一步法制备MoS2/WS2水平异质结多晶薄膜的方法

    公开(公告)号:CN115161772A

    公开(公告)日:2022-10-11

    申请号:CN202210495206.0

    申请日:2022-05-07

    Applicant: 燕山大学

    Abstract: 本发明涉及一步法制备MoS2/WS2水平异质结多晶薄膜的方法,属于无机纳米半导体材料领域,将装有硫粉的刚玉舟放于多温区管式炉上游低温区;将氧化钨与氯化钠混合粉、铬粉、氧化钼粉依次分开放于管式炉下游高温区的长刚玉舟上游;通入惰性保护气体,将多温区管式炉各个温区升温至目标温度使前驱体蒸发,在载气的带动下在多温区管式炉下游位置反应并沉积于放置在长刚玉舟下游的基底上,形成小晶粒多晶MoS2/WS2水平异质结薄膜。本发明仅需一步便能够在两个小时左右的时间内制备得到晶粒尺寸微小、结晶度好、多晶样品尺寸大的单层MoS2/WS2水平异质结连续多晶薄膜,反应所用的原料来源广泛、成本低廉,且操作安全、简单。

    一种层状金属磷化物GePx单晶的制备方法

    公开(公告)号:CN112064114A

    公开(公告)日:2020-12-11

    申请号:CN202010969119.5

    申请日:2020-09-15

    Applicant: 燕山大学

    Abstract: 本发明提供了一种层状金属磷化物GePx(x=1,3,5)单晶的制备方法,仅以红磷和锗粉为原料,无需任何其他添加剂或助熔剂,利用高温高压定向生长技术,通过调控压力与温度等关键条件来控制Ge与P之间的化合成键方式,从而制备出三种不同结构的层状金属磷化物GeP、GeP3、GeP5。该制备方法不仅简单、快速,而且合成的单晶样品纯度高、质量好、尺寸大,这为进一步深入研究GePx的晶体结构、物理化学性质打下了很好的基础。同时也为类黑磷新型磷基二维材料的开发开辟了新的途径,对二维材料的研究具有重要意义。

    一种生物传感器及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN114755276B

    公开(公告)日:2024-01-23

    申请号:CN202210410920.5

    申请日:2022-04-19

    Applicant: 燕山大学

    Abstract: 本申请属于生物检测技术领域,特别是涉及一种生物传感器及其制备方法和应用。现有的生物传感器操作复杂,灵敏度低且性能不稳定。本申请提供了一种生物传感器,包括在第一方向上依次层叠的载体薄膜、修饰薄膜和待观测DNA层,所述第一方向为载体薄膜指向待观测DNA层;所述载体薄膜包括在所述第一方向上依次层叠的金膜基底层和硫化钨层。有单层硫化钨晶体这种电荷敏感材料的的加入,使得在原有单纯的金膜表面等离激元共振角成像的基础上,通过加入不同电位振幅频率的调制,达到更清晰敏感地观察λDNA的效果。操作简单,灵敏度高,性能稳定。

    一种二维FexGaTe(x=2-5)磁性晶体的制备方法

    公开(公告)号:CN117071059A

    公开(公告)日:2023-11-17

    申请号:CN202311050546.3

    申请日:2023-08-21

    Applicant: 燕山大学

    Abstract: 本发明属于层状磁性纳米材料制备的技术领域,提供了一种二维FexGaTe(x=2‑5)磁性晶体的制备方法,该方法包括以下步骤:Fe源置于第一刚玉舟内设置在多温区管式炉的第一温区,Ga源和Te源置于第二刚玉舟内设置在多温区管式炉的第二温区,在位于所述第二温区的基底上通过化学气相沉积法制备所述二维FexGaTe(x=2‑5)磁性晶体,其中,反应过程中,所述第一温区的温度为400~700℃;所述第二温区的温度为500~900℃;所述多温区管式炉内的气体压强为10~100kPa。本发明开发了化学气相沉积方法一步法合成层数可控的居里温度在室温以上的二维FexGaTe2(x=2‑5)磁性晶体,合成时间在2小时以内。此技术具有耗时短、操作简单、厚度可控等优点。

    一种生物传感器及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN114755276A

    公开(公告)日:2022-07-15

    申请号:CN202210410920.5

    申请日:2022-04-19

    Applicant: 燕山大学

    Abstract: 本申请属于生物检测技术领域,特别是涉及一种生物传感器及其制备方法和应用。现有的生物传感器操作复杂,灵敏度低且性能不稳定。本申请提供了一种生物传感器,包括在第一方向上依次层叠的载体薄膜、修饰薄膜和待观测DNA层,所述第一方向为载体薄膜指向待观测DNA层;所述载体薄膜包括在所述第一方向上依次层叠的金膜基底层和硫化钨层。有单层硫化钨晶体这种电荷敏感材料的的加入,使得在原有单纯的金膜表面等离激元共振角成像的基础上,通过加入不同电位振幅频率的调制,达到更清晰敏感地观察λDNA的效果。操作简单,灵敏度高,性能稳定。

    一种对单氨基酸识别-降解-再识别实时动态监测的生物传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN118688161A

    公开(公告)日:2024-09-24

    申请号:CN202410923184.2

    申请日:2024-07-10

    Applicant: 燕山大学

    Abstract: 本申请涉及二维材料生物传感技术领域,更具体地说,它涉及一种对单氨基酸识别‑降解‑再识别实时动态监测的生物传感器及其制备方法。生物传感器通过在GeP5表面修饰金纳米粒子制备得到。GeP5纳米片表面能够原位生长出金纳米粒子,并能够固定更多的肽链在金纳米粒子上,为后续的的识别‑降解‑再识别提供足够的探针肽链。本发明的目的通过在GeP5表面修饰金纳米粒子制备的生物传感芯片,实现肽链中末端氨基酸顺序的识别‑降解‑再识别的动态监测。要解决的技术问题包括用识别蛋白特异性的识别肽链末端氨基酸基团,然后用外切酶顺序的降解肽链末端氨基酸基团,并用新的识别蛋白重新识别,达到类似于氨基酸测序的实验验证。

    一步法制备MoS2/WS2水平异质结多晶薄膜的方法

    公开(公告)号:CN115161772B

    公开(公告)日:2024-07-12

    申请号:CN202210495206.0

    申请日:2022-05-07

    Applicant: 燕山大学

    Abstract: 本发明涉及一步法制备MoS2/WS2水平异质结多晶薄膜的方法,属于无机纳米半导体材料领域,将装有硫粉的刚玉舟放于多温区管式炉上游低温区;将氧化钨与氯化钠混合粉、铬粉、氧化钼粉依次分开放于管式炉下游高温区的长刚玉舟上游;通入惰性保护气体,将多温区管式炉各个温区升温至目标温度使前驱体蒸发,在载气的带动下在多温区管式炉下游位置反应并沉积于放置在长刚玉舟下游的基底上,形成小晶粒多晶MoS2/WS2水平异质结薄膜。本发明仅需一步便能够在两个小时左右的时间内制备得到晶粒尺寸微小、结晶度好、多晶样品尺寸大的单层MoS2/WS2水平异质结连续多晶薄膜,反应所用的原料来源广泛、成本低廉,且操作安全、简单。

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