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公开(公告)号：CN111695677A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010451505.5
申请日：2020-05-25
Applicant: 清华大学深圳国际研究生院
Abstract: 一种基于神经元复苏的神经网络训练加速方法，包括以下步骤：S1：监测神经网络中的神经元的活性；S2：计算神经网络的资源利用率；S3：判断神经网络的资源利用率是否低于预设阈值，如果是，则执行步骤S4，如果否，则返回步骤S1或直接对神经网络继续进行训练；S4：对失活的神经元进行复苏；S5：根据未失活的神经元和复苏的神经元对网络训练效果的影响程度情况来对神经网络进行训练。本发明解决了现有技术中存在的训练速度不够快、网络结构存在冗余的问题。
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公开(公告)号：CN110808320A
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201911105192.1
申请日：2019-11-12
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种深紫外LED结构及其制作方法，其中深紫外LED结构包括：深紫外AlGaN外延结构，包含：p型AlGaN层；n型Ga2O3纳米薄膜，位于所述深紫外AlGaN外延结构的上表面；其中，所述n型Ga2O3纳米薄膜与所述p型AlGaN层形成隧穿结，作为表面电极接触层及空穴供给层。通过利用n型Ga2O3纳米薄膜与p型AlGaN层形成隧穿结，一方面该隧穿结作为空穴供给层提高了空穴浓度，另一方面该隧穿结作为表面电极接触层，与表面电极形成良好的欧姆接触，从而提高了深紫外LED的外部量子效率，同时n型Ga2O3纳米薄膜对深紫外波段的光有较高的透过率，不会对LED产生的光进行吸收。
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公开(公告)号：CN108169979B
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201711401900.7
申请日：2017-12-22
Applicant: 清华大学
IPC: G02F1/29
Abstract: 本发明公开了一种用于栅瓣压缩的光学相控阵，由N个相控阵单元组成，N个相控阵单元在平面上排布为圆环形，N为自然数；每个相控阵单元包括1个用于调节该相控阵单元附加相位的相位调制器和1个用于调节场强幅度的注入锁定激光器；所述相位调制器的第一端朝向圆环形圆心的外侧具有波导发射单元；所述相位调制器的第二端朝向圆环形圆心的内侧波导连接有所述注入锁定激光器。采用本发明实现了对栅瓣强度的压缩。
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公开(公告)号：CN110429162A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201910690032.1
申请日：2019-07-29
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种利用预喷铟生长高密度铟镓氮量子点的方法及发光器件，其中，该方法包括：在衬底上用金属有机物生长一层GaN晶体；向反应室中通入金属In源，使得高温下金属源分解，使得金属原子到达GaN表面，在衬底表面自由迁移，在GaN表面聚合得到三维金属岛状物，生成VW形貌；通入五族源NH3和Ga源，使得高温下NH3和Ga源分解，N原子和Ga原子到达衬底的表面，与三维金属岛状物发生反应，生成高密度InGaN量子点。根据本申请的利用预喷金属铟外延生长高密度InGaN量子点的方法可以生长高密度InGaN量子点，且可实现高效率、高功率的半导体发光器件。
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公开(公告)号：CN109603025A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201811514863.5
申请日：2018-12-12
Applicant: 清华大学
IPC: A62B23/06
Abstract: 本发明涉及过滤装置技术领域，尤其涉及一种呼吸过滤装置及其制备方法。本发明提供的呼吸过滤装置，包含柔性膜和粘结层；所述呼吸过滤装置能够和鼻子完全贴合且仅覆盖鼻子部位；所述柔性膜上设置有可使气体通过的通孔。所述呼吸过滤装置为覆鼻式，具有使用面积小、气密性好、无异物感等优点。本发明还提供了所述呼吸过滤装置的制备方法，包含如下步骤：将柔性膜原料制作成柔性平板膜；在所述柔性平板膜上制作通孔，得到多孔柔性平板膜；对鼻子部位进行三维扫描，按照扫描结果将所述多孔柔性平板膜制作成能够和鼻子部位完全贴合的柔性膜；在所述柔性膜的内部设置一层粘结层即得到所述呼吸过滤装置。该方法，原料来源广泛，操作简便，易于实施。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108767659A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810568011.8
申请日：2018-06-04
Applicant: 清华大学
CPC classification number: H01S5/34333 , H01S5/2009 , H01S5/2018 , H01S5/34
Abstract: 本公开提供了一种利用二维材料隔层外延生长激光器的方法，包括：制备GaN自支撑衬底；在GaN自支撑衬底上形成二维材料层；在二维材料层上外延生长n型AlGaN光限制层；在n型AlGaN光限制层上生长n‑InGaN波导层、InGaN多量子阱或者量子点有源区、p‑AlGaN电子阻挡层、p‑InGaN波导层、p‑AlGaN光限制层和p‑GaN接触层。
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公开(公告)号：CN108614275A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201810376929.2
申请日：2018-04-24
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种“伪”二维扫描的激光束阵的获取装置及方法、激光雷达扫描探测装置及方法，其中，该获取装置包括：一维光束扫描系统，对入射的一束激光进行一维方向上的偏转，所述一维方向指一维光束扫描系统的扫描方向；以及二维达曼光栅分束器，位于一维光束扫描系统之后，对偏转后的激光进行分束，得到二维方向上排布的光斑点阵；通过调节一维光束扫描系统使得光斑点阵在一维方向上移动，获取“伪”二维扫描的激光束阵。通过将一维光束扫描系统与二维达曼光栅分束器结合，能够使得激光的光斑点阵在一维方向上移动，实现目标平面的“伪”二维扫描，从而实现后续对目标全面、精细的扫描。
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公开(公告)号：CN106409968B
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201611025249.3
申请日：2014-07-25
Applicant: 清华大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了一种AlGaN基超晶格雪崩型紫外探测器，所述AlGaN基超晶格雪崩型紫外探测器包括衬底，所述衬底上依次设有n型层、i型超晶格倍增层、i型光敏吸收层和p型层；所述n型层上设有n型欧姆电极，所述p型层上设有p型欧姆电极；所述i型超晶格倍增层为AlN/GaN超晶格。本发明提供的紫外探测器，不但具有体积小易于集成的优点，更为重要的是还具有线性可控、高增益和低噪声的优点。
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公开(公告)号：CN107221571A
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201710264851.0
申请日：2017-04-21
Applicant: 清华大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/109 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/109 , H01L31/03529 , H01L31/1848
Abstract: 本发明公开了一种半导体光探测器及其制备方法，包括：该探测器为pipin结构，在衬底上依次包括n型层、i型倍增层、p型电荷层、i型光敏吸收层、p型滤光层；n型层上设置有n型欧姆电极，p型滤光层上设置有p型欧姆电极；所述p型滤光层和n型层构成pn结；所述p型滤光层和i型光敏吸收层为异质结；其中，所述p型滤光层禁带宽度大于所述i型光敏吸收层的禁带宽度；且所述p型滤光层为接收入射光的结构层。正是由于p型滤光层和i型光敏吸收层为异质结，可以构成一个滤波窗口，故只有符合波长要求的光被吸收层吸收，产生载流子，从而大大增强半导体光敏探测器的波长选择性。
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