振器耦合，第一谐振器分别与第四谐振器、第二谐振器耦合，第四谐振器与第七谐振器耦合，第七谐振器与输出端耦合，第二谐振器分别与第三谐振器、第五谐振器耦合，第五谐振器与第六谐振器耦合，第六谐振器与第七谐振器耦合；第三谐振器、第四谐振器的矩形波导结构正面分别加载第一螺钉，第一螺钉插入矩形空腔的深度可调。使用腔体机械可调方式实现带内陷波可重构的宽带带通滤波器，实现了10GHz的宽带陷波可重构滤波器，实现陷波衰减1.1dB‑60dB连续可调。

公开(公告)号：CN116884011A

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202310812031.6

申请日：2023-07-04

申请人： 电子科技大学

发明人： 张昌华 ,  刘斌 ,  左琳 ,  刘宇 ,  严家富

IPC分类号： G06V30/148 ,  G06V30/162 ,  G06V30/164 ,  G06V10/82 ,  G06N3/0464 ,  G06N3/082 ,  G06V20/62

摘要： 本发明公开了一种零件表面粘连字符的分割识别方法，属于工业识别与图像处理领域。本发明基于零件表面的粘连字符进行分析，创新性地将图像处理技术与人工智能技术应用到工业字符识别场景中，成功完成了零件表面粘连字符的分割与识别；该发明首先使用图模型算法分析粘连字符的粘连点位置，然后利用改进的滴水算法找出字符的分割路径，最后使用简化的VGG16网络进行字符识别。本发明所述方法能够准确定位粘连字符粘连点的位置；能够找出合适的分割路径，防止字符出现过渡分割；能够准确识别分割之后的单个字符；解决了零件表面粘连字符识别准确度低的问题。

公开(公告)号：CN116861082A

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN202310809867.0

申请日：2023-07-03

申请人： 成都信息工程大学 ,  电子科技大学

发明人： 何磊 ,  杨一卓 ,  刘斌 ,  李玉霞 ,  罗涵 ,  夏勇强 ,  田正 ,  严朗

IPC分类号： G06F16/9535 ,  G06F18/22 ,  G06Q10/0639 ,  G06Q50/26 ,  G06N5/04 ,  G06F17/18 ,  G06F30/20 ,  G06N3/006

摘要： 本发明公开了一种基于案例推理的旱灾应急措施推荐方法，通过提取本次旱灾关键特征，计算案例之间的全局相似度，从历史案例库中检索出匹配案例。然后基于匹配案例，通过交叉变异等操作得到本次旱灾的应急响应等级和抗旱投入资金。并根据应急响应等级对接干旱应对措施库中对应等级的应急措施，实现旱灾应对措施推荐。本发明的应急响应等级和抗旱投入资金是基于历史案例的应对措施修正得来的，因而可以更好的吻合本次旱灾的实际情况，在应对措施合理性的基础上，使得旱灾应对更有针对性。

公开(公告)号：CN116719678A

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN202310610215.4

申请日：2023-05-26

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 赵晓春 ,  张金风 ,  刘斌

IPC分类号： G06F11/22

摘要： 本发明提供的一种面向含多通道轮询选择器模块的高效验证方法及系统，通过获取包含多通道轮询选择器模块的芯片进行拆分，将多通道轮询选择器模块拆分出来以减少模块复杂度，避免形式验证由于待测设计内部组合状态过多，算力不足而导致验证失败，提高了验证的稳定性和安全性；本发明采用形式验证来对多通道多通道轮询选择器模块进行验证，利用形式验证可以对断言约束下的场景进行全面覆盖的特点，弥补了常用的验证方法无法遍历这种内部组合数极多的模块的缺点；本发明相比传统的动态仿真对多通道多通道轮询选择器模块进行验证，由于大量工作都可以自动化完成，因此本发明可以减少人力。

公开(公告)号：CN116501658A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202310318107.X

申请日：2023-03-28

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 赵晓春 ,  张金风 ,  刘斌

IPC分类号： G06F12/0811 ,  G06F13/16

摘要： 本发明公开了一种基于多通道二级缓存的模块设计方法，包括：设计包括多个读/写输入通道和多个RAM的二级缓存，并将其中的256bit读/写输入通道分解为4个64bit通道，将输入的256bit读/写指令转换为4个64bit的读/写指令后存入对应的指令FIFO中；为每个RAM设计对应的仲裁模块，获取每个通道将要作用的RAM，并在当前周期下至少有两个通道对应的RAM相同时，在该RAM对应的仲裁模块中进行仲裁；基于仲裁结果利用一个N选一数据选择器将读指令对应的RAM中的数据读出；或者将写指令中的数据写入对应的RAM。该方法减少了内部仲裁发生的次数，避免了拥塞，提升了带宽，且适用于大数据量、多通道的场景。

公开(公告)号：CN103280459B

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201310185281.8

申请日：2013-05-17

申请人： 电子科技大学

发明人： 王向展 ,  曾庆平 ,  甘程 ,  刘斌 ,  邹淅

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

摘要： 本发明涉及半导体技术。本发明解决了现有应变NMOSFET采用局部应变技术沟道应力分布不均匀，而采用全局应变技术器件设计灵活性较低的问题，提供了一种具有深槽结构的图形化应变NMOS器件及其制作方法，其技术方案可概括为：具有深槽结构的图形化应变NMOS器件，包括源极、漏极、半导体衬底、栅氧化层、源极扩展区、源极重掺杂区、漏极扩展区、漏极重掺杂区、栅极及侧墙，还包括设置在有源区外侧的深隔离槽、仅位于沟道区下方的顶层应变硅及仅位于顶层应变硅下方的介质层，在深隔离槽、源极重掺杂区、漏极重掺杂区、栅极及侧墙的上表面覆盖有本征张应力氮化硅薄膜。本发明的有益效果是，沟道应力更大更均匀，适用于应变NMOS器件。

公开(公告)号：CN103824302B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201410091118.X

申请日：2014-03-12

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 白静 ,  焦李成 ,  刘斌 ,  马文萍 ,  马晶晶 ,  王爽 ,  张向荣 ,  胡波

IPC分类号： G06T7/00 ,  G06T5/50

摘要： 本发明公开了一种基于方向波域图像融合的SAR图像变化检测方法，克服了现有技术中差异图融合时不能较好的保留差异图细节信息、对差异图采用二值化分割方法会导致变化区域信息丢失的问题。本发明实现的步骤是：(1)输入图像；(2)图像预处理；(3)生成差异图；(4)构造联合差异图；(5)分割联合差异图；(6)输出图像。本发明具有描述变化区域与未变化区域边界更加精确、漏检率较低的优点，可应用于合成孔径雷达SAR图像目标识别领域中的自然灾害检测。

公开(公告)号：CN103022136B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201210574939.X

申请日：2012-12-26

申请人： 电子科技大学

发明人： 王向展 ,  甘程 ,  曾庆平 ,  刘斌 ,  王凯 ,  黄思霓 ,  于奇

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7845

摘要： 一种具有“T”字型栅结构MOS晶体管（T_gate MOS），属于半导体器件领域。它的特征是在普通MOSFET的沟道区域形成凹槽，使栅极形状为“T”型结构。该结构较普通MOS器件提高了版图利用率、增大了有效沟道宽度，同时具有和三栅器件(Tri_gate MOS)相当的抑制漏致势垒降低效应（DIBL）等短沟道效应（SCE）的优点；与三栅器件相比，T_gate MOS可以在抑制短沟道效应的基础上有效提高驱动电流。因此，T_gate器件能够实现驱动电流更大而漏电较小的效果。本发明工艺与传统MOSFET器件兼容，有利于改善短沟道效应并提高驱动能力，不仅适用于45纳米工艺节点以下的小尺寸器件，还可以推至0.13微米以上的较大尺寸的器件。

公开(公告)号：CN103050607A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201310016535.3

申请日：2013-01-17

申请人： 电子科技大学

发明人： 王向展 ,  黄建国 ,  刘斌 ,  于奇 ,  欧文 ,  张恒明

IPC分类号： H01L33/48 ,  H01L33/64

摘要： 本发明涉及LED模组技术。本发明解决了现有LED散热基板散热效果差的问题，提供了一种LED散热基板，其技术方案可概括为：LED散热基板，包括导热基板，其特征在于，所述导热基板中至少嵌入有一个高导热环，所述高导热环的上下表面分别与导热基板的上下表面持平，所述高导热环中心位置导热基板的上下表面与预设置在导热基板上的LED芯片的下表面相对应。本发明的有益效果是，结构工艺简单，制作方便且能够明显提升导热基板的散热效率，适用于LED光源。