半导体器件
    11.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102651381A

    公开(公告)日:2012-08-29

    申请号:CN201210048186.9

    申请日:2012-02-24

    Inventor: 国清辰也

    CPC classification number: H01L27/1463 H01L27/14603 H01L27/14643

    Abstract: 一种半导体器件,其具有可以更可靠地防止像素间串扰的固态图像传感器。该器件包括:具有主表面的半导体衬底;第一导电类型杂质层,定位在所述衬底的主表面之上;光电换能器,包括在所述第一导电类型杂质层之上彼此接合的第一导电类型杂质区域和第二导电类型杂质区域;以及晶体管,配置包括光电换能器的单位像素并且电耦合到光电换能器。在平面图中,光电换能器周围的区域的至少一部分包含空气间隙并且还具有用于使一个光电换能器和与其相邻的另一个光电换能器彼此电绝缘的隔离绝缘层。隔离绝缘层抵靠在第一导电类型杂质层的顶表面上。

    固态摄像元件
    12.
    实用新型

    公开(公告)号:CN208521936U

    公开(公告)日:2019-02-19

    申请号:CN201820806159.6

    申请日:2018-05-21

    Abstract: 本实用新型提供一种固态摄像元件,在具有沿纵向层叠的两个以上半导体衬底的固态摄像元件中,通过微细的插塞将半导体衬底彼此之间电连接。将覆盖具有受光元件的半导体衬底(SB1)的第一背面的绝缘膜(IF1)与覆盖搭载有半导体元件的半导体衬底(SB2)的第二主面的层间绝缘膜(IL2)彼此接合。在该接合面,贯穿绝缘膜(IF1)的插塞(PG1)与埋入层间绝缘膜(IL2)的上表面的连接孔内的插塞(PG2)接合,上述受光元件与上述半导体元件经由插塞(PG1、PG2)而电连接。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

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