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公开(公告)号：CN117099185A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202280025134.1
申请日：2022-01-11
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301
Abstract: 本发明的技术问题在于提供一种在制造使用了具有缓冲层的半导体加工用粘着胶带的芯片时，抑制崩裂的产生。其解决手段为本发明的半导体加工用粘着胶带10，其为具有基材11、设置于该基材11的一面侧的缓冲层13及设置于该基材11的另一面侧的粘着剂层12的粘着胶带，其特征在于，对于加热到60℃的缓冲层，将前端曲率半径为100nm及棱间角为115°的三角锥状压头的前端以10μm/分钟的速度压入该缓冲层时压缩载荷达到2mN所需的压入深度(Z)为3.0μm以下。
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公开(公告)号：CN118974890A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202280094221.2
申请日：2022-03-31
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/301
Abstract: 本发明的课题在于提供基于刀具的切断性优异的半导体加工用粘合带。其中，该课题通过如下的半导体加工用粘合带而得以解决，所述半导体加工用粘合带具有缓冲层、基材及粘合剂层依次层叠而成的层叠结构，且上述缓冲层满足下述要件(α)及下述要件(β)这两者。·要件(α)：上述缓冲层在23℃下的断裂能为15MJ/m3以上。·要件(β)：在温度23℃下将上述缓冲层供于拉伸试验时，从断裂应变(ε100)的80％的应变(ε80)增加至上述断裂应变(ε100)为止的应力的增加梯度Δρ80‑100为30MPa以上。
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公开(公告)号：CN118721016A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410200603.X
申请日：2024-02-23
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明提供一种即使承受多次热历史其变形量也少，且变形量在一定范围内的工件加工用保护片。所述工件加工用保护片具有基材、设置于该基材的至少一面侧的缓冲层、及设置于该基材的另一面侧的粘着剂层，在进行该工件加工用保护片的热机械分析时，第一次加热至50℃时的变形比例Df1为0.67％以内，第一次加热时的变形比例Df1与第二次加热至50℃时的变形比例Df2之差的绝对值为0.067％以内。
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公开(公告)号：CN113165121B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202080006808.4
申请日：2020-03-11
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: B23K26/53 , H01L21/304 , H01L21/683 , H01L21/301
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法以及层叠体。即便在相邻的单片化后的芯片之间的距离小的情况下，也不易在制造工序中在芯片上产生裂纹、缺口。一种半导体装置的制造方法，是平面形状为矩形的半导体装置的制造方法，其中，在包含排列成矩阵状的多个矩形的单片化预定区域的晶圆的表面，沿着所述单片化预定区域的短边方向粘贴粘合片，对粘贴有所述粘合片的晶圆的背面进行磨削，并且沿着划定所述单片化(56)对比文件CN 1649102 A,2005.08.03JP 2005317883 A,2005.11.10CN 107615453 A,2018.01.19
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公开(公告)号：CN113165121A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202080006808.4
申请日：2020-03-11
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: B23K26/53 , H01L21/304 , H01L21/683 , H01L21/301
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法以及层叠体。即便在相邻的单片化后的芯片之间的距离小的情况下，也不易在制造工序中在芯片上产生裂纹、缺口。一种半导体装置的制造方法，是平面形状为矩形的半导体装置的制造方法，其中，在包含排列成矩阵状的多个矩形的单片化预定区域的晶圆的表面，沿着所述单片化预定区域的短边方向粘贴粘合片，对粘贴有所述粘合片的晶圆的背面进行磨削，并且沿着划定所述单片化预定区域的分割预定线对所述芯片进行分割。
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