公开(公告)号：CN114270494A

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN202080059202.7

申请日：2020-12-04

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 田村谦介 ,  坂东沙也香 ,  文田祐介

IPC: H01L21/683 ,  H01L23/552 ,  C09J7/29

Abstract: 本发明涉及一种带电磁波屏蔽膜的半导体装置(66)的制造方法，其包括：将带端子的半导体装置的端子(91)埋设于具有粘弹性层的端子保护用胶带的所述粘弹性层(12)的工序；在未埋设于所述端子保护用胶带的粘弹性层(12)的所述带端子的半导体装置的露出面上形成电磁波屏蔽膜(10)的工序；及拉伸所述端子保护用胶带，从而将形成了电磁波屏蔽膜(10)的所述带端子的半导体装置从所述端子保护用胶带上剥离的工序。

公开(公告)号：CN113165121B

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202080006808.4

申请日：2020-03-11

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 文田祐介 ,  田久真也 ,  爱泽和人 ,  长谷川裕也

IPC: B23K26/53 ,  H01L21/304 ,  H01L21/683 ,  H01L21/301

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法以及层叠体。即便在相邻的单片化后的芯片之间的距离小的情况下，也不易在制造工序中在芯片上产生裂纹、缺口。一种半导体装置的制造方法，是平面形状为矩形的半导体装置的制造方法，其中，在包含排列成矩阵状的多个矩形的单片化预定区域的晶圆的表面，沿着所述单片化预定区域的短边方向粘贴粘合片，对粘贴有所述粘合片的晶圆的背面进行磨削，并且沿着划定所述单片化(56)对比文件CN 1649102 A,2005.08.03JP 2005317883 A,2005.11.10CN 107615453 A,2018.01.19

公开(公告)号：CN113165121A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN202080006808.4

申请日：2020-03-11

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 文田祐介 ,  田久真也 ,  爱泽和人 ,  长谷川裕也

IPC: B23K26/53 ,  H01L21/304 ,  H01L21/683 ,  H01L21/301

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法以及层叠体。即便在相邻的单片化后的芯片之间的距离小的情况下，也不易在制造工序中在芯片上产生裂纹、缺口。一种半导体装置的制造方法，是平面形状为矩形的半导体装置的制造方法，其中，在包含排列成矩阵状的多个矩形的单片化预定区域的晶圆的表面，沿着所述单片化预定区域的短边方向粘贴粘合片，对粘贴有所述粘合片的晶圆的背面进行磨削，并且沿着划定所述单片化预定区域的分割预定线对所述芯片进行分割。