公开(公告)号：CN104934419A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201510121435.6

申请日：2015-03-19

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 嘉屋旨哲 ,  中原宁 ,  神田良 ,  户田铁

IPC: H01L27/06

CPC classification number: H01L29/0619 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/092 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L29/405 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7835 ,  H03K19/017509

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。为了防止围绕晶体管的杂质区中的电流泄漏，在第二导电类型区的从第一电路区侧朝向第二电路区侧延伸的部分在平面图中与元件隔离膜彼此重叠的区域中，在平面图中从第一电路区侧朝向第二电路区侧交替设置场板和导电膜。此外，在这个区域中，场板的电位以及导电膜的电位从第一电路区朝向第二电路区降低。此外，至少一个导电膜的电位低于在平面图中在第二电路区侧与导电膜相邻的场板的电位。此外，这种导电膜覆盖至少一部分第二导电类型区，而在第二导电类型区的延伸方向上没有间隔。

公开(公告)号：CN104282733B

公开(公告)日：2019-12-03

申请号：CN201410322611.8

申请日：2014-07-08

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 神田良 ,  户田铁 ,  中原宁 ,  嘉屋旨哲

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/40

Abstract: 本发明涉及半导体器件。场板电极以折叠方式或以螺旋形状在沿着第一电路区域的边缘的方向上重复地设置。耦合晶体管将第一电路耦合到电源电压低于第一电路的第二电路。第二导电类型区域设置在耦合晶体管周围。场板电极的一部分与第二导电类型区域部分地重叠。场板电极在相对在分离区域的宽度方向上的中央而位于第一电路区域侧的部分，被电耦合到耦合晶体管的漏电极。第二电路的地电位或电源电位在相对所述中央而位于第二导电类型区域侧的部分，被施加到场板电极。

公开(公告)号：CN104600046B

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201410594450.8

申请日：2014-10-29

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 嘉屋旨哲 ,  中原宁 ,  新家东 ,  神田良 ,  栗原智敦 ,  户田铁

IPC: H01L23/495

Abstract: 提供了一种半导体器件，包括：第一导电类型的衬底、第一电路区域、分隔区域、第二电路区域和整流元件。整流元件具有：第二导电类型层、第一高浓度第二导电类型区域、第二高浓度第二导电类型区域、元件隔离膜、第一绝缘层和第一导电膜。第一接触耦合至第一高浓度第二导电类型区域，而第二接触耦合至第二高浓度第二导电类型区域。第三接触耦合至第一导电膜。第一接触、第二接触和第三接触彼此分隔开。

公开(公告)号：CN107835003A

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201710696190.9

申请日：2017-08-15

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 神田良 ,  黑岩洋 ,  户田铁 ,  中原宁

IPC: H03K17/082 ,  H03K17/687 ,  H02H1/00 ,  H02P29/024 ,  H02P29/028 ,  H02P29/032 ,  H02H7/16

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件和功率控制器件，以实现包括驱动器IC即半导体器件的系统中的部件数量减少。向电源施加区施加高电位侧电源电压。高侧区由包括驱动高侧晶体管的驱动器并且以浮置电压作为参考在启动电源电压下操作的电路形成。低侧区由以低电位侧电源电压作为参考在电源电压下操作的电路形成。第一端接区设置成包围所述电源施加区的环形式。第二端接区设置成包围所述高侧区的环形式。

公开(公告)号：CN107665923A

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：CN201710575932.2

申请日：2017-07-14

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 嘉屋旨哲 ,  中原宁

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L29/063 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/823892 ,  H01L27/092 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7823 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明的目的是改善半导体器件的性能。形成在分离区域中的p沟道晶体管具有：RESURF层，用作电流路径，形成在外延层中，并且是p型半导体层；以及掩埋层，在平面图中与RESURF层重叠，形成在RESURF层之下，夹在半导体衬底和外延层之间，并且是p型半导体层。