一种谷氨酸脱羧酶突变体及其制备方法和用途

    公开(公告)号:CN105462949A

    公开(公告)日:2016-04-06

    申请号:CN201510952734.4

    申请日:2015-12-17

    CPC classification number: C12N9/88 C12P13/00 C12Y401/01015

    Abstract: 本发明公开了一种谷氨酸脱羧酶突变体及其制备方法和用途,该突变体的氨基酸序列如SEQ ID NO.2所示,核苷酸序列如SEQ ID NO.1所示。本发明还公开了一种包含编码谷氨酸脱羧酶突变体基因的表达单元、重组质粒和转化子。本发明根据与嗜热古细菌(Thermococcus kodakarensis)GAD氨基酸序列的比对信息,采用定点突变的方法在短乳杆菌GAD对应的氨基酸位点引入脯氨酸残基,通过理性设计提高GAD的热稳定性,该突变酶在催化L-谷氨酸或其钠盐生成γ-氨基丁酸的过程中具有更好的热稳定性,有利于GABA的工业化生产。

    一种核壳结构ZnO纳米线阵列的生长方法

    公开(公告)号:CN102040187B

    公开(公告)日:2012-12-26

    申请号:CN201010545476.5

    申请日:2010-11-12

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开的的核壳结构ZnO纳米线阵列的生长方法,采用的是热蒸发法,步骤如下:1)采用磁控溅射装置在衬底上生长籽晶层。2)将纯ZnO粉末和石墨粉放入一端封口的石英管中,将生长了籽晶层的衬底放在石英管内放入生长室,生长得到在衬底上垂直的ZnO纳米线阵列。3)利用旋涂仪把CH3COCH2COCH3、Ti(OC4H9)4和H2O溶于酒精中得到的混合溶液均匀涂于垂直ZnO纳米线阵列的空隙中,在空气中200℃下退火,得到TiO2包覆的核壳结构ZnO纳米线阵列。本发明制备工艺简单,成本低;可以实现ZnO纳米线阵列的可控生长;制得的核壳结构ZnO纳米线阵列中的ZnO纳米线密度与尺寸分布较均匀。

    细胞色素P450 BM-3 D168S变体酶以及应用其制备靛玉红的方法

    公开(公告)号:CN101333521A

    公开(公告)日:2008-12-31

    申请号:CN200810061399.9

    申请日:2008-04-25

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种细胞色素P450 BM-3 D168S变体酶以及应用其制备靛玉红的方法。该酶是采用定向进化技术,以P450 BM-3(F87V/A74G/L188Q/E435T)为父本,通过在父本基因中编码第168位天冬氨酸残基的密码子处进行定点饱和突变后经筛选获得的。其碱基序列如序列表中SEQ ID NO.1所示,原位点处的密码子由GAT突变为TGG,对应的氨基酸残基由天冬氨酸突变为丝氨酸。本发明的P450 BM-3 D168S变体酶在催化吲哚时,所得产物以靛玉红为主,产物呈现明显的红色特征。

    丹参酮ⅡA在制备抗病毒药物中的应用

    公开(公告)号:CN118453622A

    公开(公告)日:2024-08-09

    申请号:CN202410497213.3

    申请日:2024-04-24

    Abstract: 本发明涉及生物制药领域,尤其是一种丹参酮ⅡA在制备抗人巨细胞病毒药物中的应用。丹参酮ⅡA具有良好的抗HCMV的作用,具体表现为,在1‑10μM可以显著缓解HCMV感染形成的细胞病变效应,显著抑制立即早期蛋白IE1/2和早期蛋白UL44的表达,同时抑制HCMV的立即早期基因UL123、早期基因UL44和晚期基因pp150的DNA复制。

    一种咪唑‑4‑乙酸的生物合成方法

    公开(公告)号:CN107177642A

    公开(公告)日:2017-09-19

    申请号:CN201710438866.4

    申请日:2017-06-12

    Abstract: 本发明公开了一种咪唑‑4‑乙酸的生物合成方法,该方法包括以下步骤:以L‑组氨酸为底物,在膜联L‑氨基酸脱氨酶的催化下,进行脱氨反应,得到含有中间产物3‑(4‑咪唑)‑2‑氧丙酸的反应液;向所述反应液中加入过氧化氢溶液,进行反应,反应结束后,得到咪唑‑4‑乙酸。本发明方法步骤简单,反应条件温和,原料来源广泛、生物催化剂易于制备、设备要求低,底物转化率高,且不需要使用有机溶剂和有毒试剂,相对于现有的化学法具有高效、成本低和环境友好的特点。

    一种斜向ZnO纳米线阵列及其生长方法

    公开(公告)号:CN102226297A

    公开(公告)日:2011-10-26

    申请号:CN201110163536.1

    申请日:2011-06-17

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开的斜向ZnO纳米线阵列,其ZnO纳米线与衬底表面呈55~65°夹角,向相反的方向交叉有序排列。采用热蒸发法生长。本发明的斜向ZnO纳米线阵列的生长方法简单易行,重复性高,通过调节源材料加热温度、衬底与源材料的距离、源材料的质量和生长时间,可以制备尺寸和密度可控且分布均匀的斜向ZnO纳米线阵列。所制备的斜向ZnO纳米线阵列具有高度的有序性和高的晶体质量。

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