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公开(公告)号：CN104241274B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201410439235.0
申请日：2014-08-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明公开了一种基于横向PNP结构的双向ESD保护器件，可用于片上ICESD保护电路。保护器件主要由P型衬底，第一N型阱，第二N型阱，第一P+注入区，第二P+注入区，第一N+注入区，第二N+注入区，第三P+注入区，第四P+注入区和若干场氧隔离区构成；该类型保护器件在正向或负向ESD脉冲作用下，内部横向PNP结构的反向PN结被触发导通，同时另一个N阱中的正向PN结导通，会产生由一个横向PNP晶体管以及一个正向二极管串联构成的ESD电流泄放路径。通过分别拉伸两个PNP的基区宽度，可以单独改变正向或负向ESD脉冲来临时器件的维持电压，提高器件工作的灵活性。
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公开(公告)号：CN104778410B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201510179575.9
申请日：2015-04-16
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06F21/56
Abstract: 本发明提供一种应用程序完整性验证方法。内核层捕获打开文件系统调用后，触发内核层中的验证代理模块；验证代理模块获取当前应用程序的文件描述符，通过该文件描述符查看应用程序，判断应用程序是否有完整性扩展属性值，验证代理模块获取应用程序为完整性验证所添加的扩展属性值，计算当前打开应用程序的完整性校验值，再与获取的扩展属性值进行比较。本发明与文件系统完整性验证方法相比减少了验证开销；通过使用文件系统自带的扩展属性存完整性扩展属性值，不需要辅助硬件的存储支持。
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公开(公告)号：CN105374868A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510981673.4
申请日：2015-12-23
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于集成电路的静电放电保护技术领域，涉及一种用于ESD保护的快速开启的SCR器件，用以克服SCR器件开启速度慢的问题。该SCR器件包括第一种导电类型硅衬底，硅衬底上形成相邻接的一个第二种导电类型阱区和一个第一种导电类型阱区，所述两个阱区内分别设有第二种导电类型重掺杂区，浅槽隔离区和第一种导电类型重掺杂区；其特征在于，所述第二种导电类型阱区和第一种导电类型阱区内掺杂浓度变化分布，沿着指向两阱区邻接处方向逐渐减小。本发明通过改变器件内阱区的横向掺杂浓度分布，在寄生pnp和/或寄生npn的基区内引入少数载流子的加速电场，减小相应少数载流子的基区渡越时间，最终减少SCR器件的开启时间，提高SCR器件开启速度。
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公开(公告)号：CN104156659A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201410401579.2
申请日：2014-08-14
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种嵌入式系统的安全启动方法，涉及嵌入式系统的启动安全领域，特别涉及一种基于密码学的方法对镜像进行验证技术以及通过硬件设计来辅助该方法的实现。在芯片设计时通过在芯片内部提供一个安全系统固件，同时利用非对称加密技术对需要加载的镜像进行签名，保障镜像的可信与完整的同时做到镜像可更新。本发明基于硬件的角度来保障安全，但不需要增加额外硬件，大大简化硬件设计难度以及开销，保障安全启动完整性的前提下降低开发难度。
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公开(公告)号：CN102624667A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210055490.6
申请日：2012-03-05
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种多点多用户OFDMA系统的时偏补偿方法，基于最大容忍剩余误差限松弛技术，采用对传输点时偏预补偿和对用户终端时偏后补偿的联合补偿，补偿过程为：各用户终端估计每条链路的时偏量；各用户终端反馈链路时偏量给各传输点；各传输点协同建立优化方程；求解优化方程；判断最优化解是否满足约束条件；各传输点对发送的信号进行时偏预补偿；各用户终端接收到时偏预补偿信号后进行时偏后补偿，后补偿包括估计剩余时偏量，计算后补偿量和补偿。本发明传输点求解优化问题降低用户终端计算复杂度。最终剩余时偏量在可容忍范围内，保证每个用户终端时间可靠同步，克服时偏影响，解决高速运动信道环境下多点多用户通信同步问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117790499A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202410064315.6
申请日：2024-01-15
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明属于静电防护技术领域，具体提供一种用于高压集成电路ESD防护高钳位能力的SCR器件，可以满足实际ESD防护中低触发电压、高维持电压和高钳位能力的防护要求。本发明通过在传统的SCR结构中引入了内嵌NMOS的SCR对其进行分流，从而达到提高维持电压的目的。其中，该器件从阳极到阴极的触发路径为主SCR的PNP三极管的P+/NWELL导通，然后辅助分流的SCR的PNP三极管的P+/NWELL导通，然后N型MOS管击穿。当电流继续增大时，主SCR被分流使得维持电压提高，辅助分流的SCR先导通，然后主SCR才接着导通，两个SCR均导通时导通电阻很小，可以实现高的钳位能力。作为辅助分流的SCR既可以提高辅助触发路径来降低触发电流，同时也可以提供一个分流路径降低PNP三极管和NPN三极管的正反馈可以起到提高维持电压的目的，而且两个SCR导通使得导通电阻降低提高钳位能力。此器件可以做到缩窄ESD窗口的目的，同时具有优秀的钳位能力。
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公开(公告)号：CN113871383B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202111119364.8
申请日：2021-09-24
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明提供了一种反向二极管降低触发电压的改进型LVTSCR器件。该器件在传统LVTSCR器件的基础上，在和阳极连接的P型重掺杂区与跨接硅衬底和n型阱区的n型重掺杂区之间的硅表面上设有一个氧化层区；该氧化层区表面形成多晶硅层；该多晶硅层与在跨接的n型重掺杂区和与阴极连接的n型重掺杂区之间的硅表面上的另一个氧化层区之上的多晶硅层通过一个反向二极管相连。该结构与传统LVTSCR结构相比，通过增加两条新的电流通路，进一步降低触发电压，并且降低HBM电压波形的第二个峰的峰值电压，提高器件的鲁棒性。
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公开(公告)号：CN115939131A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202310153273.9
申请日：2023-02-22
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明属于静电防护技术领域，具体提供一种用于高压集成电路ESD防护的窄窗口SCR器件，用以满足实际ESD防护中低触发电压、高维持电压器件的设计需求。本发明通过在传统SCR结构内部嵌入两个MOS管的方式，为SCR路径提供额外的分流路径，达到有效提升器件维持电压的作用；其一，通过内嵌PMOS辅助触发，并去除传统SCR结构N阱中的N+注入区的方式，形成基区浮空的寄生PNP三极管，达到降低器件触发电压，缩窄ESD防护窗口的目的；其二，进一步通过增加寄生NPN三极管基区串联电阻的方式，降低器件触发电压和开启速度，达到缩窄ESD窗口的设计目标；同时增加了NPN三极管Q5并联路径，在不损失版图面积的前提下，优化了器件导通电阻和ESD鲁棒性。
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公开(公告)号：CN115800222A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211621637.3
申请日：2022-12-16
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于压控可变电阻的输入输出端口ESD保护电路，包括二极管Dp1、二极管Dn1、二极管Dp2、二极管Dn2、晶体管Mp2、晶体管Mn2、可变电阻Rv1和可变电阻Rv2，所述可变电阻Rv1的一端连接输入信号VIN、二极管Dp1的阳极和二极管Dn1的阴极，可变电阻Rv2的一端连接输出信号VOUT、晶体管Mp2的漏极和晶体管Mn2的漏极，本发明采用压控可变电阻替代传统方案的固定电阻。当ESD冲击到来时，隔离电阻受到检测电路的控制，增大电阻值；当电路正常工作时(正常传输信号时)，隔离电阻值减小，避免对信号完整性造成影响。本发明中，压控可变电阻与电源钳位结构可共用检测电路的控制信号，ESD冲击来临时，同时触发压控可变电阻和电源钳位结构，形成快速泄放电流的通路。
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公开(公告)号：CN112864149B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202110024135.1
申请日：2021-01-08
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明属于静电防护技术领域，提供一种用于ESD保护的低压单向/双向SCR器件；相较于传统静电防护器件，本发明采用新型结构设计使得器件的辅助触发通路(正向/反向)包含3个N+/P‑WELL二极管，进而使得器件的直流阻塞能力得到增强，从而获得比传统静电防护器件更低的漏电流、更低的静态功耗、以及更加稳定的寄生电容值，获得更好的静电防护效果；相较于现有用于ESD保护的低功耗双向SCR器件，本发明采用新型结构设计能够避免器件结构中潜在的PNPN串通现象，使得低压双向SCR器件在工作电压为1.5V时不会出现漏电流陡增现象，即本发明器件在1.5V以上、1.8V以下的工作电压时依然能够实现有效的、较低功耗的ESD保护。
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