一步法制备MoS2/WS2水平异质结多晶薄膜的方法

    公开(公告)号:CN115161772B

    公开(公告)日:2024-07-12

    申请号:CN202210495206.0

    申请日:2022-05-07

    Applicant: 燕山大学

    Abstract: 本发明涉及一步法制备MoS2/WS2水平异质结多晶薄膜的方法,属于无机纳米半导体材料领域,将装有硫粉的刚玉舟放于多温区管式炉上游低温区;将氧化钨与氯化钠混合粉、铬粉、氧化钼粉依次分开放于管式炉下游高温区的长刚玉舟上游;通入惰性保护气体,将多温区管式炉各个温区升温至目标温度使前驱体蒸发,在载气的带动下在多温区管式炉下游位置反应并沉积于放置在长刚玉舟下游的基底上,形成小晶粒多晶MoS2/WS2水平异质结薄膜。本发明仅需一步便能够在两个小时左右的时间内制备得到晶粒尺寸微小、结晶度好、多晶样品尺寸大的单层MoS2/WS2水平异质结连续多晶薄膜,反应所用的原料来源广泛、成本低廉,且操作安全、简单。

    芳纶纳米纤维与羰基铁粉复合气凝胶及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN116655997A

    公开(公告)日:2023-08-29

    申请号:CN202310668288.9

    申请日:2023-06-07

    Applicant: 燕山大学

    Abstract: 本发明提供一种芳纶纳米纤维与羰基铁粉复合材料的制备方法和应用。该制备方法包括:将芳纶纳米纤维与羰基铁粉按照质量比1:3‑7分散于乙醇溶液中,进行超声液相剥离0.5‑2h,真空抽滤后,得到芳纶纳米纤维与羰基铁粉复合水凝胶;将所述芳纶纳米纤维与羰基铁粉复合水凝胶在真空条件下进行冷冻干燥,得到芳纶纳米纤维与羰基铁粉复合气凝胶。由该方法制备得到的芳纶纳米纤维与羰基铁粉复合气凝胶,在厚度仅为1.6mm时,对电磁波的有效吸收达到11.2GHz,在厚度为2.4mm时有最大反射损耗为‑42.6dB。由此说明其具有很好的电磁吸收性能,应用前景广阔。

    一步法制备单层MoS2/WS2双组份梯度材料的方法

    公开(公告)号:CN114864382A

    公开(公告)日:2022-08-05

    申请号:CN202210473606.1

    申请日:2022-04-29

    Applicant: 燕山大学

    Abstract: 本发明涉及一步法制备单层MoS2/WS2双组份梯度材料的方法,属于无机纳米半导体材料领域,将硫粉用药匙在刚玉舟的一侧压实,并将盛放硫粉的刚玉舟用铝箔纸密封包裹,用细钢针在盛放硫粉的一侧扎小孔,然后将盛放硫粉的刚玉舟置于多温区管式炉上游低温区;将氧化钨粉与NaCl混合物、氧化钼粉依次分开置于长刚玉舟上游,将基底置于长刚玉舟下游,然后将长刚玉舟置于多温区管式炉下游高温区;随着多温区管式炉下游高温区温度的调节及NaCl用量的调整,制备出不同尺寸的单层MoS2/WS2双组份梯度材料。本发明能够制备尺寸可控的单层MoS2/WS2双组份梯度材料,所制备的样品结晶性好、化学及热力学性能稳定,应用前景好。

    一步法制备MoS2/WS2水平异质结多晶薄膜的方法

    公开(公告)号:CN115161772A

    公开(公告)日:2022-10-11

    申请号:CN202210495206.0

    申请日:2022-05-07

    Applicant: 燕山大学

    Abstract: 本发明涉及一步法制备MoS2/WS2水平异质结多晶薄膜的方法,属于无机纳米半导体材料领域,将装有硫粉的刚玉舟放于多温区管式炉上游低温区;将氧化钨与氯化钠混合粉、铬粉、氧化钼粉依次分开放于管式炉下游高温区的长刚玉舟上游;通入惰性保护气体,将多温区管式炉各个温区升温至目标温度使前驱体蒸发,在载气的带动下在多温区管式炉下游位置反应并沉积于放置在长刚玉舟下游的基底上,形成小晶粒多晶MoS2/WS2水平异质结薄膜。本发明仅需一步便能够在两个小时左右的时间内制备得到晶粒尺寸微小、结晶度好、多晶样品尺寸大的单层MoS2/WS2水平异质结连续多晶薄膜,反应所用的原料来源广泛、成本低廉,且操作安全、简单。

    柔性芳纶纳米纤维和银纳米线复合电磁屏蔽薄膜材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN113999524A

    公开(公告)日:2022-02-01

    申请号:CN202111270175.0

    申请日:2021-10-29

    Applicant: 燕山大学

    Abstract: 本发明提供一种柔性芳纶纳米纤维和银纳米线复合电磁屏蔽薄膜材料、制备方法及其用途。制备方法包括:将氢氧化钾溶于水中,然后加入二甲基亚砜和凯夫拉纤维,将凯夫拉纤维去质子化后得到芳纶纳米纤维分散体系;利用微波辅助法制备银纳米线;对芳纶纳米纤维分散体系进行真空抽滤,抽滤过程中,加入银纳米线,得到复合薄膜。本发明制备的复合电磁屏蔽薄膜材料,加入银纳米线后,电磁屏蔽性能显著提高,对频率8~12.4GHz的电磁波总屏蔽效能可达60~66dB,足以抵挡99.9999%的电磁波辐射,可作为优异的电磁干扰屏蔽材料,并且其制备周期短,操作简单,安全可控。

    一种制备铬掺杂单层二硫化钨二维晶体的方法

    公开(公告)号:CN112174211A

    公开(公告)日:2021-01-05

    申请号:CN202011168522.4

    申请日:2020-10-28

    Applicant: 燕山大学

    Abstract: 本发明涉及一种制备铬掺杂单层二硫化钨二维晶体的方法,属于无机半导体纳米材料制备的技术领域,其包括以下步骤:以Cr、NaCl、WO3、S为原料,在多温区管式炉里面以Si/SiO2为基底,通过S单质对WO3及Cr同时进行硫化,共同参与成键,使Cr取代部分WS2单层二维晶体中W的位置,通过化学气相沉积的方式制备得到Cr掺杂单层WS2二维晶体。本发明所述的方法步骤简单、操作方便,合成速度快且成本低廉,制备得到的Cr掺杂单层WS2二维晶体结晶性好,化学及热力学性能稳定。

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