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公开(公告)号：CN112088421B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN201980030707.8
申请日：2019-04-26
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/29 , C09J201/00 , H01L21/304
Abstract: 本发明涉及一种半导体芯片的制造方法，其是使用粘合片且包括下述工序(1)～(3)的方法，所述粘合片具有基材(Y)，并在基材(Y)的两面分别具有能够通过上述膨胀性粒子的膨胀而在粘合表面产生凹凸的第1粘合剂层(X1)及第2粘合剂层(X2)，所述基材(Y)具备包含膨胀性粒子的膨胀性基材层(Y1)及非膨胀性基材层(Y2)。工序(1)：将第1粘合剂层(X1)粘贴于硬质支撑体、将第2粘合剂层(X2)粘贴于半导体晶片的表面的工序。工序(2)：得到多个半导体芯片的工序。工序(3)：使膨胀性粒子膨胀，在上述硬质支撑体和第1粘合剂层(X1)的界面P进行分离的工序。
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公开(公告)号：CN112585723A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201980053805.3
申请日：2019-10-18
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/304 , B23K26/53 , B24B41/06 , C09D201/00 , H01L21/301 , H01L21/60
Abstract: 本发明的课题在于提供尽管利用由固化性树脂层形成的保护膜来保护具备凸块的半导体晶片的凸块颈部，仍能够同时实现该半导体晶片的薄化与该半导体晶片的翘曲的抑制的半导体装置的制造方法。该半导体装置的制造方法依次包括下述工序(A)～(E)：(A)在具备凸块的半导体晶片的凸块形成面形成固化性树脂层的工序；(B)使上述固化性树脂层固化而形成保护膜的工序；(C)在上述具备凸块的半导体晶片的上述保护膜的形成面粘贴背磨胶带的工序；(D)在粘贴有上述背磨胶带的状态下，对上述具备凸块的半导体晶片的与上述凸块形成面的相反面进行磨削的工序；(E)从上述磨削后的上述具备凸块的半导体晶片将上述背磨胶带剥离的工序。
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公开(公告)号：CN1323431C
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200410029644.X
申请日：2004-03-26
CPC classification number: H01L21/6838 , H01L21/67132 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/6839 , Y10S156/941 , Y10S438/976 , Y10T156/1052 , Y10T156/1179 , Y10T156/12 , Y10T156/19
Abstract: 本发明提供一种减少半导体芯片断裂、崩屑等不良，制造高品质半导体器件，并且抑制制造成品率低下的具有粘着性带剥离机构的半导体制造设备和半导体器件的制造方法。具备剥离机构，该剥离机构被保持台3支撑，用在粘着性带24的剥离方向至少分为至少2个吸附区的多孔质材料吸附固定粘着性带的所述半导体晶片一侧，剥离粘贴在分成小片后的半导体晶片上的粘着性带24。对半导体晶片的每个半导体芯片1的背面粘贴粘合剂层。通过所述多孔质材料吸附固定半导体晶片，控制2系统以上的真空配管系统，在剥离前后一边转换二等分以上的吸附组和真空系统一边剥离粘着性带，从台上剥离一个个半导体芯片。能够制成叠层半导体芯片的叠式MCP制品。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114514296B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202080070084.X
申请日：2020-05-22
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/25 , C09J7/38 , C09J133/08 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种粘合片(1)，其具有基材(10)和粘合剂层(20)，所述粘合片的拉伸强度FA1和拉伸强度FB1满足下述数学式1A的关系，所述拉伸强度FA1为：由所述粘合片制作宽度25mm的第一试验片，用夹具(101,102)夹持着第一试验片的长度方向的两端并利用拉伸试验机进行0.5mm拉伸时的拉伸强度；所述拉伸强度FB1为：将纵向尺寸为45mm、横向尺寸为35mm、厚度尺寸为0.625mm的第一半导体芯片(CP1)及第二半导体芯片(CP2)中的第一半导体芯片(CP1)贴合于第一试验片的长度方向上一端侧、将第二半导体芯片(CP2)贴合于该长度方向上另一端侧而制作第二试验片，用夹具(101,102)夹持着第二试验片的长度方向的两端并利用拉伸试验机进行0.5mm拉伸时的拉伸强度。FB1/FA1≤30…(数学式1A)。
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公开(公告)号：CN113165121B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202080006808.4
申请日：2020-03-11
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: B23K26/53 , H01L21/304 , H01L21/683 , H01L21/301
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法以及层叠体。即便在相邻的单片化后的芯片之间的距离小的情况下，也不易在制造工序中在芯片上产生裂纹、缺口。一种半导体装置的制造方法，是平面形状为矩形的半导体装置的制造方法，其中，在包含排列成矩阵状的多个矩形的单片化预定区域的晶圆的表面，沿着所述单片化预定区域的短边方向粘贴粘合片，对粘贴有所述粘合片的晶圆的背面进行磨削，并且沿着划定所述单片化(56)对比文件CN 1649102 A,2005.08.03JP 2005317883 A,2005.11.10CN 107615453 A,2018.01.19
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公开(公告)号：CN113165121A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202080006808.4
申请日：2020-03-11
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: B23K26/53 , H01L21/304 , H01L21/683 , H01L21/301
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法以及层叠体。即便在相邻的单片化后的芯片之间的距离小的情况下，也不易在制造工序中在芯片上产生裂纹、缺口。一种半导体装置的制造方法，是平面形状为矩形的半导体装置的制造方法，其中，在包含排列成矩阵状的多个矩形的单片化预定区域的晶圆的表面，沿着所述单片化预定区域的短边方向粘贴粘合片，对粘贴有所述粘合片的晶圆的背面进行磨削，并且沿着划定所述单片化预定区域的分割预定线对所述芯片进行分割。
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公开(公告)号：CN112088421A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN201980030707.8
申请日：2019-04-26
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/29 , C09J201/00 , H01L21/304
Abstract: 本发明涉及一种半导体芯片的制造方法，其是使用粘合片且包括下述工序(1)～(3)的方法，所述粘合片具有基材(Y)，并在基材(Y)的两面分别具有能够通过上述膨胀性粒子的膨胀而在粘合表面产生凹凸的第1粘合剂层(X1)及第2粘合剂层(X2)，所述基材(Y)具备包含膨胀性粒子的膨胀性基材层(Y1)及非膨胀性基材层(Y2)。·工序(1)：将第1粘合剂层(X1)粘贴于硬质支撑体、将第2粘合剂层(X2)粘贴于半导体晶片的表面的工序。·工序(2)：得到多个半导体芯片的工序。·工序(3)：使膨胀性粒子膨胀，在上述硬质支撑体和第1粘合剂层(X1)的界面P进行分离的工序。
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公开(公告)号：CN1247382A
公开(公告)日：2000-03-15
申请号：CN99118101.8
申请日：1999-08-18
IPC: H01L21/304 , B24B7/22
CPC classification number: H01L21/6835 , B24B37/04 , C08L33/06 , C09J7/22 , C09J7/243 , C09J7/38 , C09J2201/122 , C09J2201/606 , C09J2203/326 , C09J2423/006 , C09J2433/00 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , Y10T428/28 , Y10T428/2809
Abstract: 一种在晶片背磨的一个工艺中所使用的用于半导体晶片的表面保护片,此工艺包括:在设有电路的半导体晶片的表面上形成槽,槽的切割深度小于晶片的厚度;以及对晶片的背面进行研磨从而减小晶片的厚度且最终把晶片分割成独立的芯片,该表面保护片包括衬底和叠加在其上的压敏粘合剂层,该压敏粘合剂层的弹性模量在40℃下至少为1.0×105帕。此表面保护片适用于以高产率生产极薄的IC芯片的工艺。
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