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公开(公告)号：CN103184513B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201310079699.0
申请日：2013-03-13
Applicant: 清华大学 , 中国科学院物理研究所
Abstract: 本发明涉及一种高温超导薄膜的制备方法，其包括以下具体步骤：提供一SrTiO3基底，将该SrTiO3基底置于一超高真空系统中；利用分子束外延生长技术生长一FeSe单晶层于该SrTiO3基底的表面；以及利用分子束外延生长技术生长一具有层状晶体结构的保护层覆盖于该FeSe单晶层的表面。利用本发明方法可制备出高质量、超薄的高温超导薄膜，其超导转变的起始温度在54K以上，在12K时的临界电流密度高于106A/cm2。
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公开(公告)号：CN103000804B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201210559522.6
申请日：2012-12-21
Applicant: 清华大学 , 中国科学院物理研究所
CPC classification number: H01L43/14 , H01L43/065
Abstract: 本发明涉及一种产生量子化反常霍尔效应的方法，包括：在绝缘基底上制备厚度为3QL至5QL的拓扑绝缘体量子阱薄膜；在制备该拓扑绝缘体量子阱薄膜的同时对该拓扑绝缘体量子阱薄膜掺杂第一元素与第二元素，形成磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜，该第一元素与该第二元素在该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜中分别引入空穴型载流子与电子型载流子，使该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜中载流子浓度载流子浓度降到1×1013cm-2以下，该第一元素与该第二元素中的一种对该拓扑绝缘体量子阱薄膜进行磁性掺杂；以及对该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜施加场电压使载流子浓度进一步降低至实现量子化反常霍尔效应。
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公开(公告)号：CN103022344A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210559554.6
申请日：2012-12-21
Applicant: 清华大学 , 中国科学院物理研究所
Abstract: 本发明涉及一种拓扑绝缘体结构，包括：绝缘基底及设置在绝缘基底表面的磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜；该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜的材料由化学式Cry(BixSb1-x)2-yTe3表示，其中0.05
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公开(公告)号：CN103000803A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210559480.6
申请日：2012-12-21
Applicant: 清华大学 , 中国科学院物理研究所
CPC classification number: H01L43/10 , H01B17/005 , H01L43/06 , H01L43/14 , Y10T428/265
Abstract: 本发明涉及一种电学器件，包括绝缘基底及磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜，该绝缘基底具有相对的第一表面及第二表面，该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜生长在该第一表面，该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜的材料由化学式Cry(BixSb1-x)2-yTe3表示，其中0
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公开(公告)号：CN117199121A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311132003.6
申请日：2023-09-04
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/775 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 本申请涉及量子计算技术领域，特别是涉及一种超导‑半导体纳米线异质结及其衬底、制备方法和器件。可以满足超导‑半导体纳米线异质结对衬底的高平整性、绝缘和耐高温需求。一种超导‑半导体纳米线异质结的衬底，包括：衬底本体，以及设置于所述衬底本体沿其厚度方向一侧的缓冲层；其中，所述缓冲层包括：掺铕碲化铅晶体薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113889564A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111081892.9
申请日：2021-09-15
Applicant: 北京量子信息科学研究院 , 清华大学
IPC: H01L39/24
Abstract: 本发明涉及异质结制备技术领域，具体而言，涉及一种复合材料异质结的制备方法。该制备方法包括以下步骤：在衬底上镀掩模，在掩模上甩预设厚度的HSQ Fox‑系列电子束光刻胶，经曝光显影后在掩模上形成光刻胶三维图形。在掩模及光刻胶三维图形上甩正性电子束光刻胶，经电子束曝光显影后在掩模上形成凹槽，刻蚀除去凹槽中的掩模，除去正性电子束光刻胶。利用分子束外延技术在所述凹槽中的衬底上生长第一相材料，使光刻胶三维图形相对第二相材料束流方向倾斜预设角度，使光刻胶三维图形的投影部分遮挡部分第一相材料，在未遮挡部分原位生长第二相材料以形成异质结；第一相材料为半导体纳米线。该方法能够进行选区生长半导体纳米线。
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公开(公告)号：CN113838964A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202111080289.9
申请日：2021-09-15
Applicant: 北京量子信息科学研究院 , 清华大学
Abstract: 本发明涉及异质结技术领域，具体而言，涉及一种超导‑半导体纳米线异质结，包括衬底，以及生长在所述衬底上的半导体纳米线和超导体层，所述超导体层至少一部分与所述半导体纳米线直接接触；其中，所述半导体纳米线的材料为化合物半导体PbTe，所述超导体层的材料为元素超导体Pb，所述衬底的材料为化合物半导体CdTe。本发明还涉及所述超导‑半导体纳米线异质结的制备方法。本发明进一步涉及一种包含所述超导‑半导体纳米线异质结的器件。
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公开(公告)号：CN108447981B
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201810113605.X
申请日：2018-02-05
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明共公开了一种双通道拓扑绝缘体结构，包括：绝缘基底、第一拓扑绝缘体量子阱薄膜、绝缘间隔层和第二拓扑绝缘体量子阱薄膜，所述第一拓扑绝缘体量子阱薄膜、所述绝缘间隔层和所述第二拓扑绝缘体量子阱薄膜在所述绝缘基底上依次叠加，所述绝缘间隔层将所述第一拓扑绝缘体量子阱薄膜和所述第二拓扑绝缘体量子阱薄膜间隔。本发明还公开了一种双通道拓扑绝缘体结构制备方法及一种产生量子自旋霍尔效应的方法。
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公开(公告)号：CN108447980B
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201810113604.5
申请日：2018-02-05
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种具有绝缘保护层的拓扑绝缘体结构，包括：绝缘基底、拓扑绝缘体量子阱薄膜和绝缘保护层，其特征在于，所述拓扑绝缘体量子阱薄膜和所述绝缘保护层依次叠加在所述绝缘基底表面形成一异质结结构，所述绝缘保护层选自纤锌矿结构的CdSe、闪锌矿结构ZnTe、闪锌矿结构的CdSe、闪锌矿结构的CdTe、闪锌矿结构的HgSe和闪锌矿结构的HgTe中的至少一种。本发明还公开了一种具有绝缘保护层的拓扑绝缘体结构的制备方法。
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公开(公告)号：CN108447981A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810113605.X
申请日：2018-02-05
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明共公开了一种双通道拓扑绝缘体结构，包括：绝缘基底、第一拓扑绝缘体量子阱薄膜、绝缘间隔层和第二拓扑绝缘体量子阱薄膜，所述第一拓扑绝缘体量子阱薄膜、所述绝缘间隔层和所述第二拓扑绝缘体量子阱薄膜在所述绝缘基底上依次叠加，所述绝缘间隔层将所述第一拓扑绝缘体量子阱薄膜和所述第二拓扑绝缘体量子阱薄膜间隔。本发明还公开了一种双通道拓扑绝缘体结构制备方法及一种产生量子自旋霍尔效应的方法。
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