-
公开(公告)号：CN1632484A
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN200510011171.5
申请日：2005-01-14
Applicant: 清华大学
IPC: G01K7/02
Abstract: 基于无序多壁碳纳米管—金属异质结的温度传感器，涉及一种基于无序多壁碳纳米管—金属异质结的温度传感器及其制作方法。该温度传感器包括绝缘绝热管，填充在绝缘绝热管内的多壁碳纳米管粉末柱，设置在多壁碳纳米管粉末柱一端且与碳纳米管粉末柱紧密接触形成碳纳米管—金属异质结的金属温度探头以及封压在碳纳米管粉末柱另一端的导电金属块。工作时，先把电极和外电路测量仪表相连接，然后将金属温度探头与被测物体相接触，这样，由于碳纳米管—金属异质结的存在，电路中会产生随温度变化的热致电流。该温度传感器不仅结构简单，制作方便，成本低廉，而且可测量温度范围宽，在大范围内均能保证同样的测量精度，对温度的响应时间快。
-
公开(公告)号：CN100539209C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200710064946.4
申请日：2007-03-30
Applicant: 清华大学
IPC: H01L31/102 , H01L31/032 , H01G9/20 , G01J1/42
Abstract: 基于宏观长度的氧化层包裹铜纳米线的光电导传感器，涉及一种具有氧化亚铜包裹层的宏观长铜纳米线簇的光电导传感器件。它是利用银胶将宏观长铜纳米线簇的两端与两金属电极相连接构成回路，然后在回路中通以适当的电流，使铜纳米线表面在空气中氧化形成铜氧化物包裹层。将处理后的纳米线簇和连接它的电极端真空封装于石英套管内，并在套管外部留出电极的另一端作为引线。工作时，把两电极引线和电信号检测设备相连接，当有光束照射在纳米线簇的中央位置时，电路中电导会发生显著变化，其光电导的数值依赖于入射光的强度，即当光强增加时，光电导数值也会增加，反之，当光强减小时，光电导数值也会减小，且其光电响应速度很快。
-
公开(公告)号：CN100395173C
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200410101815.5
申请日：2004-12-24
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种基于宏观长多壁碳纳米管束的正光控电导器件，涉及一种光电子学器件。该器件是由一根多壁碳纳米管束丝、两个金属电极以及石英玻璃罩组成，即把多壁碳纳米管细丝的两端分别与两个金属电极相连接，然后将其封装在石英玻璃罩内。工作时，将金属电极和外电路相连接，然后用一光束通过石英玻璃罩直接照射在碳纳米管丝的中部，实验表明，当光束强度增加时，器件的总电导会增加；当光束强度减小时，器件的总电导会下降。但无论入射光束强度大小如何，该器件的总电导变化率始终大于或等于零。本发明结构简单，制作方便；而且入射光波长响应范围宽，可响应405nm～1064nm波长的光，其光电响应时间小于5秒，是一种新型的光控电导器件。
-
公开(公告)号：CN100356148C
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200510011172.X
申请日：2005-01-14
Applicant: 清华大学
IPC: G01J1/42
Abstract: 基于无序多壁碳纳米管的红外激光功率探测器，该探测器包括一片由多壁碳纳米管粉末压成的薄片和一金属基片，即把多壁碳纳米管薄片的一面与金属基片紧密接触，另一面覆以金属导电薄膜。工作时，先把金属导电薄膜和金属基片分别用导线和外电路测量仪表相连接，然后将被测红外激光入射到金属导电薄膜的表面，这样，随着入射光强的变化，电路中将产生不同强度的光致电流，且在光强增大时电流增大，光强减小时电流减小。本发明相对于现有技术，结构简单，制作方便，而且光电响应速度快，对红外波段光非常敏感，其探测响应时间为秒量级。该器件在红外激光功率测量领域具有广阔的应用前景。
-
公开(公告)号：CN101026224A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200710064947.9
申请日：2007-03-30
Applicant: 清华大学
IPC: H01L49/00
Abstract: 基于宏观长度银纳米线异质结构的光电流传感器，涉及一种光电子学器件及其应用。它是将具有宏观长度的Ag纳米线簇的两端分别与两金属Ni电极相连接构成异质结构。然后，将该异质结构真空封装于石英套管内，并在套管外留出两电极引线，构成光电流传感器。工作时，用导线把两电极和电流信号检测设备相连接，当有光束照射在Ag/Ni异质结结区时，电路中光致电流会发生显著变化，该光致电流的强度依赖于入射光的光强，即当光强增加时，光致电流强度也会增加，反之，光强减小时，光致电流强度也会减小。本发明不仅结构简单，制作方便，而且其光电响应速度快。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1632483A
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN200510011170.0
申请日：2005-01-14
Applicant: 清华大学
IPC: G01K7/02
Abstract: 基于有序多壁碳纳米管束—金属异质结的温度传感器，涉及一种碳纳米管束—金属异质结的温度传感器。它是将具有宏观长度有序的碳纳米管束的顶端与金属导电薄膜相连接，在连接处形成碳纳米管束—金属异质结，然后，从金属导电薄膜和碳纳米管束的尾端分别引出电极，构成温度传感器。工作时，用导线把两电极和电流信号检测设备相连接构成回路，当异质结上的温度相对于碳纳米管束尾端的温度变化时，回路中即可产生热致电流，该电流的强度依赖于碳纳米管束两端表面的温差，即当温差增加时，热致电流也会增加，反之，温差减小时，热致电流也会减小。该温度传感器具有结构简单，制作方便，其响应速度快等特点。
-
公开(公告)号：CN102694051A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210182614.7
申请日：2012-06-04
Applicant: 清华大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0352 , B82Y15/00
Abstract: 本发明公开了光电探测器设计技术领域中的一种基于双光电转换层异维异质结构的光电探测器。包括上电极引线、透明导电光电子发射层、绝缘层、双光电转换层、电子接收层和下电极引线；透明导电光电子发射层、绝缘层、双光电转换层和电子接收层自上而下依次布置；透明导电光电子发射层采用碳纳米管薄膜；双光电转换层的上层采用氧化亚铜纳米颗粒薄膜，双光电转换层的下层采用氧化钛纳米管阵列；绝缘层中部含有一个透光窗口，碳纳米管薄膜通过透光窗口与氧化亚铜纳米颗粒薄膜接触；电子接收层采用钛薄片；上电极引线和碳纳米管薄膜与绝缘层相接触的区域相连；钛薄片下表面与下电极引线相连接。本发明具有较高的光电响应灵敏度，其结构简单且制作方便。
-
公开(公告)号：CN101794837B
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN201010108593.5
申请日：2010-02-05
Applicant: 清华大学
IPC: H01L31/101
Abstract: 基于非对称异维结构的光电导传感器，涉及一种光电导传感器件。该光电导传感器包含透明导电光电子发射层、光电转换层、电子接收层、上电极引线以及下电极引线；透明导电光电子发射层采用低维度的碳纳米管薄膜，光电转换层采用中等维度的氧化钛纳米管阵列，电子接收层采用厚度为毫米量级的钛薄片，在上电极引线与碳纳米管薄膜相连接区域的碳纳米管薄膜下方设置绝缘层，钛薄片下表面与下电极引线相连接，从而使其形成非对称异维结构。该光电导传感器具有结构简单，制作方便等优点，且其光电响应速度很快，其光谱响应范围可以从紫外光区域拓宽到可见光区域，因此该器件在未来的高分辨光电子学探测技术领域中将具有十分广阔的应用前景。
-
公开(公告)号：CN101794837A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN201010108593.5
申请日：2010-02-05
Applicant: 清华大学
IPC: H01L31/101
Abstract: 基于非对称异维结构的光电导传感器，涉及一种光电导传感器件。该光电导传感器包含透明导电光电子发射层、光电转换层、电子接收层、上电极引线以及下电极引线；透明导电光电子发射层采用低维度的碳纳米管薄膜，光电转换层采用中等维度的氧化钛纳米管阵列，电子接收层采用厚度为毫米量级的钛薄片，在上电极引线与碳纳米管薄膜相连接区域的碳纳米管薄膜下方设置绝缘层，钛薄片下表面与下电极引线相连接，从而使其形成非对称异维结构。该光电导传感器具有结构简单，制作方便等优点，且其光电响应速度很快，其光谱响应范围可以从紫外光区域拓宽到可见光区域，因此该器件在未来的高分辨光电子学探测技术领域中将具有十分广阔的应用前景。
-
公开(公告)号：CN100395172C
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200410101813.6
申请日：2004-12-24
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种基于宏观长单壁或双壁碳纳米管束的负光控电导器件，涉及一种光电子学器件。该器件包括一根由宏观长的单壁或双壁碳纳米管束丝和两个金属电极，单壁或双壁碳纳米管束丝的两端分别与两个金属电极相连接，并封装在石英玻璃罩内。工作时，先把金属电极和外电路相连接，然后用一光束通过石英玻璃罩直接照射在碳纳米管丝的中部，实验表明，该器件的总电导会受到入射光束强度的调控，即当光束强度增加时，器件的总电导会下降；当光束强度减小时，器件的总电导会上升。但无论入射光束强度大小如何，器件的总电导变化率始终小于或等于零。本发明结构简单，制作方便；入射光波长响应范围为405nm～1064nm，其光电响应时间小于1秒。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
24
records
(took 0.034 seconds)
