公开(公告)号：CN101164163B

公开(公告)日：2010-04-07

申请号：CN200680012968.X

申请日：2006-04-27

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 宫岛博文 ,  菅博文 ,  渡边信雄 ,  大石谕 ,  铃木伸孝

IPC: H01L23/36

CPC classification number: H01L23/473 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/02264 ,  H01S5/02423 ,  H01S5/4018 ,  H01S5/4025 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及散热器和具有它的激光器装置以及激光器堆栈装置，所述散热器(10a)，具有：第1平板(12)，隔板(14)以及第2平板(16)。第1平板具有形成有第1凹部(22)的上面。第2平板具有形成有第2凹部(30)的下面，以及搭载有半导体激光器元件(2a)的上面。这些凹部成为冷却介质用流路的一部分。隔板具有覆盖第1凹部的下面、覆盖第2凹部的上面、以及使第1凹部连通于第2凹部的一个以上的贯通孔(38)。第1以及第2平板都具有第1热膨胀率。隔极具有比第1热膨胀率小的第2热膨胀率。

公开(公告)号：CN100574022C

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200680019002.9

申请日：2006-04-27

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 宫岛博文 ,  菅博文 ,  内山贵之 ,  松浦正明 ,  松野敏正

IPC: H01S3/10 ,  H01S3/00 ,  H01S3/101

CPC classification number: B23K26/0732 ,  B23K26/0604 ,  B23K26/0608 ,  B23K2101/18 ,  B23K2103/04 ,  G02B19/0014 ,  G02B19/0057 ,  G02B27/0927 ,  H01S5/005 ,  H01S5/02252 ,  H01S5/4012 ,  H01S5/405

Abstract: 本发明涉及一种激光装置(10)，其具有包括激光阵列堆栈(12a～12c)的多个光源(11a～11c)。激光束(32b、32c)分别被狭缝镜(14)以及偏振光束分光器(16)进行偏向，并与激光束(32a)合成。这些激光束具有互相倾斜的光轴和互相平行的慢轴。聚光光学系统(20)将来自各光源的激光束汇聚在沿着与慢轴方向相垂直的方向彼此分离的位置上。

公开(公告)号：CN101572201A

公开(公告)日：2009-11-04

申请号：CN200910135940.0

申请日：2009-04-30

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 新垣实 ,  广畑彻 ,  吉田治正 ,  菅博文

IPC: H01J1/34

CPC classification number: H01J31/50 ,  H01J1/34 ,  H01J40/06 ,  H01J2231/5001

Abstract: 本发明所涉及的光电阴极(1)具备：由单结晶的化合物半导体构成的支撑基板(11)、被设置于支撑基板(11)上并且具有比该支撑基板(11)的能带隙更小的能带隙、吸收透过支撑基板(11)的入射光而产生光电子的光吸收层(13)、被设置在光吸收层(13)上并且使光吸收层(13)的工作函数降低的表面层(15)；支撑基板(11)由Al(1－X)GaXN(0≤X＜1)形成，光吸收层(13)由选自Al、Ga以及In的至少一种成分与N构成的化合物半导体形成。

公开(公告)号：CN100492786C

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200580029865.X

申请日：2005-09-06

Applicant: 大学共同利用机关法人自然科学研究机构 ,  浜松光子学株式会社

Inventor： 酒井博 ,  菅博文 ,  平等拓范

IPC: H01S3/113

CPC classification number: H01S3/113 ,  H01S3/0014 ,  H01S3/0621 ,  H01S3/0627 ,  H01S3/08036 ,  H01S3/10061

Abstract: 激光装置(10)具备：激光介质(11)，其配置在构成光共振器(12)的一对反射机构(12A、12B)间，同时被激发而放出光；可饱和吸收体(14)，其配置在上述一对反射机构间在光共振器(12)的光轴(L)上，同时伴随着吸收来自激光介质的放出光(21)而增加透射率；激发光源部(13)，其输出激发激光介质的波长的光(22)。上述可饱和吸收体(14)是具有互相垂直的第1～第3晶轴的晶体，被配置在光共振器(12)内以使其分别互相垂直的2个偏光方向的放出光而具有不同的透射率。此时，激光振荡相对于透射率更大的偏光方向的放出光而产生，结果得到偏光方向稳定的激光。

公开(公告)号：CN100438238C

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200580001983.X

申请日：2005-03-08

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 宫岛博文 ,  菅博文

IPC: H01S5/024 ,  H01L23/473

CPC classification number: H01S5/405 ,  H01L23/473 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/024 ,  H01S5/02407 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体激光装置，其具备用于防止散热器的制冷剂流路的腐蚀，并且长期稳定地对半导体激光器阵列进行冷却的构造。该半导体激光装置具备半导体激光器堆、制冷剂供给器、绝缘性配管和制冷剂。制冷剂供给器向半导体激光器堆供给制冷剂。制冷剂包含碳氟化合物。绝缘性配管是具有柔软性的绝缘性管子。在绝缘性配管内配置有接地的导电体。该导电体起着除去当制冷剂在绝缘性配管内流通时生成的静电的作用。

公开(公告)号：CN101192642A

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN200710196173.5

申请日：2007-11-29

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 新垣实 ,  广畑彻 ,  中嶋和利 ,  菅博文

IPC: H01L33/00 ,  H01L31/08

CPC classification number: H01L33/30 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/1035 ,  H01L33/02 ,  H01L33/025 ,  H01L33/305 ,  Y02E10/544

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置，其具有某一方作为光感应层或发光层而起作用，并以低浓度掺杂p型杂质且异质接合的第一以及第二III－V族化合物半导体层。第二III－V族化合物半导体层的能带宽度小于第一III－V族化合物半导体层的能带宽度。使用Be或C作为各半导体层中的p型掺杂物。这时，第二III－V族化合物半导体层可以层叠在第一III－V族化合物半导体层上。而且，第一III－V族化合物半导体层和第二III－V族化合物半导体层可以含有(In、Ga、Al)和(As、P、N)中的至少各一种以上。

公开(公告)号：CN1675578A

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：CN03818635.7

申请日：2003-08-28

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 郑宇进 ,  宫岛博文 ,  菅博文

IPC: G02B27/09 ,  G02B27/10

CPC classification number: G02B27/0966 ,  G02B19/0014 ,  G02B19/0057 ,  G02B27/09 ,  G02B27/0905 ,  G02B27/1006 ,  G02B27/143 ,  G02B27/145

Abstract: 聚光装置具有多个光源(10、20)和合光元件(30)。这些光源(10、20)分别具有半导体激光器阵列叠层体(12、22)、准直透镜(16、26)和光束变换器(18、28)。因为合光元件(30)合成来自叠层体(12)的光束和来自叠层体(22)的光束，所以能够生成高光密度的激光束。合光元件(30)的透过单元(32)和反射单元(34)，优选为沿叠层体(12、22)的叠层方向为细长的带状，这时，即便多个活性层(14、24)具有位置偏离，也可以由合光元件(30)适当地接受、合成从活性层(14、24)射出的光束。

公开(公告)号：CN1167126C

公开(公告)日：2004-09-15

申请号：CN99807437.3

申请日：1999-03-29

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 宫岛博文 ,  菅博文 ,  内藤寿夫 ,  太田浩一 ,  神崎武司

IPC: H01L23/473 ,  H01S5/30

CPC classification number: H01S5/02423 ,  H01L23/473 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/02268 ,  H01S5/4031 ,  H01S5/405 ,  H05K7/20254 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体激光叠层式装置1包括3个半导体激光器2a～2c、2个铜板3a和3b、2个引线板4a和4b、供给管5、排出管6、4个绝缘构件7a～7d以及散热片10a～10c。其中，散热片10a～10c每个包括在其上表面形成有供水用槽部22的下部平板构件12、形成有多个导水孔38的中间平板构件14和在其下表面形成排水用槽部30的上部平板构件16，这三块平板构件堆叠在一起并焊接其接触面。

公开(公告)号：CN1482646A

公开(公告)日：2004-03-17

申请号：CN03178790.8

申请日：1997-10-13

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 新垣实 ,  广畑彻 ,  菅博文 ,  山田正美

IPC: H01J7/02 ,  H01J1/304 ,  H01J19/24 ,  H01J19/32 ,  H01J29/04 ,  H01J31/12

CPC classification number: H01J29/94 ,  H01J1/304 ,  H01J2201/30426 ,  H01J2201/30457 ,  H01J2329/00

Abstract: 本发明涉及电子管，其具有可长时间保持其工作稳定性的结构。该电子管至少包括：场致发射体，由金刚石或主要由金刚石组成的材料制成，并有其末端是氢的表面；和密封管壳，装有金刚石场致发射体。利用氢的末端，可把金刚石场致发射体的电子亲和势设置为负值。此外，把氢密封在密封管壳内。由于这种结构，金刚石场致发射体表面末端的氢状态稳定，并且场致发射体的电子亲和势在长时间内不会改变。

公开(公告)号：CN1134044C

公开(公告)日：2004-01-07

申请号：CN97122417.X

申请日：1997-11-06

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 新垣実 ,  广畑彻 ,  菅博文 ,  山田正美

IPC: H01J43/10 ,  H01J43/04 ,  H01J1/32

CPC classification number: H01J43/045 ,  H01J1/32 ,  H01J43/10

Abstract: 本发明涉及到传输式电子倍增器与其配套的电子管。该传输式电子倍增器具有高的二次电子产生率和一种容许被检测光入射检测位置的结构。电子管包括：封闭容器；放置在封闭容器中的电子源，向封闭容器中发射电子；面对电子源的阳极；安置在电子源和阳极之间的传输式电子倍增器。该传输式电子倍增器包含有用金刚石或用以金刚石为主要成分的材料作成的薄膜，和用来加固薄膜的加固部件，加固部件还有显露一部分薄膜的孔。